1.8. Donorvəakseptorsəviyyələri İstənilən təmiz yarımkeçiricidə aşqar atomları mövcuddur. Bu aşqar atomları öz məxsusi enerji səviyyələrini yaradır ki, bunlar da aşqar səviyyələri adlanır. Bu aşqar səviyyələri əsasən qadağan zonasının daxilində yerləşir. Bir çox hallara yarımkeçirici materiallara aşqarlar onların xaassələrini dəyişmək üçün vurulur.
Donorsəviyyələri. Fərz edək ki, Ge kristalında atomların bir hissəsi V qrup elementi (P, Sb, As) ilə əvəz olunmuşdur. Ge almas tipli kubik qəfəsə malikdir və hər bir atom dörd yaxın qonşu atomla əhatə olunmuşdur. Bu atomlar arasında kovalent rabitə mövcuddur. Ge atomu hər bir qonşusundan bir valent elektronu qəbul edir, eyni zamanda öz 4 valent elektronunu qonşu atomlarla bölüşür. V qrup elementi məsələn, As 5 valent elektronuna malikdir. Onlardan dördü qonşu Ge atomları ilə əlaqəyə giri və biri artıq qalır (şək.1.8.1). Bu artıq elektron öz atomu ilə çox zəif əlaqədə olur və onun aktivləşmə enerjisi çox kiçik olur. Elektrona bu enrji verildikdə o, Ge kristalında sərbəst hərəkət edir və keçiricilikdə iştirak edir.
Zona nəzəriyyəsi baxımından As atomunun beşinci elektronunun enerji səviyyəsi qadağan zonasında keçirici zonanın dibinə yaxın yerləşir. Keçirici zonanın dibindən onun məsafəsi olur. Bu enerji səviyyələrində yerləşən elektronlara enerjisi verildikdə, onlar keçirici zolağa keçir. Bu zaman yaranan və As atomunda lokallaşan müsbət yük elektrik keçiriciliyində iştirak etmir.
Şək.1.8.1.
Keçirici zolağı elektronlarla təmin edən aşqarlar donor, onların yaratdığı enerji səviyyələri isə donor səviyyələri adlanır. Donor aşqarlı yarımkeçirici donor və ya n-tip yarımkeçirici adlanır.
olur. Bu enerji səviyyələrində yerləşən elektronlara 
enerjisi verildikdə, onlar keçirici zolağa keçir. Bu zaman yaranan və As atomunda lokallaşan müsbət yük elektrik keçiriciliyində iştirak etmir.
