Raqamli texnologiyalar vazirligi muhammad al xorazmiy nomidagi toshkent axborot

14 
14 
induksiyalangan MDYa–tranzistorlar qo‘llaniladi. Tranzistor kanallari p
- 
va 
n– 
turli 
bo‘lishi mumkin. MDYa–tranzistorlar faqat tranzistorlar sifatida emas, balki 
kondensatorlar va rezistorlar sifatida ham qo‘llaniladi, ya‘ni barcha sxema 
funksiyalari birgina MDYa – tuzilmalarda amalga oshiriladi. Agar dielektrik sifatida 
SiO
2
qo‘llanilsa, u holda bu tranzistorlar MOYa–tranzistorlar deb ataladi. MDYa – 
tuzilmalarni yaratishda elementlarni bir – biridan izolyatsiya qilish operatsiyasi 
mavjud emas, chunki qo‘shni tranzistorlarning istok va stok sohalari bir–biriga 
yo‘nalgan tomonda ulangan p
-n 
o‘tishlar bilan izolyatsiyalangan. Shu sababli 
MDYa–tranzstorlar bir–biriga juda yaqin joylashishi mumkin, demak katta zichlikni 
ta‘minlaydi. 
Bipolyar va MDYa IMSlar 
planar 
yoki 
planar – epitaksial 
texnologiyada 
yasaladi. 
Planar texnologiyada 
n-p–n 
tranzistor tuzilmasini yasashda p–turdagi yarim 
o‘tkazgichli plastinaning alohida sohalariga teshiklari mavjud bo‘lgan maxsus 
maskalar orqali mahalliy legirlash amalga oshiriladi. Maska rolini plastina sirtini 
egallovchi kremniy ikki oksidi SiO
2
o‘ynaydi. Bu pardada maxsus usullar 
(fotolitografiya) yordamida darcha deb ataluvchi teshiklar shakllanadi. Kiritmalar 
yoki diffuziya (yuqori temperaturada ularning konsentratsiya gradienti ta‘sirida 
kiritma atomlarini yarim o‘tkazgichli asosga kiritish), yoki ionli legirlash yordamida 
amalga oshiriladi. Ionli legirlashda maxsus manbalardan olingan kiritma ionlari 
tezlashadi va elektr maydonda fokuslanadilar, asosga tushadilar va yarim 
o‘tkazgichning sirt qatlamiga singadilar. 
Planar texnologiyada yasalgan yarim o‘tkazgichli bipolyar tuzilmali IMS 
namunasi va uning ekvivalent elektr sxemasi 15 
a, b 
- rasmda keltirilgan. 
Diametri 76 mmli yagona asosda bir varakayiga usulda bir vaqtning o‘zida 
har biri 10 tadan 2000 ta element (tranzistorlar, rezistorlar, kondensatorlar)dan 
tashkil topgan 5000 mikrosxema yaratish mumkin. Diametri 120 mm bo‘lgan 
plastinada o‘nlab milliontagacha element joylashtirish mumkin. 
Zamonaviy IMSlar qotishmali planar – epitaksial texnologiyada yasaladi. Bu 
texnologiya planar texnologiyadan shunisi bilan farq qiladiki, barcha elementlar p– 
turdagi asosda o‘stirilgan 
n
–turdagi kremniy qatlamida hosil qilinadi. Epitaksiya deb 
kristall tuzilmasi asosnikidan bo‘lgan qatlam o‘stirishga aytiladi. 
a) 
b) 
 
15– rasm. 

15 
15 
Planar – epitaksial texnologiyada yasalgan tranzistorlar ancha tejamli, hamda 
planarliga nisbatan yaxshilangan parametr va xarateristikalarga ega. 
Buning uchun asosga epitaksiyadan avval 
n
+
 
- qatlam kiritiladi (16 - rasm). 
Bu holda tranzistor orqali tok kollektordagi yuqoriomli rezitordan emas, balki 
kichikomli 
n
+
 
- qatlam orqali oqib o‘tadi. 
16– rasm. 
Mikrosxema turli elementlarini elektr jihatdan birlashtirish uchun 
metllizatsiyalash qo‘llaniladi. Metallizatsiyalash jarayonida oltin, kumush, xrom 
yoki alyuminiydan yupqa metall pardalar hosil qilinadi. Kremniyli IMSlarda 
metallizatsiyalash uchun alyuminiydan keng foydalaniladi. 
Sxemotexnik belgilariga ko‘ra mikrosxemalar ikki sinfga bo‘linadi. 
IMS bajarayotgan asosiy vazifa – elektr signali (tok yoki kuchlanish) ni 
ko‘rinishida berilayotgan axborotni qayta ishlash hisoblanadi. Elektr signallari 
uzluksiz (analog) yoki diskret (raqamli) shaklda ifodalanishi mumkin. 
Shu sababli, analog signallarni qayta ishlaydigan mikrosxemalar – 

Download 0,65 Mb.