• MDYa – tranzistorlar.
  • Raqamli texnologiyalar vazirligi muhammad al xorazmiy nomidagi toshkent axborot




    Download 0,65 Mb.
    Pdf ko'rish
    bet12/14
    Sana08.06.2024
    Hajmi0,65 Mb.
    #261652
    1   ...   6   7   8   9   10   11   12   13   14
    Bog'liq
    Elektronika va sxemalar 2

    Kondensatorlar. 
    Bipolyar tranzistorli IMSlarda teskari yo‘nalishda siljigan 
    p
    –n 
    o‘tishlar asosida yasalgan kondensatorlar qo‘llaniladi. Kondensatorlarning 
    shakllanishi yagona texnologik siklda tranzistor va rezistorlar tayyorlash bilan bir 
    vaqtning o‘zida amalga oshiriladi. Demak ularni yasash uchun qo‘shimcha 
    texnologik amallar talab qilinmaydi. 
    MDYa – tranzistorlar. 
    IMSlarda asosan zatvori izolyatsiyalangan va kanali 


    14 
    14 
    induksiyalangan MDYa–tranzistorlar qo‘llaniladi. Tranzistor kanallari p

    va 
    n– 
    turli 
    bo‘lishi mumkin. MDYa–tranzistorlar faqat tranzistorlar sifatida emas, balki 
    kondensatorlar va rezistorlar sifatida ham qo‘llaniladi, ya‘ni barcha sxema 
    funksiyalari birgina MDYa – tuzilmalarda amalga oshiriladi. Agar dielektrik sifatida 
    SiO
    2
    qo‘llanilsa, u holda bu tranzistorlar MOYa–tranzistorlar deb ataladi. MDYa – 
    tuzilmalarni yaratishda elementlarni bir – biridan izolyatsiya qilish operatsiyasi 
    mavjud emas, chunki qo‘shni tranzistorlarning istok va stok sohalari bir–biriga 
    yo‘nalgan tomonda ulangan p
    -n 
    o‘tishlar bilan izolyatsiyalangan. Shu sababli 
    MDYa–tranzstorlar bir–biriga juda yaqin joylashishi mumkin, demak katta zichlikni 
    ta‘minlaydi. 
    Bipolyar va MDYa IMSlar 
    planar 
    yoki 
    planar – epitaksial 
    texnologiyada 
    yasaladi. 
    Planar texnologiyada 
    n-p–n 
    tranzistor tuzilmasini yasashda p–turdagi yarim 
    o‘tkazgichli plastinaning alohida sohalariga teshiklari mavjud bo‘lgan maxsus 
    maskalar orqali mahalliy legirlash amalga oshiriladi. Maska rolini plastina sirtini 
    egallovchi kremniy ikki oksidi SiO
    2
    o‘ynaydi. Bu pardada maxsus usullar 
    (fotolitografiya) yordamida darcha deb ataluvchi teshiklar shakllanadi. Kiritmalar 
    yoki diffuziya (yuqori temperaturada ularning konsentratsiya gradienti ta‘sirida 
    kiritma atomlarini yarim o‘tkazgichli asosga kiritish), yoki ionli legirlash yordamida 
    amalga oshiriladi. Ionli legirlashda maxsus manbalardan olingan kiritma ionlari 
    tezlashadi va elektr maydonda fokuslanadilar, asosga tushadilar va yarim 
    o‘tkazgichning sirt qatlamiga singadilar. 
    Planar texnologiyada yasalgan yarim o‘tkazgichli bipolyar tuzilmali IMS 
    namunasi va uning ekvivalent elektr sxemasi 15 
    a, b 
    - rasmda keltirilgan. 
    Diametri 76 mmli yagona asosda bir varakayiga usulda bir vaqtning o‘zida 
    har biri 10 tadan 2000 ta element (tranzistorlar, rezistorlar, kondensatorlar)dan 
    tashkil topgan 5000 mikrosxema yaratish mumkin. Diametri 120 mm bo‘lgan 
    plastinada o‘nlab milliontagacha element joylashtirish mumkin. 
    Zamonaviy IMSlar qotishmali planar – epitaksial texnologiyada yasaladi. Bu 
    texnologiya planar texnologiyadan shunisi bilan farq qiladiki, barcha elementlar p– 
    turdagi asosda o‘stirilgan 
    n
    –turdagi kremniy qatlamida hosil qilinadi. Epitaksiya deb 
    kristall tuzilmasi asosnikidan bo‘lgan qatlam o‘stirishga aytiladi. 
    a) 
    b) 
     
    15– rasm. 


    15 
    15 
    Planar – epitaksial texnologiyada yasalgan tranzistorlar ancha tejamli, hamda 
    planarliga nisbatan yaxshilangan parametr va xarateristikalarga ega. 
    Buning uchun asosga epitaksiyadan avval 
    n
    +
     
    - qatlam kiritiladi (16 - rasm). 
    Bu holda tranzistor orqali tok kollektordagi yuqoriomli rezitordan emas, balki 
    kichikomli 
    n
    +
     
    - qatlam orqali oqib o‘tadi. 
    16– rasm. 
    Mikrosxema turli elementlarini elektr jihatdan birlashtirish uchun 
    metllizatsiyalash qo‘llaniladi. Metallizatsiyalash jarayonida oltin, kumush, xrom 
    yoki alyuminiydan yupqa metall pardalar hosil qilinadi. Kremniyli IMSlarda 
    metallizatsiyalash uchun alyuminiydan keng foydalaniladi. 
    Sxemotexnik belgilariga ko‘ra mikrosxemalar ikki sinfga bo‘linadi. 
    IMS bajarayotgan asosiy vazifa – elektr signali (tok yoki kuchlanish) ni 
    ko‘rinishida berilayotgan axborotni qayta ishlash hisoblanadi. Elektr signallari 
    uzluksiz (analog) yoki diskret (raqamli) shaklda ifodalanishi mumkin. 
    Shu sababli, analog signallarni qayta ishlaydigan mikrosxemalar – 

    Download 0,65 Mb.
    1   ...   6   7   8   9   10   11   12   13   14




    Download 0,65 Mb.
    Pdf ko'rish

    Bosh sahifa
    Aloqalar

        Bosh sahifa



    Raqamli texnologiyalar vazirligi muhammad al xorazmiy nomidagi toshkent axborot

    Download 0,65 Mb.
    Pdf ko'rish