101
7.2.1 – rasm. zatvori izolatsiyalangan MDYaO’ tranzistorning tuzilishi
Tranzistorning asosi, misol uchun,
mun
n −
kremniy bo’lsa,
uning sirtida yupqa
dielektrik qatlam, so’ngra dielektrik qatlamdan ikkita yonma–yon darcha ochilib, u
yerda diffuziya yoki ionlar implantatsiyasi usuli bilan
−
p
sohalar hosil qilinadi. Ushbu
−
p
sohalar orasidagi dielektrik sirtiga metall plyonka purkaladi va chiqish simi
payvandlanib, uni zatvor deb nomlanadi. Hosil qilingan sirtiga
−
p
sohalar ham metall
plyonka purkaladi va
chiqish simlari payvandlanib, ularning biri istok ikkinchisi esa
stok deb nomlanadi. SHunday qilib, kremniy yostiqcha sirtida bir – biridan dielektrik
qatlam
bilan izolatsiyalangan, ya’ni zatvori izolatsiyalangan ikkita
n
p −
o’tish hosil
qilinadi. Ushbu istok va stok
n
p −
- o’tishlar 7.2.1,a – rasm shtrixlab ko’rsatilgan.
Dielektrik, ya’ni oksid
(
)
2
SiO
qatlam esa xoch (krest)li shtrixlar bilan ko’rsatilgan.
7.2.1,b – rasmda zatvori izolatsiyalangan tranzistorni
tashqi manbaga ulanish
sxemasi keltirilgan. Zatvor
З
V
manbasining plyus qutbi istokka, minus qutbi esa
zatvorga ulangan. Stok
ст
V
manbasining
plyus qutbi ham istokka, minus qutbi esa
stokka ulangan. Demak, manbalarning plyus qutblari umumiy bo’lib, u nuqta
mun
n −
kremniy yostiqcha (bundan keyin
mun
n −
kremniy jumlasining o’rniga
"
"
Si
n −
simvolini
yozamiz, agar “
mun
p −
kremniy” bo’lsa
"
"
Si
p −
simvolini yoziladi)ga omik kontakt
orqali ulanadi. SHunday qilib, istokdagi
−
−
n
p
o’tish manbaga to’g’ri ulanadi, stokdagi
102
−
−
n
p
o’tish esa manbaga teskari ulanadi. Istok va stok orasida qarshilik juda katta.
Tushinish soddaroq bo’lishi uchun kontaktdagi
potentsiallar farqi, oksid qatlamda
zaryadlar va sirt xolatlari mavjud emas deb hisoblaymiz. Bu mulohaza rasmda aks
ettirilmagan.
Zatvorga manfiy siljitish kuchlanishning berilishi dastlab zatvor ostida
yetishmaslik
qatlamini keltirib chiqardi, zatvordagi kuchlanishning ma’lum chegaraviy
"
"
.
чег
З
V
qiymatida inversiya qatlami yuzaga keladi. Ushbu zatvor tagidagi inversiya
qatlam istok va stoklarning
−
p
sohalarini tutashtiruvchi kanalni hosil qiladi.
Kuchlanishning
"
"
.
чег
З
V
qiymatidan katta qiymatida kanal kengayadi va stok –
istok
qarshiligi kamayadi. SHunday qilib, ushbu qurilma boshqariluvchi rezistor bo’la o’ladi.
Lekin zatvordagi kuchlanish kanalning qarshiligini stokdagi kuchlanishning
unchalik katta bo’lmagan qiymatidagina yaxshi boshqara oladi. Stokdagi
