Mexanizasiyalash muhandislar instituti milliy tadqiqot universiteti

Download 7,42 Mb. Pdf ko'rish
bet	97/177
Sana	18.09.2024
Hajmi	7,42 Mb.
	#271609

1 ... 93 94 95 96 97 98 99 100 ... 177

Bog'liq
hxdyWc64rxc4ylSk9H8CT0vh6AhFuTBsvP6yTtUW

§ 11.7. (I
2
L) -integral injenksion mantiqiy elementi

I
2
L mikrosxemalar diskret tranzistorli mikrosxemalarda o‘xshashligi yo‘q, ya’ni
ular integral ijroga xosdir. I
2
L elementlarning asosini, ikkita tranzistordan tashkil
topgan invertor tashkil etadi (11.5-rasm).

11.5-rasm. Injeksion bazoviy mantiqiy elementi
Tranzistor T1 n-p-n tipli tranzistor, tranzistor T2
e
sa p-n-p tipli tranzistor bo‘lib,
n-tipli hududlardan biri ham tranzistor T1 ning asosi bo‘lib, injektor (shuning logik
nomi) deb ataladi va tranzistor T2 ning
e
mitteri va tranzistor T2 ning bazasi
injektorning yig‘uvchisi hisoblanadi. Funksional jihatdan tranzistor T1 yuk rezistori,
T2
e
sa-yarimo‘tkazgichli kalit bo‘lib xizmat qiladi.
Chiqish tranzistori multikollector bo‘lib, u chiqishlarning bir-biridan
izolyatsiyasini ta’minlaydi. Agar oldingi sxemaning asosiy tranzistori ochiq bo‘lsa, u
holda tashqi tok manbai bilan o‘rnatilgan tranzistorning T1 tok I
k
u orqali korpusga
yopiladi va tranzistorning asosiga T2 kirmaydi, uni yopiq holda qoldiradi.
Agar oldingi tutashuvning asosiy tranzistori yopiq bo‘lgan bo‘lsa, tok I
k
baza T2
ga oqib o‘tadi va uni ochilishiga sabab bo‘ladi. Shunday qilib, ko‘rib chiqilayotgan

153
tayanch element EMAS operatsiyasini amalga oshiradi, nol sifatida ochiq holatdagi T2
olib, va yopiqni esa bir sifatida.
Ikki bazoviy elementni parallel ulab (11.6-rasm), YOKI-EMAS bazisni amalga
oshirishingiz mumkin.
11.6-rasm. YOKI-EMAS mantiqiy I
2
L sxemasi
I
p
ning quvvat manbalari umumiy bazisli sxema bo‘yicha ulangan p-n-p
tranzistorlardagi tok generatorlaridir. Tranzistorlar uchun umumiy p va n-turi qarshilik
yo‘qligi uchun, elektron juda texnologik va integratsiya versiyada TTL
texnologiyasuga nisbatan yuqori, 50 marta ortiq qadoqlash zichligi
e
rishish imkonini
beradi.
Tranzistor T1 yuqori qarshilik yuk ifodalaydi, chunki, element tomonidan
iste’mol elektr juda past qiymatiga kamaytirish mumkin (TTL elementlar nisbatan 100
marta kam). Shuning uchun I2L elementlari BIS (kr582, 584 seriyali) da keng
qo‘llaniladi.

Download 7,42 Mb.

1 ... 93 94 95 96 97 98 99 100 ... 177

Download 7,42 Mb.

Pdf ko'rish