|
Muhammad al-xorazmiy nomidagi toshkent axborot texnologiyalari universiteti urganch filiali
|
| bet | 1/5 | | Sana | 31.03.2023 | | Hajmi | 130.53 Kb. | | #47987 |
Bog'liq Guruh talabasi Narmatov Rustamning Elektronika va sxemalar fanid 2 modellashtirish, Оз бетинше жумыслар темасы (3), savollar varaqasi nomeri, Mustaqil talim boshlangich, Elektrodvigatellar (Diplom ishi), Do\'smurodova ma\'lumotnoma 111111, Uralova Feruza ma\'lumotnoma, To\'layeva Marjona ma\'lumotnoma dehqonobod, Poyonova Shaxnoza ma\'lumotnoma, Tilshunoslik nazariyasi oquv Qollanma (1), Reja R. Batning hayot yo’li-fayllar.org, Ma\'lumotlarning intellektual tahlili mustaqil ish, 5-amaliy, 1-chi va 2-chi tartartibli chekli ayirmali tenglamalar (A.Sharifov)
Vatanni sevmoq iymondandir!
MUHAMMAD AL-XORAZMIY NOMIDAGI TOSHKENT AXBOROT
TEXNOLOGIYALARI UNIVERSITETI URGANCH FILIALI
Kompyuter injinering fakulteti Kompyuter injineringi yo`nalishi
961-19 guruh talabasi Narmatov Rustamning
Elektronika va sxemalar fanidan
MUSTAQIL
ISHI
URGANCH 2021 yil
Mavzu: Emitterlari bog’langan mantiq. Tok qayta ulagichi haqida tushuncha. EBM MEning ishlash mexanizmi.
Reja:
1. Emitterlari bog’langan mantiq.
2. EBM shunday sxematexnik yechim.
3. Tok qayta ulagichi.
5. EBM MEning ishlash mexanizmi.
6. Ikkita kirishli EBM ME.
7. Ikki zinali EBM sxemasi.
8. EBM seriya elementlari turlari.
Emitterlari bog‘langan mantiq elementi (EBM). EBM elementi. DK kabi tok qayta ulagichi asosida bajariladi. Ikki mantiqiy kirishga ega bo‗lgan bir yelka ikki tranzistordan iborat bo‗ladi (VT1 va VT2), keyingi yelka esa - VT3 dan tashkil topadi. Yuklama qobiliyatini oshirish va signal tarqalishi kechikishini kamaytirish maqsadida qayta ulagich VT4 tranzistorda bajarilgan emitter qaytargich bilan to’ldirilgan.
VT3 bazasiga Ye0 – tayanch kuchlanishi beriladi va bu bilan uning ochiq holati ta‘minlanadi. Ixtiyoriy biror kirishga (yoki ikkala kirishga) mantiqiy birga mos keluvchi signal berilsa unga mos keluvchi tranzistor ochiladi, natijada I0 tok sxemaning o‗ng yelkasidan chap yelkasiga o‗tadi. VT4 tranzistor baza toki kamayadi va u berkiladi va chiqishda mantiqiy nolga mos potensial o‗rnatiladi.
Agar ikkala kirishga mantiqiy nolga mos signal berilsa, u holda VT1 va VT2 tranzistorlar berkiladi, VT3 esa ochiladi. R1 orqali oqib o‗tayotgan tok VT4 tranzistorni ochadi va sxemaning chiqishida mantiqiy birga mos kuchlanish hosil bo‗ladi. Bu sxema 2YoKI-EMAS amalini bajaradi. Iste‘mol quvvati 2050 mVt, tezkorligi esa 0,73 ns ni tashkil etadi.
Emitterlari bog‘langan mantiq (EBM) elementning yaratilishiga raqamli qurilmalar tezkorligini oshirish muammosi sabab bo‘lgan. EBM elementda qayta ulanuvchi tranzistor yoki berk, yoki ochiq bo'ladi va bazada qo'shimcha noasosiy zaryad tashuvchilar to'planayotganda ВТ to'yinish rejimida ishlaydi.
Tranzistorni bir holatdan ikkinchisiga o'tishi uzoq kechadigan jarayon bo'lganligi sababli, TTM element tezkorligi cheklangan. BTdagi kalit inersiyaliligini kamaytirish maqsadida shunday sxemalar yaratish kerakki, unda qayta ulanuvchi tranzistor ochiq holatda aktiv rejimda ishlasin.
EBM shunday sxematexnik yechimlardan biri hisoblanadi. BTning to'yinmagan rejimi yuklama va parazit sig'imlarning tez qayta zaryadlanishi uchun talab qilinadigan ishchi toklarni oshirish imkonini beradi. Qayta ulanuvchi element ulanish vaqti minimumga keladi. Bu vaqtda BTning berkilish vaqti ortmaydi. Shu sababli EBM elementlar yuqori tezkorlikka ega.
EBM element asosini tok qayta ulagichi tashkil etadi (12.6-rasm).
U DK kabi ikkita simmetrik yelkadan tashkil topgan bo'lib, ularning har biri tranzistor va rezistordan iborat. Umumiy emitter zanjirida BTG Ig ishlaydi.
DKdan farqli ravishda kirishlardan biri (VT2) tayanch deb ataluvchi doimiy kuchlanish manbayi t/„ga ulangan. Tok /„qiymati tranzistorning aktiv ish rejimiga mos keladi va EBM negiz elementlarida Io = 0,54-2 mA. BTG mavjudligi tufayli baza potensiallarining ixtiyoriy qiymatlarida emitter o'tishlarda avtomatik ravishda
I E\ ' E2 4
(12.2)
shart o'rnatiladi.
|
| |
