§ 11.8. MDP-tranzistorlarda mantiqiy elementlar
Hozirgi vaqtda mantiq sxemalarida SiO
2
dielektrikli (MOP-tranzistorlar) MDP-
tranzistorlar ishlatiladi.
MOP mantiq elementlarini tahlil qilish juda oddiy, chunki kirish oqimlarining
yo‘qligi tufayli ularni zanjirda ishlaganda ham boshqa elementlardan alohida ko‘rib
chiqish mumkin.
11.7-rasmda n-kanalli MOP-tranzistorlarda mantiq elementlarini qurish uchun
ikkita variant ko‘rsatilgan.
154
11.7-rasm. MOP tranzistrlarida mantik elementlari: a) - YOKI-EMAS elementi b)
VA-EMAS elementi
Tranzistorlar T3 yuk rolini bajaradi. Ikkala mikrosxemadagi mantiq darajalari
yukdan mustaqil bo‘lib, ochiq va yopiq kalitning chiqish kuchlanishlariga mos keladi:
𝑈
𝑐ℎ𝑖𝑞
0
≈ 0,1𝑉, 𝑈
𝑐ℎ𝑖𝑞
1
≈ 𝐸
𝑐
.
Shunga ko‘ra, mantiqiy farq:
𝑈
𝑙
= 𝑈
𝑐ℎ𝑖𝑞
1
− 𝑈
𝑐ℎ𝑖𝑞
0
≈ 𝐸
𝑐
.
Ec MOP mantig‘ining elektr ta’minoti kuchlanishi ostona kuchlanishiga nisbatan U
0
tranzistor ochilishining 3-4 marta katta tanlanadi.
§ 11.9. Bazoviy mantiqiy elementlar
Zamonaviy elektronikada mantiqiy asoslar funksiyalardir VA-EMAS VA YOKI
EMAS fugksiyalar hisoblanadi. Ushbu funksiyalar asosida boshqa mantiqiy vazifalari
amalga oshiriladi. Mantiqiy elementlar, asosiy funksiyalarni amalga oshiruvchi
bazoviy mantiqiy elementlar
deyiladi.
Bazoviy mantiq elementi
e
ng oddiy "g‘isht", undan boshqa “binolar” LE dan
hosil bo‘ladi.
155
Bazoviy mantiq elementlarining parametrlari
|
