Transistorlar. Bipolyar tranzistorlar




Download 2,84 Mb.
Pdf ko'rish
bet32/61
Sana04.12.2023
Hajmi2,84 Mb.
#110820
1   ...   28   29   30   31   32   33   34   35   ...   61
Bog'liq
elektronika

6. Transistorlar. Bipolyar tranzistorlar 
6.1 Yarimo’tkazgichli tranzistorlar haqida tushuncha.
Yarim o’tkazgichlar elektronikasida asosiy va eng kerakli element bu qattiq 
jismdan tayyorlanadigan pribor- t r a n z i s t o r d i r.Tranzistor ikkita elektron-kovak –
r-p o’tishga ega pribor bo’lib, uchta yoki undan ko’p chiqish nuqtalariga ega. Uning 
asosiy vazifalariga elektr signallarni kuchaytirish, iste’mol manbasi energiyasini 
elektroomagnit tebranish energiyaisga aylantirish (generatsiyalash), tezda uzib – ulash 
(kommutatsiya) va boshqalar kiradi. Hozirgi davrda tranzistorlar tezkor hisoblash 
mashinalarining, deyarli barcha aloqa vositalarining va maishiy elektron 
apparaturalarining asosisni tashkil etadi. Bipolyar tranzistor 1947 yili ixtiro qilingan. 
Uning ixtirochilari Basov, Proxorov va Taunslar 1957 yili Nobelь mukofatiga sazovor 
bo’lganlar. 
Yuqorida aytganimizdek bipolyar tranzistor ikkita bir – biriga juda yaqin 
joylashgan 
n

o’tishdan iborat tayyorlangan pribor. O’zining strukturasiga ko’ra 
tranzistorlar 
n
p
n


yoki 
p
n
p


tipda tayyorlanadi. Misol tariqasida 
n
p
n


tipdagi 


91 
tranzistorlarning ishlash printsipi bilan tanishamiz. Uning strukturasi va energetik 
diagrammasi 7. 1 rasmda tasvirlangan. 
6.1.1a), b)-rasm. Tranzistor tavsifi 
Tranzistorning markaziy sohasi asos (baza) – B, unga yondoshgan ikki tomondagi 
sohalar esa emitter – E va kollektor – K deb nomlanadi. Emitter degan nom, 
injektorlash, zaryad tashuvchilarni nurlatish, kollektor degan nom esa zaryad 
tashuvchilarni yig’ish degan ma’nolarni beradi. 
Tranzistorlarning umumiy baza bilan ulangan sxemasidagi ish jarayonini 
o’rganamiz. Iste’mol manbalarini ulash sxemasi va zaryad tashuvchilarni siljitish 
manbasi bo’lgandagi 
n
p
n


strukturaning energetik diagrammasi 7.2 – rasmda 
tasvirlangan. 
6.1.2 a) b)-rasm. O’tish grafigi 


92 
Emitter bilan baza orasiga ulangan manba emitter iste’mol manbasi -
э
V
va bu 
soha emitter o’tish, baza bilan kollektor orasiga ulangan manba kollektor iste’mol 
manbasi 
k
V

va bu soha kollektor o’tish deb nomlanadi. Emitter o’tishga to’g’ri 
ulangan siljitish kuchlanishi, kollektor o’tishga esa teskari ulangan siljitish kuchlanishi 
beramiz. Bu holda elektronlar emitter sohadan, tashqi potentsial ta’sirida pasaygan 
emitter o’tishning potentsial to’sig’i orqali, baza sohasiga o’tadi. Ushbu 
elektronlarningo’tishi 6.1.2.a – rasmda 
1
strelka bilan ko’rsatilgan. Oddiy dioddagidek 
emitter iste’mol manbasi - 
э
V
kuchlanishining hammasi emitter o’tishdagi xajmiy 
zaryadlar to’plangan sohaga, kollektor iste’mol manbasi - 
k
V
kuchlanishi kollektor 
o’tish va yuklama (nagruzka) qarshilikka 
H
R
tushadi. SHunday qilib, baza sohada elektr 
maydon mavjud emas, shuning uchun emitter o’tishdan injektirlangan elektronlar baza 
sohadan difziyalanib, kollektor sohaga yetib boradi deymiz. Maydon ta’sirida 
harakatlanishni dreyflanish deb atalishini eslatib o’tamiz. Demak, emitter va kollektor 
o’tishlardagi harakat dreyf harakat deyiladi. Emitterdagi elektronlar kontsentratsiyasi 
muvozanat holatdagi kontsentratsiyaga nisbatan 
( )


kT
eV
э
/
exp
marta ko’p, manbasi 
teskari ulangan kollektor sohada esa elektronlar deyarli yo’q. Agar bazaning 

qalinligi 
diffuzion 
L
uzunlikdan 
kichik 
bo’lsa, 
elektron 
kollektor 
sohaga 
rekombinatsiyalashmasdan yetib boradi.
Elektron issiqlik xaotik harakat tufayli kollektor o’tishning xajmiy zaryadlar 
sohasiga yetib borsa, tashqi elektr maydon uni kollektorga so’rib oladi. Elektronlarning 
ushbu harakatiga mos holat 6.1.2.a – rasmda 1 strelka bilan tasvirlangan. SHunday qilib, 
tranzistorlarning emitter o’tishdagi elektron toki 

I
bazaga ulangan chiqish nuqtasi 
orqali emas balki, kollektor chiqish va yuklama qarshilik 
H
R
orqali oqadi. 
Tranzitorlarning geometrik tuzilishi shunday tanlanadiki, bunda kamroq elektron oqimi 
baza zanjiriga tarmoqlansin. Elektronlarning ushbu harakatiga xos holat 6.1.2.a – 
rasmda 2 strelka bilan ko’rsatilgan. Tranzistorni umumiy baza bilan ulanish 
sxemasidagi ish jarayonida, chiqish zanjirining yuklama 
H
R
qarshiligidan kirishdagi


93 
вх
V
kuchlanishga nisbatan kuchaytirilgan chiqish 
вых
V
kuchlanishi olinadi. Misol uchun, 
emitter zanjirida kuchlanish o’zgaruvchan bo’lib, 
мВ
е
кТ
25
/ 
qiymatga teng bo’lsa, 
undagi tok 
73
,
2

е
martaga ortadi. Bu tok yuklama 
H
R
qarshilik orqali ham oqadi, 
chunki bazaga juda kam qismi tarmoqlanadi. Agar 
H
R
yetarli darajada katta tanlangan 
bo’lsa, unda katta miqdordagi chiqish 
вых
V
kuchlanish tushuvchi bo’ladi. Tabiiyki, agar 
qo’shimcha berilgan tok o’zgaruvchan bo’lsa, uning quvvati ortadi. SHuni ta’kidlash 
kerakki, kollektor o’tish teskariligicha qolishi uchun kollektor manba kuchlanishi 
yetarlicha katta bo’lishi kerak. 

Download 2,84 Mb.
1   ...   28   29   30   31   32   33   34   35   ...   61




Download 2,84 Mb.
Pdf ko'rish