|
-rasm. Ikkita kirishli EBM ME sxemasi
|
| bet | 3/5 | | Sana | 31.03.2023 | | Hajmi | 130.53 Kb. | | #47987 |
Bog'liq Guruh talabasi Narmatov Rustamning Elektronika va sxemalar fanid 2 modellashtirish, Оз бетинше жумыслар темасы (3), savollar varaqasi nomeri, Mustaqil talim boshlangich, Elektrodvigatellar (Diplom ishi), Do\'smurodova ma\'lumotnoma 111111, Uralova Feruza ma\'lumotnoma, To\'layeva Marjona ma\'lumotnoma dehqonobod, Poyonova Shaxnoza ma\'lumotnoma, Tilshunoslik nazariyasi oquv Qollanma (1), Reja R. Batning hayot yo’li-fayllar.org, Ma\'lumotlarning intellektual tahlili mustaqil ish, 5-amaliy, 1-chi va 2-chi tartartibli chekli ayirmali tenglamalar (A.Sharifov)| 12.7-rasm. Ikkita kirishli EBM ME sxemasi.
VT1 va VT2 tranzistorlardan ixtiyoriy birining (yoki barovariga) berkilishi Io tokni chap yelkadan o'ng yelkaga o'tishiga olib keladi.
VT4 va VT5 emitter qaytargichlar kollektor potensiallari sathlari IT kattalikka siljitiladi, bu bilan EBM zanjirning ishga layoqatligi ta’minlanadi.
Deylik, ikkala kirishga mantiqiy 0 potensial berilgan bo'lsin. U holda VT1 va VT2 tranzistorlar berk, VT3 tranzistor ochiq bo'ladi. Demak, U1 chiqishda mantiqiy 1 sathi o'rnatiladi. VT1 va VT2 tranzistorlar berk bo'lganligi sababli ularning kollektor potensiallari
E Kj2 = Ем- VT4 EO‘idan £/*kuchIanishni olib tashlasak, mantiqiy 1 sath
U'=EM-U*. (12.8)
ekanligi kelib chiqadi.
VT3 tranzistor bilan VT5 qaytargich ham mantiqiy funksiya bajaradilar. X1=X2= Uo bo'lganda VT3 tranzistor ochiq, demak U2 chiqishda mantiqiy 0 sathi o‘rnatiladi. VT3 tranzistor to'yinish chegarasida turibdi deb faraz qilaylik,
ya’ni UKB3 = 0.
U holda tranzistordagi qoldiq kuchlanish EO'dagi kuchlanishga teng bo'ladi (UQ0L = (/*)• (/‘kuchlanishni olib tashlasak va (12.8) ifodaga qo'ysak, mantiqiy 0 sathiga ega bo'lamiz
t/° = Ew-2t/’. (12.9)
(12.8) va (12.9) ifodalardan foydalanib, mantiqiy o'tish qiymatini aniqlaymiz
UMO. = U'-U° =U' «0,7 V.
Endi biror kirishga, masalan, XI ga mantiqiy 1 potensial berilgan bo'lsin. U holda VT1 tranzistor ochiladi, VT3 tranzistor esa berkiladi. Natijada UI chiqishda mantiqiy 0 kuchlanishi, U2 chiqishda esa mantiqiy 1 kuchlanishi o'matiladi. Ikkala kirishga mantiqiy 1 berilganda ham vaziyat o'zgarmaydi. Hosil bo'lgan haqiqiylik jadvali
12.4-jadvalda keltirilgan.
Jadvaldan, sxema UI chiqish bo'yicha Y1 = 2fl +Jf2 mantiqiy amalini, U2 chiqish bo'yicha esa Y1 = XI + X’2 mantiqiy amalini bajarishi ma’lum bo'lib turibdi.
Shuni ta’kidlash kerakki, chiqishda emitter qaytargichlarning qo'llanilishi mantiqiy o'tishni 0,7V gacha va xalaqitlarga bardoshlikni deyarli 0,3 V gacha oshirdi.
Bundan tashqari, emitter qaytargichdagi kichik chiqish qarshiligi tufayli sxemaning yuklama qobiliyati ortdi va yuklamadagi sig'im qayta zaryadlanishi tezlashdi.
Manbaning manfiy qutbi umumiy deb olingan EBM sxemaning kamchiligi bo'lib chiqish signali mantiqiy sathlarining kuchlanish manbayi qiymatiga bog'liqligi hisoblanadi. Bu (12.8) va (12.9) lardan kelib chiqadi. Bundan tashqari, chiqish umumiy nuqta bilan qisqa tutashganda emitter qaytargich tranzistori ishdan chiqadi.
Kuchlanish manbayi EM ning musbat qutbini umumiy nuqtaga
ulab aytib o'tilgan kamchiliklarni bartaraf etish mumkin. U holda
U} = -EM + U' = -U' = - 0,7 V;
U° = -EM + U° = -2U’ = ~ 1,4 V.
Bunda, sxemaning ish prinsipi, albatta o‘zgarishsiz qoladi.
500 seriyaga mansub EBM elementning prinsipial elektr sxemasi 12.8-rasmda keltirilgan.
|
| |
