Muhammad al-xorazmiy nomodagi toshkent axborot texnologiyalari universiteti

Download 97,83 Kb.
bet	15/18
Sana	08.12.2023
Hajmi	97,83 Kb.
	#114068

Bog'liq
Kompyuter injineringi fakulteti elektronika va sxemalar fanidan -fayllar.org
254-Article Text-881-1-10-20210825, Наманган давлат университет3, 3-mustaqil ish YK, 1-mavzu. Axborot – kommunikatsion texnologiyalarining tushunchas, Презентация (1), Текисликда тўғри чизиқ ва унинг тенгламалари, resume Bekzod, 4P va 15P 2 topshiriq1, Operatsion tizimlar xavfsizligi” mavzusida Mustaqil ishi, Xonimqulov Bobosher kurs ishi, badiy asarlarda quwma otning iwlatiliw hususyatlari., Azimov Aziz, 6.2. Pul tizimining elementlari, 1-kurs ilovalar(1), L-Exam-Essentials-T6

Tranzistor ( inglizcha : transfer — koʻchirmoq va rezistor) — elektr tebranishlarni kuchaytirish, generatsiyalash (hosil qilish) va oʻzgartirish uchun moʻljallangan 3 elektrodli yarimoʻtkazgich asbob hamda mikroelektronika qurilmalarining asosiy elementi. Tranzistorlar tuzilishi, ishlash prinsipi va parametrlariga koʻra 2 ta sinfga ajratiladi — bipolyar va maydoniy (unipolyar) tranzistorlar. Bipolyar tranzistorlarda ikkala turdagi ( p-tipli va n-tipli ) oʻtkazuvchanlikka ega boʻlgan yarimoʻtkazgichlar ishlatiladi. Bipolyar tranzistor, oʻzaro yaqin joylashgan p-n oʻtish hisobiga ishlaydi va baza-emitter oʻtishi orqali tokni boshqaradi. Maydoniy tranzistorlarda faqat bir turdagi (n-tipli yoki p-tipli) yarimoʻtkazgichlar ishlatiladi. Bunday tranzisorlarning bipolyar tranzistorlardan asosiy farqi shundaki, ular kuchlanishni boshqaradi, tokni emas. Kuchlanishni boshqarish zatvor va istok orasidagi kuchlanishni oʻzgartirish orqali amalga oshiriladi. Hozirgi kunda analog texnikalar olamida bipolyar tranzistorlar (BT) (xalqaro atama — BJT, Bipolar Junction Transistor) asosiy oʻrinni egallagan. Raqamli texnikalar sohasida esa, aksincha maydoniy tranzistorlar bipolyar tranzistorlarni siqib chiqargan. Oʻtgan asrning 90-yillarida, hozirgi davrda ham elektronikada keng miqyosda qoʻllanilayotgan bipolyar-maydoniy tranzistorlarning gibrid koʻrinishi — IGBT ishlab chiqildi. 1956-yilda tranzistor effektini tadqiq qilgani uchun William Shockley , John Bardeen va Walter Brattain fizika boʻyicha Nobel mukofoti bilan taqdirlanishgan. 1980-yilga kelib, oʻzining kichik oʻlchamlari, barqaror ishlashi, iqtisodiy jihatdan arzonligi hisobiga tranzistorlar elektronika sohasidan elektron lampalarni siqib chiqardi. Shuningdek, kichik kuchlanish va katta toklarda ishlay olish qobiliyati tufayli, elektromagnit rele va mexanik uzib-ulagichlarga ehtiyoj qolmadi. Elektron sxemalarda tranzistor „VT“ yoki „Q“ harflari bilan hamda joylashgan oʻrniga muvofiq indeks bilan belgilanadi. Masalan, VT15. Rus tilidagi adabiyotlar va hujjatlarda esa XX asrning 70-yillariga qadar „T“, „PP“ (poluprovodnikoviy pribor) yoki „PT“ (poluprovodnikoviy triod) kabi belgilanishlar ham ishlatilgan. Download 97,83 Kb.

Download 97,83 Kb.