|
Geteroo‘tishli lazer diodlari, ularning
xarakteristikalari va parametrlari
|
| bet | 50/160 | | Sana | 13.01.2024 | | Hajmi | 1 Mb. | | #136728 |
Bog'liq Optik aloqa asoslari (N.Yusupov, R.Isayev)Geteroo‘tishli lazer diodlari, ularning
xarakteristikalari va parametrlari
Lazer generatsiyasi chog‘ida tok bo‘yicha va optik yo‘qotishlami kamaytirish uchun n turdagi keng energetik sohali va p turdagi tor energetik sohali yarimo'tkazgichlardan tarkib topgan geteroo‘tish- lardan foydalaniladi. Bunda hatto aynimagan yarimo'tkazgichlardan tayyorlangan o‘tishlarda ham, tor energetik sohali yarimo'tkazgich man etilgan energetik sohasining kengligiga qaraganda kattaroq to‘g‘ri yo'nalishdagi kuchlanishlarda energetik sathlaming teskari egallanganligi yuz beradi.
109
Bir tomonlama geterotuzilishli lazerlarda aktiv sohaga bevosita yondosh bo‘lgan p turdagi GaAs qatlamiga unga qaraganda kengroq energetik sohali p turdagi GaAlAs qatlami o‘stiriladi. Bunday tuzilmada aktiv soha orqali o‘tib, kovaklar bilan rekombinatsiya qilishga ulgurmagan elektronlar Al/mes balandlikka ega bo‘lgan potensial to‘siq mavjudligi tufayli keng energetik sohali p turdagi GaAlAs yarimo‘tkazgichining o'tkazuvchanlik energetik sohasiga o‘ta olmaydi. Elektronlar bu potensial to‘siqdan qaytib, qaytadan aktiv sohaga tushadi va katta ehtimollik hamda kovaklar bilan rekombinatsiya qiladi. Bu hoi generatsiya jarayoni kvant sama- radorligining muhim tarzda ortishiga olib keladi (3.16-rasm).
Bundan tashqari, geterotuzilmada to‘lqin uzatish bilan bog‘liq hodisa yuz beradi. Darhaqiqat, uch qatlamli tuzilmada n2 sindirish kohsatkichiga ega bo‘lgan aktiv soha sindirish kohsatkichlari va n3 bo‘lgan aktiv bohmagan sohalar orasiga joylashgan.
a)
n
GaAS
P
GaAs
P
GaAllxAs
Jt J И7
J V
b)
W
|
| |
