|
- rasm. Unipolyar tranzistorning ekvivalent sxemasi
|
| bet | 43/125 | | Sana | 16.11.2023 | | Hajmi | 4,71 Mb. | | #99646 |
Bog'liq ENG SO\'NGGI Birinchi qism tipografiya uchun (1)8.3- rasm. Unipolyar tranzistorning ekvivalent sxemasi:
a-ekvivalent kuchlanish va b - ekvivalent tok generatori
Shunga o’xshash (8.3a) ifoda uni o’zaro parallel ulangan Ri va Rc rezistorlarga SdU3 ga teng EYuK li generatorning ulanishi deb qarash mukinligini ko’rsatadi (8.3b-rasm.) Ulardan birinchisi ekvivalent kuchlanish generatori deyilsa, ikkinchisi - ekvivalent tok generatori deb ataladi. Ular tok kuchi va kuchlanishning faqat o’zgaruvchan tashkil etuvchilarinigina hisobga oladi. Bu elektron qurilmalarni ekvivalent sxemalar bilan almashtirib tekshirishda ularning boshlangich ish rejimini hosil qilish uchun xizmat qiladigan o’zgarmas tok va kuchlanishni hisobga olmaslik imkonini beradi. Bundan tashqari, elektron asbobning ishchi sohasi qilib xarakteristikalar tizimining to’g’ri chiziqli qismi tanlangan bo’lsa, tok kuchi va kuchlanishning differensial qiymatlarini ularning kompleks amplitudalari bilan almashtirish mumkin.
§ 8.2. Metallar, yarim o’tkazgichlar, dielektriklar
Yarim o’tkazgichlar elektronikasi, mikroelektronikadan, nanoelektronika (10-9ga) sohasiga qadam quymoqda. Insonni turmush sharoitiga jadal sur’atlar bilan kirib kelgan, hozirgi o’ta murakkab elektronika jihozlari hamma og’ir va yengil yuklamalarni bajarishni o’z zimmasiga olmoqda. Keyingi yillarda yarim o’tkazgichlar ustida olib borilgan ilmiy tadqiqot ishlari o’z samarasini bermoqda, ularni ajoyib xossalari namoyon bo’ladigan yarim o’tkazgichli qotishmalar va o’ta toza monokristallar texnalogiyasi, elektronikani keskin rivojlanishiga olib keldi. Bu sohada samarali ish olib borayotgan olimlarimiz, prof. M.T.Normurodov, S.Zaynobiddinov, A.Teshaboev, prof. varikapi. Fistul va boshqalar tadqiqotlari elektronikani sezilarli darajada rivojlantirishga olib keldi. Yarim o’tkazgichlar yaratiladigan elementlar (qotishmalar) yetarli darajada toza bo’lishi zarur. O’ta toza va juda mukammal qotishmalr asosida yangidan-yangi elektron asboblar, qurilmalar, mikrochizmalar tayyorlnadi va ular kundalik jarayonimizga jadal kirib kelmoqda.
Qattiq jismlar kvant xossalariga bog’liq bo’lgan masalalar kristallning spektral energetik sathini aniqlashdir. Kristallar haqida aniq tushuncha beradigan Shredinger tenglamasi bo’yicha har qanday davriy takrorlanadigan maydonlarda, elektronni energetik sathlari chegaralangan zonalarga taqsimlangandir. Ayrim yarim o’tkazgich birikmalar kremniy (Sr) va germaniy (Ge) kristallari olmos panjarasiga ega bo’lib ularga bo’sh valentlik zonalar mavjud bo’ladi. Qattiq jismlarning elektr o’tkazuvchanlik xossasi metallar, yarimo’tkazgichlar va dielektriklarga ajralishi zonalarning elektronlar bilan to’ldirilishiga bog’liq. Energetik zonani uch xil holatini kuzatish mumkin.
|
| |
