РЕЗУЛТАТ ПОЛУЧЕНИЯ ҲИТ-ЭЛЕМЕНТОВ С ПОДЛОЖКОЙ Р-ТИПА ИЗ

Download 5,65 Mb. Pdf ko'rish
bet	93/115
Sana	14.05.2024
Hajmi	5,65 Mb.
	#230787

1 ... 89 90 91 92 93 94 95 96 ... 115

Bog'liq
Materiallari

Рис.1. Структура образса, полученные нами на вакуумно-магнетронной установке.

141
РЕЗУЛТАТ ПОЛУЧЕНИЯ ҲИТ-ЭЛЕМЕНТОВ С ПОДЛОЖКОЙ Р-ТИПА ИЗ
КРЕМНИЯ

1
Ш.Б.Утамурадова,
2
Ш.А.Олимов,
3
М.Норбутаев
1
НИИ полупроводников и микроелектроники при ТГТУ,
2
Северо-Китайский
энергетический университет,
3
Ферганский политехнический институт
Как известно, исползуя полупроводниковых материалов различного состава и
изменением технологию изготовления, возможно получит фотоелектрических
преобразователей с различными конфигуратсиями, структурами, толщины и проводимости.
За последние годы, возросший интерес к гетеропереходным ҲИТ-элементам из кремния [1-
3], привели к созданию таких преобразователей на подложках, обладающие как
р-
так и
н-
проводимостю. Толко правилное понимание физического протсесса в объёме этих
преобразователей позволяет получит важной конструксии солнечных элементов с
хорошими значениями коеффитсиента полезного действия.
Настоящая работа посвящена к соспоставлению и анализу резултатов полученного
образса ҲИТ-элемента с подложкой р- типа проводимости с элементом подложки н- типа
проводимости.
Рис.1. Структура образса, полученные нами на вакуумно-магнетронной установке.
На рисунке 1 показана простейщая конструксия ҲИТ-элемента, полученная нами на
подложке, обладающей р-типом проводимости. Слои
а-Си
и
н
+-
а-Си
получены методом
напыления в среде газа аргона в вакуумно-магнетронной установке. Давление в рабочей
камере не превышала 10
-4
мм. рт. столба и постоянно контролировалас с помощю
соответствующих измерителных приборов, подключенных к автоматическому регулятору
давления рабочей камеры. Вакуум создавался форвакуумным и диффузионными насосами.
В период технологии изготовления температура обработки не превышала 200
о
С. Это
подтверждает достижение минималного значения потери и расхода тепловой энергии. По
резултатам испытания установлены, что элементы с подложкой р-типа проводимости
намного устойчивее к радиатсиям по сравнению с элементами с подложкой
н-
типа
проводимости. Радиатсионное излучение болше негативно влияют на выходные параметры
образсов электронной проводимостю. Однако
такие элементы более эффективны и не
подвержены бор-кислородным дефектам и световой деградатсии, вызывающим снижение
эффективности. С другой стороны, производство солнечных элементов
н-
типа является
более сложным и несколко более затратным. Поетому считалос необходимым изыскание
путей оптимизатсии параметров
ҲИТ-элементов, обладающей дырочной проводимостю.
Для этой сели заднюю пассиватсию можно принести в жертву, с очен тонким или
отсутствующим внутренним слоем, чтобы исползоват туннелирование с помощю ловушек
для улучшения транспортировки дырок на задней стороне. Также возможно исползоват

142
полупроводниковый материал, имеющий
более высокую ширину запрещенной зоны
ΔЕc
, такой как
а-СиC:Ҳ
, в качестве БСФ
ячейки ҲИТ, с исползованием
р-
типа
c-Си
в
качестве
подложки
для
улучшения
транспортных характеристик отверстий на
задней стороне. Толщина предварително
искривленного
а-Си:Ҳ
может
быт,
соответственно, увеличена на степен, в
резултате которого солнечное излучение
более эффективно поглощается.
Плотности тока короткого замыкания и эффективности гетероперехода с тонкопленочными
солнечными элементами от толщины верхнего слоя
а-Си:Ҳ(и)
(при толщине слоя
c-Си
был
250 µм) были подвергнуты тестированию. Выявлены несколко преимуществ.

Download 5,65 Mb.

1 ... 89 90 91 92 93 94 95 96 ... 115

Download 5,65 Mb.

Pdf ko'rish