105
7.2.4-rasm. Qatlamlar.
Yostiqcha yuzasida hosil qilingan
−
p
qatlam (7.2.4 – rasm)
sirtida omik kontakt
joylashtiriladi va u zatvor vazifasini bajaradi. Zatvor bilan istok orasidagi manba har
doim teskari ulanadi. Ushbu kuchlanish ortirilgan sayin
−
−
n
p
o’tish kengayib,
yostiqchadagi o’tkazuvchanlik
kanali torayadi, ya’ni zatvordagi kuchlanish orqali
o’tkazuvchanlik kanalining qarshiligi va shu orqali stok toki boshqariladi. Ta’kidlash
lozimki, yostiqcha qaysi tipdagi asosiy zaryad tashuvchilarga ega bo’lsa,
o’tkazuvchanlik kanalidagi tokni shu asosiy zaryad tashuvchilar hosil qiladi, ya’ni
tranzistor unipolyar bo’lib qolaveradi va u maydon aniqroq aytganda zatvordagi elektr
maydon yordamida boshqariladi. Agar zatvordagi, ya’ni
−
−
n
p
o’tishdagi
siljitish
kuchlanishi doimiy bo’lsa, istok – stok kuchlanishi ortishi bilan o’tkazuvchanlik kanali
stok tomonidan toraya boshlaydi va kuchlanishning ma’lum qiymatida stok toki
to’yinish holatiga yetadi.
−
−
n
p
o’tishdagi siljitish kuchlanishi qancha katta bo’lsa,
to’yinish tokining qiymati ham shuncha yuqori bo’ladi. Ushbu
−
−
n
p
o’tishga ega
−
n
yoki
−
p
kanali maydoniy unipolyar tranzistorning chiqish volьt – amper xarakteristika
(VAX)si zatvori izolatsiyalangan tranzistorning VAXiga o’xshash endi tirkalgan
kanalga ega unipolyar maydoniy tranzistor bilan tanishamiz.
106
Yarim o’tkazgich – dieletrik bilan tuzilmaning tutashgan chegarasidagi man
qilingan zonasida chegara holati deb ataluvchi energetik sirtiy holat mavjud bo’ladi.
Ushbu sirtiy holatlar 7.2.5 – rasmda ko’rsatilgan.
7.2.5-rasm. Tranzistor chizmasi.
Ularning hosil bo’lishi yarim o’tkazgich – dielektrik chegara
sirtlarining noideal
tuzilishiga bog’liqdir. Real sharoitda chegara sohada hamma vaqt uzilgan bog’lamlar
mavjud bo’lib, ular dielektrik plyonkasining tarkibini buzadi. Sirtiy hollar zichligi va
xarakteri dielektrik plyonkaning hosil qilish texnologiyasiga bog’liq. Yarim o’tkazgich -
dielektrik chegarasidagi sirtiy holatlarning mavjudligi MDYaO’ – tranzistorlarning
parametrlariga yomon ta’sir qilishi mumkin. CHunki zatvor tagidagi yarim o’tkazgich
qismida qismida mavjud zaryadlar sirtiy holatlarda ushlanib qoladi. Maydoniy
tranzistorlarni qurishdagi muvaffaqiyatlarga
kremniy oksidi
(
)
2
SiO plyonkasini olish
texnologiyasi mukammallashtirilgach erishildi. Kremniy – kremniy oksidi
(
)
2
SiO
Si −
chegarasida kam zichlikli sirtiy holat hosil qilinadi.
Ma’lum bo’ldiki, hamma vaqt kremniy oksidida «tirkalgan» musbat zaryadlar
mavjud bo’lar ekan. Bu «tirkalgan» zaryadlarning tabiati hozirgacha to’liq
asoslangan
emas. Ushbu zaryadning qiymati oksid plyonkani hosil qilish bog’liq, ba’zi hollarda u
judda katta bo’lishi mumkin. Agar yostiqcha sifatida
−
p
kremniy olinsa, uning sirtida
zatvorning siljitish kuchlanishini nolь qiymatida ham inversion qatlam hosil bo’lib
107
qoladi. Inversion qatlam istok va stok o’rtasida bo’lsa, u o’tkazuvchanlik kanaliga ega
maydoniy tranzistorlar deb ataladi.
Bunday o’tkazuvchanlik kanaliga ega tranzistorlardan farqli o’laroq,
