Elementning orqa sirtining yuzasi esa butunlay qoplama yoki to„rsimon qoplama
bilan qoplanadi.
Ρ – n o„tishdan elektr maydoni vositasida ajratilayotgan asosiy bo„lmagan
zaryad tashuvchilar tashqi zanjirga o„tishi kerak. Yarimo„tkazgich material frontal
sirtida (“n” tur qoplamada) zaryadlar qoplama bo„ylab harakatlansa, quyosh
elementi bazasida (“p” tipdagi materialda) ularning
harakati perpendikulyar
yo„nalishda bo„ladi.
Tayyorlanadigan omik kontaktning birinchi qatlami alyuminiydan qilinadi.
Alyuminiy “p” materialda kirishma bo„lgani uchun, u kremniyga yaxshi omik
kontakt beradi va keyin uning ustiga Ti, Pd, Ag yoki Ni va kerakli pripoy
qotishmasi qoplanadi. [1]
Ilmiy tadqiqotlar shuni ko„rsatadiki, agar frontal
yupqa qatlamga kontakt
materiali dastlab butun sirtga qoplama sifatida olinib, keyin ma‟lum shaklli rasmni
fotolitografik jarayon vositasi bilan ximik yemirish orqali bajarilsa, frontal yuzada
ko„plab mikro teshilgan hududlar paydo bo„lar ekan. Bu esa o„z navbatida, shunt
qarshiligini kamaytirib teskari to„yinish toki I
0
ni oshirib yuborar ekan. Shuning
uchun frontal kontaktlar topologiyasini niqob orqali yoki fotolitografik jarayonni
kontakt olinishidan oldin o„tkazilishi talab qilinadi.
Agar hisob – kitob aniq bo„lib, texnologik
jarayonlar mukammal bajarilsa,
Quyosh elementining volt – amper xarakteristikasi (VAX) keskin yaxshilanadi.
Quyosh elementi ishiga yorug„likning qaytish va yutilish koeffitsientlari ta‟sir
ko„rsatadi. Quyosh elementi sirtiga har xil qoplamalar qoplash bilan uning optik
xarakteristikalarini, buning oqibatida foydali ish koeffitsiyenti (FIK) ni oshirish
mumkin. Tabiiyki spektrning ishchi zonasida yorug„lik qaytishini kamaytirish
muhim hisoblanadi. Quyosh elementlarning sovitilishini ta‟minlash uchun maxsus
qoplamalar yaratish kerak. Kosmosda ishlaydigan Quyosh
batareyalari uchun bu
dolzarb masala hisoblanadi, Quyosh elementlarning sovushi faqat atrof muhitga
nurlanish hisobiga bo„ladi. [13]
