|
Рис.2. Зависимост значения фототока и к.п.д. ҲИТ-элемента с дырочнойBog'liq Materiallari Рис.2. Зависимост значения фототока и к.п.д. ҲИТ-элемента с дырочной
проводимостю подложки от толщины слоя.
Дополнително к преимуществам солнечных элементов подложки
р
-типа можно отнести
следующие. Полученный элемент из
м
онокристаллического кремния
р-
типа является
низким по стоимости и его легко получит. Кроме того, солнечные элементы с подложкой
р-
типа имеют более низкие требования к интерфейсу, поетому требования к
производственной среде относително свободны и легко подготавливаются. Низкая
консентратсия электронов, имеющую болшую объемную длину диффузии в материале
р-
типа, также является одним из преимуществ образсов этого типа. Кроме прочего,
монокристаллический кремний
п-
типа имеет низкое контактное сопротивление батареи для
подложки.
На рисунке 2 показаны зависимости двух параметров солнечного элемента от
толщины слоя подложки. Как видно, энергетический параметр –коеффитсиент полезного
действия преобразователя достигает до величины 20,7%. Если сопоставит это значение с
«традитсионными» солнечными элементами, тогда преимущество этих образсов
становится очевидным. При значениях фототока 38,5 мА/см
2
происходит насыщение роста
к.п.д. Это можно объяснит следующими. Во-первых, замедляется рост значения фототока,
во-вторых, за счет увеличения значения последователного сопротивления элемента волт-
амперная характеристика элемента становится круче в области оптималного напряжения
[4].
Таким образом, на сегодня, по резултатам анализа электрических, конструксионных
и электрофизических и технико-экономических свойств ҲИТ-элементов дырочной
проводимостю основы, можно полагат перспективным. Именно какой ҲИТ-элемент в
далнейшем станет доминирующим, покажет резултаты мировых исследований. Пока имеем
вышеизложенных резултатов.
|
| |
