103
kuchlanishning ortib borishi bilan tok tashuvchilar harakatining
dreyf mexanizmiz
diffuzion – dreyf mexanizmga almashadi.
Nazariy hisoblar va tajriba natijalari shuni ko’rsatadiki, kanal berkilgandan so’ng
stok
ст
I
toki to’yinadi. Stok
ст
I
tokining stok
ст
V
kuchlanishiga bog’liqligi har xil
zatvor
З
V
kuchlanishida 7.2.2 – rasmda keltirilgan.
7.2.2 – rasm. VAX tafsif
Rasmdan ko’rinib turibdiki stok
ст
I
tokining to’yinish
nuqtasi zatvor
З
V
kuchlanishiga bog’liq. Zatvor
З
V
kuchlanishi qancha katta bo’lsa, o’tkazuvchanlik
kanali shuncha keng va to’yinish toki shuncha yuqori bo’ladi. Huddi manashu jarayon
tranzistor effekt, ya’ni zatvor (kirish zanjir)dagi kuchlanish orqali stok (chiqish
zanjir)dagi tokini boshqarish mumkin. MDYaO’ asosidagi tranzistorning yana bir
xarakterli tomoni, bu uning kirishi
kondensatordan iborat ekanligi, ya’ni tranzistor
kirish zanjiridagi qarshilik sig’im qarshilikdir. Mavjud MDYaO’ – tranzistorlarning
sizish toklari ~ 10
-15
A hatto 10
-17
A tartibida bo’ladi. Ushbu
tranzistorlarda elektr
maydoni effekt hosil qilayotgani uchun ularni maydoniy tranzistorlar deb ataladi.
Ma’lumki,
p
n
p
−
−
yoki
n
p
n
−
−
tranzistorlarda baza soxaga asosiy bo’lmagan zaryad
tashuvchilar injektsiyalanadi. Maydoniy tranzistorlarda esa tok faqat asosiy zaryad
tashuvchilar tomonidan hosil qilinadi. SHuning uchun maydoniy tranzistorlarni
unipolyar tranzistorlar deb ham ataladi.
Endi MDYaO’ – tranzistorning stokidagi kuchlanishning
katta qiymatlarida
qanday jarayon bo’lishi bilan tanishamiz. Tranzistorning stokida teskari ulanish amalda
104
bo’lgani uchun
−
−
n
p
o’tishda teskari ulanishda ro’y beradigan oddiy “elektr teshilish”
jarayoni kuzatiladi. MDYaO’ – tranzistorning “elektr teshilish” uchastkasini o’z ichiga
olgan chiqish xarakteristikasi 7.2.3 – rasmda keltirilgan.
7.2.3-rasm. Chqish tavsifi
Boshqariluvchi
−
−
n
p
o’tishga ega maydoniy tranzistorlar. Tirkalgan kanalga ega
va ular asosidagi komplementar maydoniy tranzistorlar.
Maydoniy unipolyar tranzistorlar sinfiga boshqariluvchi
−
−
n
p
o’tishga ega
tranzistorlar ham kiradi. Quyidagi 7.2.4 – rasmda ushbu tranzistorlarning strukturasi va
manbaga ulanishi sxematik tarzda keltirilgan. Yarim o’tkazgich, misol uchun, kremniy
yostiqcha yuzasida, agar u
