• 6.6-ra s m. Tranzistorning T - simon ekvivalent sxema­lari: a - B sxema, b - UE sxema, v-UK sxema.
  • 6.7-rasm. Tranzistorning UE 6. 8 - rasm. To’rt qutblik
  • § 6.3. Bipolyar tranzistorlarning ekvivalent sxema va parametrlari




    Download 4,71 Mb.
    bet36/125
    Sana16.11.2023
    Hajmi4,71 Mb.
    #99646
    1   ...   32   33   34   35   36   37   38   39   ...   125
    Bog'liq
    ENG SO\'NGGI Birinchi qism tipografiya uchun (1)

    § 6.3. Bipolyar tranzistorlarning ekvivalent sxema va parametrlari


    Radioelektron qurilmalarning ishi ularning ekvi­valent sxemalari yordamida tekshiriladi. Lekin surilmaning ekvivalent sxemasini tuzish uchun unda qatnashuvchi tranzistorning ekvivalent sxemasini bilish kerak. Tranzistor ekvivalent sxemasining qanday bo’lishi uning ish rejimiga bog’liq bo’lib, uning xarakteristikasining ishchi sohasi bilan belgnlanadi. Shunga ko’ra tranzistorning ekvivalent sxemalari xilma- xildir.
    Amaliy jihatdan tranzistorning kuchaytirish re­jimi katta axamnyatga ega. Bu rejim uchun past chastotalar sohasida T-simon ekvivalent sxema keng tar- qalgan. 6.6-rasmda tranzistorning uch xil ulanishi uchun T - simon ekvivalent sxemalar ko’rsatilgan.

    6.6-rasm. Tranzistorning T - simon ekvivalent sxema­lari: a - B sxema, b - UE sxema, v-UK sxema.


    Undagi Re emitter - baza o’tishida hosil bo’ladigan diodning to’gri o’tish qarshiligi, Rk - kollektor - baza o’tishida hosil bo’ladigan diodning teskari o’tish qarshiligi, Rb esa, baza qatlamn kristalining qarshiligidir. Bu qarshiliklar differensial, ya’ni tranzistorning o’zgaruzchan tokka bo’lgan qarshiligidir.
    Yeekv-ekvivalent generatorning elektr yurituvchi kuchi bo’lib, u emitter tokining kollektor zanjiriga bo’lgan ta’sirini ifodalaydi. Shuning uchun bu genera­tor hosil qiladigan tok emitter toki yo’nalishida bo’ladi (Yeekv ning qutblanishi shunga mos tanlanadi). Kollektor toki emitter tokn bilan αIe ko’rinishda bog’langanini va kollektoriing qarshiligi Rk ekanini hisobga olsak, ekvivalent generatorning E quyidagicha ifodalanadi:
    Yeekv= αIeRk=IeRm
    Bunda Rm = αRk - ekvivalent generatorning ichki qarshiligi bo’ladi. Lekin u tashqi zanjirga ulangan bo’lgani uchun generatorning ichki qarshiligi nolga teng deb hisoblanadi.
    6.6-rasmda tasvirlangan ekvivalent sxemalar uchun Kirxgof tenglamalarini yozaylik.
    UB sxema uchun (6.6 a-rasm):
    (6.20)
    UE sxema uchun (6.6 b-rasm):
    (6.21)
    (6.21) sietemaning ikkinchi tenglamasidagi Ie tokmi (6.9) tenglik orqali ifodalasak, u quyidagi ko’rinishga keladi:
    Natijada tranzistorning UE sxemasi 6.7-rasmda tasvirlangai ekvivalent sxema ko’rinishiga o’tadi.

    6.7-rasm. Tranzistorning UE 6.8- rasm. To’rt qutblik

    Download 4,71 Mb.
    1   ...   32   33   34   35   36   37   38   39   ...   125




    Download 4,71 Mb.

    Bosh sahifa
    Aloqalar

        Bosh sahifa



    § 6.3. Bipolyar tranzistorlarning ekvivalent sxema va parametrlari

    Download 4,71 Mb.