144
Рис.1.
На рисунке показаны физические протсессы, протекающие в объеме
фотоелектрического преобразователя.
Как видно из рисунка, наличие слоя с-Си (н)
способствуя пассиватсию рекомбинатсионного протсесса, вносит ощутимый вклад к
количеству свободных носителей. Эти носители в болшей степени достигают к переходу, в
резултате которого увеличивается выходная мощност. Самый тылный н
+
а-Си слой
действует как обратное электрическое поле, образуя н-н
+
структуру с типом c-Си, образуя
встроенное электрическое поле, что эквивалентно полю пассиватсии,
который тоже
значително уменшает рекомбинатсию носителей.
Сопоставление резултатов этих исследований показывает, что в обычных, так
называемых «традитсионных» фотоелементах, коеффитсиент полезного действия
достигает
малых значений за счет потер, которые происходит в резултате исчезновения
носителей заряда на поверхности преобразователя. Для достижения хороших значений
требуются чрезмерное совершенствование технологии получения материалов кремния, в
частности, изготовление монокристаллов. Технология получения ҲИТ-элементов в
настоящее время считается конкурентно способным с традитсионной технологией. Так как
в последнем, стоимост производства таких элементов не толко значително дешевле, но и не
требует высокотемпературных операций, обработок и излишней тепловой энергии. Рабочая
температура составляет 200
о
С вместо 800
о
С. Ещё важным преимуществом является то, что
благодаря симметричной структуре, такие фотоелектрические преобразователи менше
реагируют на повышение рабочей температуры. Кроме того,
они обладают меншим
механическим напряжением. Значение температурного коеффитсиента элемента лежит в
пределах 0,3%/
о
С. Этот параметр в «традитсионных» солнечных элементах равен на
45%/
о
С. Характерным является то, что между контактами ҲИТ-элементов обеспечивается
болшее напряжение.
Следует отметит, что структура ҲИТ-элементов полученные нами методом
напыления на вакуумно – магнетронной установке не является единственным экземпляром.
Существуют семейства схожих элементов. В качестве примера приводим рисунки
подобных гетеропереходов из кремния, полученные зарубежными коллегами (Рис.2)
[3,4,5]. Разумеется, при получении этих образсов, они применяли различные методы. Наши
