|
§ 6.2. Bipolyar tranzistorlarning statik xarakteristikalari
|
| bet | 33/125 | | Sana | 16.11.2023 | | Hajmi | 4,71 Mb. | | #99646 |
Bog'liq ENG SO\'NGGI Birinchi qism tipografiya uchun (1)§ 6.2. Bipolyar tranzistorlarning statik xarakteristikalari
Tranzistorlar uchun to’rt xil - kirish, chiqish, to’g’ri va teskari o’tish (bog’lanish) xarakteristikalar tizimi mavjud.
Kirish xarakteristikalar tizimi tranzistorning kirish tokining kirish kuchlanishiga bog’lanishini, chiqish xarakteristikalari tizimni chiqish tokining chiqish kuchlanishiga bog’lanishnii ifodalaydi. To’g’ri o’tish xarakteristikalar tizimni chiqish tokining kirish kuchlanishi bilan bog’lanishiga asoslanib, tranzistorning kuchaytirish xususiyatlarini ifodalaydi. Teskari o’tish xarakteristikalar tizimni esa, kirish kuchlanishiga chiqish kuchlanishning ta’sirini, ya’ni tranzistordagi ichki teskari bog’lanishni ifodalaydi va tranzistor ishining nostabilligini xarakterlaydi.
Tranzistorli sxemalarni o’rganishda kirish va chiqish xarakteristikalar tizimi katta ahamiyatga ega. Shuning uchun bu xarakteristikalarni tranzistorning UB va UE ulanish sxemalari uchun aniqlaymiz.
Tranzistorning UB sxema uchun kirish xarakteristikasi deganda kollektor kuchlanishi yoki toki o’zgarmas bo’lgandagi emitter tokining emitter kuchlanishiga bog’liqligi tushuniladi:
IE = f1(UE)/UkIk =const (6.12)
Bunda Uk va Ue kuchlanishlarning qiymati umumiy sim - bazaga nisbatan aniqlanadi. Shuning uchun «b» indeks tushurib qoldirilgan, ya’ni Ueb, Ukb o’rniga oddiy Ue va Uk deb yozilgan.
(6.12) ifodaning grafigi 6.2a-rasmda ko’rsatilgan. Uk=0 bo’lgandagi grafik yarim o’tkazgichli diodning to’g’ri ulanish xarakteristikasining o’zidir (6.1-rasm).
Kollektordagi manfiy kuchlanishning ortishi bilan xarakteristika emitter tokining katta qiymatlari sohasiga siljiydi. Sababi kollektor kuchlanishi ortishi bilan kollektor o’tishi kengayib, baza qatlami torayadi. Bu bazadagi diffuzion tokning, ya’ni emitter va kollektor toklarining ortishiga olib keladi,bazadagi rekombinatsiya toki va baza qarshilngidagi potensial tushuvi kamayadi, tashqi manba kuchlanishini o’zgarmas desak, emitter o’tishidagi kuchlanish ortib emitter tokining ko’payishiga sabab bo’ladi.
|
| |
