|
Universiteti elektronika va avtomatika fakulteti analog va raqamli sxemotexnika
|
| bet | 1/8 | | Sana | 22.05.2024 | | Hajmi | 0,76 Mb. | | #250662 |
Bog'liq KURS ISHI NAMUNA wwwwwwwww, Tavsiya etilayotgan mustaqil ta (1), Лекция 4. Инф уст ММ и РТ, elektron biznes infratuzilmasi
O‘ZBEKISTON RESPUBLIKASI OLIY TA’LIM, FAN VA INNOVATSIYAVAZIRLIGI
ISLOM KARIMOV NOMIDAGI TOSHKENT DAVLAT TEXNIKA UNIVERSITETI
ELEKTRONIKA VA AVTOMATIKA FAKULTETI
ANALOG VA RAQAMLI SXEMOTEXNIKA
kurs ishi
Topshirdi: Xakimova S.
Qabul Qildi: ___________________
Toshkent - 2024
|
MUNDARIJA
|
|
1.
|
Nazariy qism………………………………………...................
|
|
1.1.
|
Bipolyar tranzistorlar asosidagi kuchaytirgichlarni tuzilish va ishlash prinsiplari, tavsiflari........................................................................
|
|
1.2.
|
Bipolyar tranzistorlarning h-kattaliklari………………..................
|
|
2.
| Topshiriq. Umumiy emitter sxemasi bo‘yicha ulangan kuchaytirish kaskadini parametrlarini xisoblash …………........... |
|
3
|
Xisobot. I. Doimiy tok ish rejimida xisoblash……………………………
|
|
II.
| O‘zgaruvchan tok bo‘yicha kuchaytirish kaskadini ish rejimini xisoblash…………………………………………………….......... |
|
III.
| Kuchaytirilayotgan kattalik uchun chastotaning yuqori qiymatini hisoblash ......................................................................................... |
|
IV.
|
Kuchaytirgichni shovqin kattaliklarini xisoblash.........................................
|
|
|
Adabiyotlar ro'yxati........................................................................................
|
|
1.1 Bipolyar tranzistorlar asosidagi kuchaytirgichlarni tuzilish va ishlash prinsiplari, tavsiflari.
Kuchaytirgich kaskadlarining ishlatiladigan sxema turlari har xil bo‘lishi mumkin. Bunda tranzistor umumiy emitter (UE), umumiy kollektor (UK) yoki umumiy baza (UB) sxemada ulangan bo‘lishi mumkin. UE sxemada ulangan kaskadlar keng tarqalgan. UK sxemada ulangan kaskadlar ko‘p kaskadli kuchaytirgichlarda asosan chiqish kaskadi sifatida ishlatiladi. UB ulangan kaskadlar ultraqisqa to‘lqinli (UQT) va o‘ta yuqori chastota (O‘YuCh) to‘lqin diapazonida ishlovchi generator va kuchaytirgichlarda keng qo‘llaniladi.
UE sxemada ulangan bipolyar transistor (BT) asosidagi kuchaytirgich kaskadining prinsipial sxemasi 5.1-rasmda keltirilgan. UE sxemada ulangan ВТ asosidagi sodda kuchaytirgichni hisoblaymiz. Kirish signali manbai RG ichki qarshilikka ega kuchlanish generatori UG sifatida ko‘rsatilgan. Signal manbai va yuklama RYu kuchaytirgichni kaskadga ajratuvchi Cl va C2 kondensatorlar orqali ulangan. Kondensatorlar, kuchaytirgichning sokinlik rejimini buzmagan holda, kirish va chiqish signallarining faqat o‘zgaruvchan tashkil etuvchilari o‘tishini ta’minlaydi. RB rezistor yordamida, kuchaytirishning berilgan sinfi uchun, bazaning IB0 sokinlik toki qiymati belgilanadi.
Ushbu kaskad uchun aytib o‘tilganlarning barchasi p-n-p tranzistor asosidagi kaskadlar uchun ham o‘rinli bo‘ladi. Bunda kuchlanish manbaining qutbini va toklar yo‘nalishini o‘zgartirish yetarli bo‘ladi.
|
| |
