|
Muhammad al-xorazmiy nomodagi toshkent axborot texnologiyalari universiteti
|
| bet | 15/18 | | Sana | 08.12.2023 | | Hajmi | 97,83 Kb. | | #114068 |
Bog'liq Kompyuter injineringi fakulteti elektronika va sxemalar fanidan -fayllar.orgTranzistor (
inglizcha
: transfer — koʻchirmoq va
rezistor) —
elektr
tebranishlarni kuchaytirish, generatsiyalash (hosil qilish) va
oʻzgartirish uchun moʻljallangan 3 elektrodli yarimoʻtkazgich asbob hamda
mikroelektronika qurilmalarining asosiy elementi.
Tranzistorlar tuzilishi, ishlash prinsipi va parametrlariga koʻra 2 ta sinfga
ajratiladi — bipolyar va maydoniy (unipolyar) tranzistorlar. Bipolyar
tranzistorlarda ikkala turdagi (
p-tipli
va
n-tipli
) oʻtkazuvchanlikka ega boʻlgan
yarimoʻtkazgichlar ishlatiladi. Bipolyar tranzistor, oʻzaro yaqin joylashgan
p-n
oʻtish
hisobiga ishlaydi va baza-emitter oʻtishi orqali tokni boshqaradi. Maydoniy
tranzistorlarda faqat bir turdagi (n-tipli yoki p-tipli) yarimoʻtkazgichlar ishlatiladi.
Bunday tranzisorlarning bipolyar tranzistorlardan asosiy farqi shundaki, ular
kuchlanishni boshqaradi, tokni emas. Kuchlanishni boshqarish zatvor va istok
orasidagi kuchlanishni oʻzgartirish orqali amalga oshiriladi.
Hozirgi kunda analog texnikalar olamida bipolyar tranzistorlar (BT) (xalqaro
atama — BJT, Bipolar Junction Transistor) asosiy oʻrinni egallagan. Raqamli
texnikalar sohasida esa, aksincha maydoniy tranzistorlar bipolyar tranzistorlarni
siqib chiqargan. Oʻtgan asrning 90-yillarida, hozirgi davrda ham elektronikada
keng miqyosda qoʻllanilayotgan bipolyar-maydoniy tranzistorlarning gibrid
koʻrinishi — IGBT ishlab chiqildi.
1956-yilda tranzistor effektini tadqiq qilgani uchun
William Shockley
,
John
Bardeen
va
Walter Brattain
fizika boʻyicha
Nobel mukofoti
bilan taqdirlanishgan.
1980-yilga kelib, oʻzining kichik oʻlchamlari, barqaror ishlashi, iqtisodiy jihatdan
arzonligi hisobiga tranzistorlar elektronika sohasidan elektron lampalarni siqib
chiqardi. Shuningdek, kichik kuchlanish va katta toklarda ishlay olish qobiliyati
tufayli,
elektromagnit rele
va mexanik uzib-ulagichlarga ehtiyoj qolmadi.
Elektron sxemalarda tranzistor „VT“ yoki „Q“ harflari bilan hamda joylashgan
oʻrniga muvofiq indeks bilan belgilanadi. Masalan, VT15. Rus tilidagi adabiyotlar
va hujjatlarda esa XX asrning 70-yillariga qadar „T“, „PP“ (poluprovodnikoviy
pribor) yoki „PT“ (poluprovodnikoviy triod) kabi belgilanishlar ham ishlatilgan.
|
| |
