|
Ma’ruza. Yarimo‘tkazgichlarning elektrofizik xossalari. Yarimo‘tkazgichlarda kontakt xodisalari. Reja
|
| bet | 38/56 | | Sana | 02.06.2024 | | Hajmi | 1,75 Mb. | | #259295 |
Bog'liq Ma’ruza. Yarimo‘tkazgichlarning elektrofizik xossalari. Yarimo‘tGibrid IMS (yoki GIS) deb umumiy dielektrik asosda joylashgan pardali passiv va diskret aktiv elementlar kombinatsiyasidan iborat mikrosxemaga aytiladi. Diskret komponentlar osma deyiladi. Gibrid IMSlar uchun aktiv elementlar qobiqsiz yoki jajji metall qobiqlarda tayyorlanadi.
GISlarning asosiy afzalliklari: ishlab chiqishning nisbatan kichik davrida analog va raqamli mikrosxemalarning keng sinfini yaratish imkoniyatidan, keng nomenklaturali passiv elementlar hosil qilish imkoniyatidan (MDYa – asboblar, diodli va tranzistorli matritsalar) va ishlab chiqarilayotgan mikrosxemalarda yaroqlilar foizining ko‘pligidan iborat. GISlar aloqa apparatlarining qabul qilish - uzatish tizimlarida, yuqori chastotali kuchaytirgichlarda, O‘YuCh qurilmalarda va boshqalarda qo‘lla-niladi.
Ishlatilgan tranzistor turiga muvofiq yarimo‘tkazgich integral mikrosxemalar bipolyar va MDYa IMSlarga ajratiladi. Hozirgi kunda r - n o‘tish bilan boshqariladigan MTlar asosida yaratilgan IMSlar katta ahamiyat kasb etmoqda. Ushbu sinfga arsenid galliy asosida, zatvori Shottki diodi ko‘rinishida bo‘lgan MTlar kiradi. So‘nggi paytda tarkibida ham bipolyar, ham maydoniy tranzistorlar ishlatilgan IMSlar ham tayyorlanmoqda.
IMSning funksional murakkabligi uning tarkibidagi ele-ment va komponentlar sonini ko‘rsatuvchi integratsiya darajasi bilan ifodalanadi. Integratsiya koeffitsiyenti son jihatdan K=lgN tenglik bilan aniqlanadi, bu yerda, N – sxema elementlari va komponentalari soni (10.1-jadval).
10.1-jadval
Integratsiya koeffitsiyenti
|
K qiymati
|
Elementlar soni
|
IMS nomi
|
1
|
< 1
|
10 tagacha
|
oddiy
|
2
|
1 < K ≤ 2
|
11÷100
|
o‘rtacha (O‘IS)
|
3
|
2 < K ≤ 4
|
101÷10 000
|
katta (KIS)
|
4-5
|
≥ 4
|
> 10 000
|
o‘ta katta (O‘KIS)
|
Oddiy IMSlarga misol sifatida mantiq elementlarni ko‘rsatish mumkin. O‘ISlarga jamlash qurilmasi, schetchiklar, operativ xotira qurilmalari (OXQ), sig‘imi 256-1024 bit bo‘lgan doimiy xotira qurilmalari (DXQ) misol bo‘la oladi. KISlarga mantiqiy-arifmetik va boshqaruvchi qurilmalar kiradi. O‘KISlarga 1,9 milliard MDYa – tranzistorlardan tashkil topgan, sig‘imi 294 MB bo‘lgan xotira mikrosxemalari misol bo‘la oladi.
Kristalldagi elementlar joylashuvining zichligi – birlik yuzaga to‘g‘ri keluvchi elementlar soni IS konstruksiyasi va texnologiyasi sifatining muhim ko‘rsatkichi hisoblanadi. Texnologiya darajasi minimal texnologik o‘lcham, ya’ni erishish mumkin bo‘lgan eng kichik o‘lcham bilan ifodalanadi, masalan, emitter kengligi, o‘tkazgichlar kengligi, ular orasidagi masofa bilan xarakterlanadi.
IMSlar ishlab chiqarish texnologiyasini mukammallashtirish jarayonida minimal texnologik o‘lcham Δ ning yillar bo‘yicha o‘zgarishi 10.2-jadvalda keltirilgan.
10.2-jadval
|
| |
