151
§ 11.6. TTL -tranzistorli mantiqiy elementlar
TTL-tranzistorli mantiqining asosi ko‘p
e
mitterli tranzistor T1 ga asoslangan asosiy
element hisoblanadi (11.4-rasm) T2 tranzistori bilan bitta
texnologik siklda oson
bajariladigan.
11.4-rasm. TTL bazoviy element
TTL mantiqda ko‘p
e
mitterli tranzistor musbat mantiqda
VA
ishini bajaradi va
T2 tranzistorda invertor yig‘iladi. Shunday qilib,
VA-EMAS asosi ushbu sxema
bo‘yicha amalga oshiriladi.
A nuqtadagi potensial kirish signallariga taxminan teng bo‘lgani uchun yuqori
potensialni kuchaytirgichning barcha kirishlariga qo‘llashda tranzistorning T1 ning
barcha emitter-bazaviy o‘tishlari yopiladi. Shu bilan birga baza-kollektor o‘tish ochiq
bo‘ladi, shuning uchun elektron Ep-R1-baza T1-kollektor T1-baza T2-emitter T2-
korpus oqimi tok I
b nas
, u tranzistorni T2 ochadi va uni to‘yinishga kiritadi.
Sxema
chiqishdagi potensial nolga yaqin bo’ladi (≈0.1 V darajasida). Qarshilik R
1
shunday
tanlanadiki, tranzistorning T2 tok I
b nas
dan unga kuchlanish tushishi tufayli A
nuqtadagi potensial kirishlar potensialidan past bo‘ladi va chiqargichlar T1
yopilib
qoladi.
Kirishlardan kamida bittasiga mantiqiy nolning past potensiali qo‘llanilganda
tranzistor T1 ning bu emitter–bazaviy ochiladi, sezilarli tok ya’ni paydo bo‘ladi va A
nuqtadagi potensial,
𝐸
𝑝
− 𝐼
𝑒
𝑅
1,
ga teng, nolga yaqinlashadi. Baza bilan emitter T2
orasidagi potensiallar
farqi ham nolga aylanadi, I
b
tok tranzistor T2 to‘xtaydi va u
yopiladi (kesilgan rejimga o‘tadi). Natijada chiqish kuchlanishi ta’minot kuchlanishiga
(mantiqiy birlikka) teng qiymat oladi.
Kiritish D
1
,...D
n
diodlar tufayli oldingi bosqichlarida parazit elementlar kirish
signallari mavjud bo‘lishi mumkin salbiy tebranishlar kesish uchun mo‘ljallangan.
152
VA–EMAS elementining ko‘rib chiqilgan tutashuvining
muhim kamchiligi
uning invertorining yuk ko‘tarish qobiliyati va samaradorligining pastligidir, shuning
uchun amaliy sxemalarda murakkabroq invertordan foydalaniladi.
70-yillarning oxirlarida kalitlarni o‘chirishda kechikishni kamaytirish yo‘li bilan
tezlikni oshirgan Shottki tranzistorlarida bir qator elementlar keng qo‘llanila boshlandi.
Ishlash prinsipiga ko‘ra TTLSh ning asosiy elementi TTL elementiga o‘xshaydi.
Shuni ta’kidlash kerakki, TTL va TTLSh mikrosxemalari katta mantiqiy
kuchlanish tushishi bilan xarakterlanadi, va quyidagiga teng
𝑈
𝑙
= 𝐸
𝑘
− 𝑈
𝑘𝑒
≈ 𝐸
𝑘
