Rasm.4. Har xil birikmalar asosidagi qatlamlar olingan kremniydan tayyorlangan quyosh elementlari qaytarish koeffitsientining spektral o‘zgarishi. 1- qatlamsiz; 2 – SiO ( d = 0,15 mkm); 3 – ZnS ( d = 0,15 mkm) + kremniy organik lak (ℓ = 50 mkm); 4 - ZnS ( d = 0,15 mkm) + kremniy organikli kauchuk + shisha plastina (ℓ = 0,5 mm); 5 – ideal sovutilgan hol. Piroliz usuli balan akslanish9ni kamaytiruvchi qatlamlar olish usulini SnO
2
misolida ko‘rib o‘tamiz. SnO
2
asosidagi akslanishni kamaytiruvchi qatlamning
yaxshi tomonlaridan biri uning legirlash imkoniyati mavjudligidadir. Natijada
uning elektr tokiga qarshiligini minglab marotaba o‘zgartirish mumkin. Bu birikma
ximiyaviy ta’sirga o‘ta chidamlidir. Bu qoplamani olish texnologiyasi Sncl
2
va
Sncl
4
birikmalaridan 450-600 oS da piroliz qilishga asoslangan. Rasmda SnO
2
ni
piroliz qilish usuli ko‘rsatilgan. Bu oksid tarkibiga p-tip material olish uchun ftor
(G‘) va r-tip material olish uchun surma (Sb) kiritiladi.Natijada keltirilgan sirt
qarshiligini 10 Om/sm
-3
gacha tushirish mumkin. SHishaga olingan qalay oksidi
tahlili shuni ko‘rsatadiki qalinligi 750-1100 oA bo‘lganda ham shaffoflik
koeffitsientini 95 % etkazish mumkin. +arshilikni kamaytirish hisobiga esa QE ga
olinadigan kontaktni bevosita akslanishni kamaytiruvchi qoplama ustiga olish
imkoniyati tug‘iladi.
VI. FOYDALANGAN ADABIYOTLAR I. Maxsus adabiyotlar 1. И.И. Мартиненко, В.И. Авесенко. Проектирование систем автоматики. М.
Агропромиздат 2000 г. 223 с.
2. М.З.Ганкин. Комплексная автоматизатсия и АСУТП водохозяйственних
систем. М. Агропромиздат 2001 г . 432 с.
