§ 11.6. TTL -tranzistorli mantiqiy elementlar

151 
§ 11.6. TTL -tranzistorli mantiqiy elementlar 
 
TTL-tranzistorli mantiqining asosi ko‘p 
e
mitterli tranzistor T1 ga asoslangan asosiy 
element hisoblanadi (11.4-rasm) T2 tranzistori bilan bitta texnologik siklda oson 
bajariladigan.
 
11.4-rasm. TTL bazoviy element 
TTL mantiqda ko‘p 
e
mitterli tranzistor musbat mantiqda 
VA
ishini bajaradi va 
T2 tranzistorda invertor yig‘iladi. Shunday qilib, VA-EMAS asosi ushbu sxema 
bo‘yicha amalga oshiriladi. 
A nuqtadagi potensial kirish signallariga taxminan teng bo‘lgani uchun yuqori 
potensialni kuchaytirgichning barcha kirishlariga qo‘llashda tranzistorning T1 ning 
barcha emitter-bazaviy o‘tishlari yopiladi. Shu bilan birga baza-kollektor o‘tish ochiq 
bo‘ladi, shuning uchun elektron Ep-R1-baza T1-kollektor T1-baza T2-emitter T2-
korpus oqimi tok I
b nas
, u tranzistorni T2 ochadi va uni to‘yinishga kiritadi. Sxema 
chiqishdagi potensial nolga yaqin bo’ladi (≈0.1 V darajasida). Qarshilik R
1
shunday 
tanlanadiki, tranzistorning T2 tok I
b nas
dan unga kuchlanish tushishi tufayli A 
nuqtadagi potensial kirishlar potensialidan past bo‘ladi va chiqargichlar T1 yopilib 
qoladi. 
Kirishlardan kamida bittasiga mantiqiy nolning past potensiali qo‘llanilganda 
tranzistor T1 ning bu emitter–bazaviy ochiladi, sezilarli tok ya’ni paydo bo‘ladi va A 
nuqtadagi potensial,
𝐸
𝑝
− 𝐼
𝑒
𝑅
1,
ga teng, nolga yaqinlashadi. Baza bilan emitter T2 
orasidagi potensiallar farqi ham nolga aylanadi, I
b
tok tranzistor T2 to‘xtaydi va u 
yopiladi (kesilgan rejimga o‘tadi). Natijada chiqish kuchlanishi ta’minot kuchlanishiga 
(mantiqiy birlikka) teng qiymat oladi. 
Kiritish D
1
,...D
n
diodlar tufayli oldingi bosqichlarida parazit elementlar kirish 
signallari mavjud bo‘lishi mumkin salbiy tebranishlar kesish uchun mo‘ljallangan. 

152 
VA–EMAS elementining ko‘rib chiqilgan tutashuvining muhim kamchiligi 
uning invertorining yuk ko‘tarish qobiliyati va samaradorligining pastligidir, shuning 
uchun amaliy sxemalarda murakkabroq invertordan foydalaniladi. 
70-yillarning oxirlarida kalitlarni o‘chirishda kechikishni kamaytirish yo‘li bilan 
tezlikni oshirgan Shottki tranzistorlarida bir qator elementlar keng qo‘llanila boshlandi. 
Ishlash prinsipiga ko‘ra TTLSh ning asosiy elementi TTL elementiga o‘xshaydi. 
Shuni ta’kidlash kerakki, TTL va TTLSh mikrosxemalari katta mantiqiy 
kuchlanish tushishi bilan xarakterlanadi, va quyidagiga teng 
𝑈
𝑙
= 𝐸
𝑘
− 𝑈
𝑘𝑒
≈ 𝐸
𝑘

Download 7,42 Mb.