• Fotorezistor
  • O’zbekisтon respublikasi oliy va o’rтa maхsus




    Download 3,59 Mb.
    Pdf ko'rish
    bet26/99
    Sana18.05.2024
    Hajmi3,59 Mb.
    #242311
    1   ...   22   23   24   25   26   27   28   29   ...   99
    Bog'liq
    darslik avtomatika asoslari

    5.5. Fotoelektrik asboblar
    Fotoelektron asbob deb –optik nurlanish energiyasini elektr energiyasiga 
    o`zgartiruvchi asboblarga aytiladi. Optik nurlarga ultrabinafsha nurlar, ko`zga 
    ko`rinadagan nurlar va 10 nm dan 0,1 nm gacha to`lqin uzunligiga ega bo`lgan 
    infraqizil nurlar kiradi. 


    54 
    Fotoelektron asboblarni ishlashi fotoeffekt hodisasiga asoslangan. Ikki xil 
    fotoeffekt hodisasi mavjud: ichki va tashqi. 
    Ichki fotoeffekt – nurlanish natijasida elementlardagi elektronlarni uyg‘otish 
    ya‘ni ularning yuqori sathlariga ko`tarilishi. Buning natijasida zaryad tashuvchilar 
    konsentratsiyasi va elementning elektr xususiyati o`zgaradi. Metallarda ichki 
    fotoeffekt kuzatilmaydi. U faqat yarim o`tkazgichgagina taalluqli. 
    Ichki fotoeffekt bir jinsli yarim o`tkazgichlarda elektr o`tkazuvchanlik 
    o`zgarishi va bir jinsli bo`lmagan yarim o`tkazgichlarda elektr yurituvchi kuch 
    hosil bo`lishi bilan ko`riladi. Bu fotorezistorlarda, fotodiodlarda, fototranzistorlarda 
    va boshqa fotoelektrik asboblarda qo`llaniladi.
    Tashqi fottoeffekt – fotoelektron emmisiya bo`lib, ya‘ni nurlanish ta‘sirida 
    elektronlarni element tashqarisiga chiqishidir. Fotoelektron emmisiya katta yoki 
    kichik miqdorda barcha elementlarda sodir bo`lishi mumkin. Tashqi fotoeffekt 
    vakuum va gaz zaryadli fotoelektronlarda, hamda fotoelektron ko`paytirgichlarda 
    qo`llaniladi.
    Fotorezistor
    – yarim o`tkazgich fotoelektrik asbob bo`lib, bunda foto 
    o`tkazuvchanlik hodisasi qo`llaniladi, ya‘ni optik nurlanish ta‘sirida yarim 
    o`tkazgichni elektr o`tkazuvchanligi o`zgaradi.
    Fotorezistor tuzilishi 5.14- rasmda ko`rsatilgan bo`lib, 1-plyonka yoki plastik 
    va 2-dielektrik materialdan yasalgan. 
    5.14- rasm. Fotorezistorning tuzilishi va ulanish sxemasi. 
    Fotorezistorning asosiy kattaliklari uning sezgirligi, qorongulik qarshiligi va 
    ishchi kuchlanishi hisoblanadi. 
    Fotorezistorning sezgirligi qiyidagi ifoda orqali aniqlanadi va u 20 A/lm ga 
    teng bo`lishi mumkin: 
    ф
    I
    S
    ф
    i

    , ( 5.5)
    Qorong‘ulik qarshiligi – yoritilmagan fotorezistorlarning qarshiligi qiymatiga 


    55 
    teng diapazonga ega: R
    k
    =10
    2

    10
    9
    Om; 
    Ishchi kuchlanishi fotorezistor o`lchamlariga bog‘liq, ya‘ni elektronlar 
    orasidagi masofaga bog‘liq ravishda 1-1000 V gacha tanlanadi.
    Shuni ta‘kidlash kerakki, fotorezistorlarning kattaliklari, tashqi muhit ta‘sirida 
    o`zgaradi. Fotorezistorlar afzalligi: yuqori sezgirligi, nurlanishning infraqizil 
    qismida qo`llash mumkinligi, o`lchamlari kichikligi va doimiy tok va o`zgaruvchan 
    tok zanjirlarida qo`llash mumkinligi. 
    Fotodiod 
    yarim o`tkazgichli fotoelement asbob bo`lib, bitta elektron-
    kovakli o`tishga va ikkita chiqishga egadir. Fotodiodlar ikki xil rejimda ishlashi 
    mumkin: 1) tashqi elektr energiya manbaisiz (fotogenerator rejimida); 2) tashqi 
    elektr energiya manbai yordamida (fotoo`zgartgich rejimida) (5.15- rasm)
    .
    5.15- rasm. Fotodiodning tuzilishi 

    Download 3,59 Mb.
    1   ...   22   23   24   25   26   27   28   29   ...   99




    Download 3,59 Mb.
    Pdf ko'rish

    Bosh sahifa
    Aloqalar

        Bosh sahifa



    O’zbekisтon respublikasi oliy va o’rтa maхsus

    Download 3,59 Mb.
    Pdf ko'rish