|
-rasm. 500 seriyaga mansub ikkita kirishga ega EBM element sxemasi
|
| bet | 4/5 | | Sana | 31.03.2023 | | Hajmi | 130.53 Kb. | | #47987 |
Bog'liq Guruh talabasi Narmatov Rustamning Elektronika va sxemalar fanid 2 modellashtirish, Оз бетинше жумыслар темасы (3), savollar varaqasi nomeri, Mustaqil talim boshlangich, Elektrodvigatellar (Diplom ishi), Do\'smurodova ma\'lumotnoma 111111, Uralova Feruza ma\'lumotnoma, To\'layeva Marjona ma\'lumotnoma dehqonobod, Poyonova Shaxnoza ma\'lumotnoma, Tilshunoslik nazariyasi oquv Qollanma (1), Reja R. Batning hayot yo’li-fayllar.org, Ma\'lumotlarning intellektual tahlili mustaqil ish, 5-amaliy, 1-chi va 2-chi tartartibli chekli ayirmali tenglamalar (A.Sharifov)12.8-rasm. 500 seriyaga mansub ikkita kirishga ega EBM element sxemasi.
O‘zgarmas tok generatori (manbayi) Ig ni turli usullar bilan amalga oshirish mumkin. Mazkur sxemada tok manbayi sifatida tokni barqarorlashtiruvchi rezistor R3 qo‘llangan. Uning qarshiligi RI (R2) rezistorlarning maksimal qiymatlaridan ancha katta bo'lishi kerak. Bunday manbada Ig qiymati qayta ulanish vaqtida o'zgaradi, lekin U° va U1 qiymatlariga ta’sir ko'rsatmaydi.
Tayanch kuchlanish Uo qiymati, hamda U° va Ul qiymatlari temperatura va boshqa omillar ta’sirida o‘zgaradi.
EBM sxemalarda xalaqitbardoshlik yuqori bo‘lmagani sababli, sxemalarni ishga layoqatliligini saqlab qolish maqsadida keng ishchi sharoitlar diapazonida temperaturaga barqaror tayanch kuchlanish manbayi qo'llaniladi. U R5, VD1, VD2, R4 lardan iborat bo'lgan kuchlanish bo'lgichi va VT5, RO dan tuzilgan emitter qaytargichdan tashkil topgan. VD1 va VD2 diodlar tranzistorning UBE kuchlanishi o'zgarganda Io
toki o'zgarishi hisobiga temperatura o'zgarishini kompensatsiyalaydilar. RO rezistor VT5 tranzistor emitter toki qiymatini oshirish uchun xizmat qiladi va natijada, uning tok bo’yicha kuchaytirish koeffitsienti ortib, chastota parametrlari yaxshilanadi. Odatda bitta U() manba yagona kristalda joylashgan bir necha (5—10 tagacha) EBM elementlarni tayanch kuchlanish bilan ta’minlaydi.
EBM elementlar o‘ta yuqori tezlikda ishlovchi tizimlar uchun negiz hisoblanadi. Elementlarni montaj usulda birlashtirish yo'li bilan turli funksiyalarni amalga oshirish imkoniyati tug'iladi.
Aytaylik, montaj usuli bilan ikkita EBMning inverslamaydigan chiqishlari birlashgan bo'lsin (12.9-rasm).
12.9-rasm. Ikkita EBM ME chiqishlarining birgalikda ulanishi.
Agar elementlardan biri Fl funksiyani, ikkinchisi esa F2 ni bajarayotgan bo'lsa, u holda birlashgan Z chiqishda Z = Fl + F2 amali, ya’ni “Montajli YOKI” bajariladi. Bundan montaj usuli bilan ikkita EBMning inverslamaydigan chiqishlari birlashsa
Z = (X1 + X2) + (X3 + X4) = XI + X2 + X3 + X4 amalni bajaruvchi, ya’ni kirishlar soni ortishiga ekvivalent element hosil bo'lishi ko'rinib turibdi.
Sxemada XI va X2 kirishlar birinchi MEga, X3 va X4 kirishlar esa ikkinchi MEga tegishli. Inverslaydigan kirishlarini birlashtirsak, HAM-YOKI-EMAS amalini bajaruvchi MEga ega bo'lamiz.
Z = (X 1 + X2) + (ХЗ + X4) = (XI + X2 + X3 + X4) ■
EBM element funksional imkoniyatlarini kengaytirishga misol qilib tok qayta ulagichlarining zinasimon (ko‘p yarusli, daraxtsimon) ulanishini keltirishimiz mumkin. Bunda sochilish quwati kamayadi va KIS kristalida sxema egallaydigan sirt yuzasi kichrayadi.
Ikki zinali EBM sxemasi 12.10-rasmda keltirilgan (chiqishida emitter qaytargichlar ko'rsatilmagan).
Sxema uchta tok qaytargichdan tashkil topgan, ular: VT1 va VT1Z differensial juftlikdan iborat pastki zina qayta ulagichi va VT2 — VT2Z va VT3 — VT3Z differensial juftliklardan tashkil topgan yuqori zina qayta ulagichlari.
Pastki zina tok qayta ulagichi X3 signali yordamida, yuqori zina tok qaytargichlari esa XI va X2 signallari bilan boshqariladi. Yuqori zinadagi har bir qayta ulagich pastki zina qayta ulagichi yelkalaridan birini tashkil etadi.
Qayta ulanish toki VT4 tranzistorda tuzilgan tok generatoridan beriladi. Tok qiymati manba kuchlanishi EM, tayanch kuchlanishi Евча rezistor R4qarshiligi bilan belgilanadi. Sxema amalga oshirayotgan mantiqiy funksiya turini aniqlaymiz.
|
| |
