|
Bosma platalarni tayyorlash usullari
|
| bet | 2/3 | | Sana | 13.01.2024 | | Hajmi | 20,79 Kb. | | #136495 |
Bog'liq Bosma plata tayyorlash metodlarni o Bosma platalarni tayyorlash usullari.
Bosma plata tasvirini olish usullari. BP tayyorlashning ko‘plab sanoat usullari (kimyoviy, kombinatsiyalangan pozitiv, elektrokimyoviy, fotoadditiv va tenting usullari) ikkita asosiy bosqichlar - elektron sxema tasvirini olish va unga o‘tkazuvchanlik xususiyatlarini berish (o‘tkazuvchan tasvir) bosqichlarini o‘z ichiga oladi. 4.1-rasmda platani u yoki bu usulda tayyorlashni keyingi sintezlash uchun BP tasvirini va o‘tkazuvchi tasvirini olish usullarini tahlil qilishga tizimli yondashuv taklif etiladi. Tasvir va o‘tkazuvchi tasvirni olish usullarini, ularning ruxsat etish qobiliyatini, mexanizatsiyalash darajasini bilish bilan BPlarni tayyorlashning ma’lum usullaridan birini tanlash yoki BPning berilgan aniqlik sinfi va tayyorlash hajmi uchun yangi usulni sintezlash mumkin. Bosma sxemani tasvirini olish usullari texnologiyalarini ko‘rib chiqamiz (4.1-4.2-rasmlar). 46 Fotografik usul. Usulning mohiyati sirti fotorezist yorug‘likka sezgir qatlam bilan qoplangan BP ishlanmasiga asbobdan (fotoshablondan) bosma sxemaning tasvirini o‘tkazish hisoblanadi (4.2a-rasm). Ko‘rsatish kontaktli bosish usulida amalga oshiriladi, ya’ni fotoshablon BP ishlanmasi bilan bo‘shliqsiz birlashtiriladi. Ishlanma va fotoshablon moslamaning taglik teshiklari va shtirlari yordamida bir-birlariga nisbatan to‘g‘ri
Bosma plataning o‘tkazuvchi tasvirini olish.
Kimyoviy usul - kimyoviy tozalash . Usulning mohiyati bosma sxemaning o‘tkazmaydigan (bo‘shliqlar) tasviri zonasida misni olib tashlash (kimyoviy tozalash) hisoblanadi (4.3a-rasm). Bunda o‘tkazuvchan tasvir fotorezist, bo‘yoq yoki metall qarshilik (qalay, qalay-qo‘rg‘oshin) niqobi bilan himoyalangan bo‘lishi kerak. Misdan kimyoviy tozalashda bo‘sh joylar zonasida surtishda folga va dastlabki metalllashtirish qatlami olib tashlanadi (agar u BP ishlanmasiga surtilgan bo‘lsa). Kimyoviy tozalash murakkab oksidlanish-qayta tiklanish jarayoni bo‘lib, unda temir xlorid (FeCl3), mis xlorid (CuCl2) yoki ammoniy persulfat [(NH4)2S2O8] asosidagi eritmalar oksidlovchi moddalar bo‘lib xizmat qiladi Kimyoviy usul - O‘tqazish. Usulning mohiyati misni keyingi galvanik o‘stirish uchun nimqatlam sifatida yoki qalin qatlamli kimyoviy mislashtirish yo‘li bilan asosiy qatlam sifatida o‘tkazuvchi tasvir zonasida misni dielektrikka o‘tqazish hisoblanadi (4.3b-rasm). Nimqatlam sifatida o‘tqazilgan mis 0,25-1,0 mkm (2,0-3,0 mkmgacha bo‘lishi mumkin) qalinlikka ega va keyingi galvanik o‘stiriishda BP ishlanmasini elektrolitik vannaning katodiga ulash uchun xizmat qiladi. Kimyoviy o‘tqazishdielektrikning aktivlashtirilgan sirtida ikki valentli mis ionlarining qayta tiklanishi tufayli mis sulfat (CuSO4) asosidagi eritmada 1-2 mkm/soat tezlikda bo‘lib o‘tadi. Dielektrikni aktivlashtirish qalay dixlorid (SnCl2) - sensibilizatsiya va palladiy dixlorid (PdCl2) - aktivtirishning kombinatsiyalangan eritmasida amalga oshiriladi. Eritma xlorid kislota (HCl) va kaliy xloridga (KCl) ham ega bo‘ladi. Qalin qatlamli kimyoviy mislashtirish o‘tqazish tezligini (2 mkm/soat yoki undan katta) oshirishni va jarayonni avtomatik boshqarish tizimidan foydalanishni talab qiladi. Misning kimyoviy o‘tqazishda o‘tkazuvchi tasvirning geometriyasi niqobning barqarorligiga va uning qalinligiga bog‘liq. Yupqa niqobdan o‘tqaziladigan mis yon tomonga o‘sishi mumkin. Elektr-kimyoviy usul – o‘stirish. Usulning mohiyati kimyoviy
Bosma platalarni kimyoviy tayyorlash.
Kimyoviy usul. Boshlang‘ich materiallar folga bilan qoplangan dielektriklar (GF, SF, STF, FTS, FR va boshqalar) bo‘lganda qo‘llaniladi. Mahalliy materiallarning qisqartmasida “F” harfi “folga bilan qoplangan” degan ma’noni anglatadi. Materiallar sinfiga misol: SF-1-35, bu yerda SF - folga bilan qoplangan shisha-tekstolit; 1 - bir tomonlama folga bilan qoplangan; folganing qalinligi - hf = 35 mkm. Kimyoviy usulning mohiyati (subtraktiv usul - subtratio (lot.) – “ayirish, olib tashlash”) o‘tkazuvchan bo‘lmagan tasvirni hosil qiladigan zonalarda, ya’ni bo‘sh joylarda folgani olib tashlash (folgadan kimyoviy tozalash) orqali o‘tkazuvchi tasvirni hosil qilish hisoblanadi (4.2-jadval, 3-bosqich). Bunda bo‘lajak o‘tkazuvchi tasvirni fotografik usulda surtiladigan fotorezistdan tayyorlangan (4.2a-rasm) yoki to‘siq-grafik usulda surtiladigan bo‘yoqdan tayyorlangan (4.2b-rasm) niqob bilan himoyalaydi Kimyoviy tozalash uchun temir xlorid (FeCl3), mis xlorid (CuCl2), ammoniy persulfat (NH4)2S2O8 asosidagi tozalagichlar va boshqa ba’zi tozalagichlar ishlatiladi. Tozalagichlar va kimyoviy tozalash sharoitlariga (harorat, misning to‘yinganligiga) bog‘liq ravishda kimyoviy tozalash tezligi 20–35 mkm/min chegaralarda o‘zgaradi. Kimyoviy tozalash sifati o‘tkazuvchi tasvirning yon tozalanishi qiymati bilan tavsiflanadi, u purkab kimyoviy tozalashda 0,75 hf ni tashkil qiladi. Tor joylarni hisoblashda va fotoshablonlardagi tasvir geometriyasini aniqlashda kimyoviy tozalashni hisobga olish kerak: tmin = t 1min + 1,5hf ; Dmin = D1min + 1,5hf , (4.1) bu yerda t1min - BPlarning aniqlik sinfida berilgan yoki bosma sxemani elektr hisoblash asosida olingan signallar o‘tkazgichning dastlabki minimal kengligi; D1min – montaj qilish yoki o‘tish teshigi zonasidagi doiraviy kontakt maydonchasining minimal ruxsat etiladigan diametri. t1min va D1min qiymatlarni keyingi kamaytirishda mexanik, kimyoviy va issiqlik ta’sirlarida dielektrikga yopishtirilgan folganing yopishish mustahkamligi omilini hisobga olish
|
| |
