|
-rasm. Grafit strukturasiBog'liq PА#2.2022 158-1641.1-rasm. Grafit strukturasi
1.2- rasm. Olmos strukturasi
Bundan tashqari, yarim o‘tkazgichli qurilma
bo‘lmish tranzistorning tug‘ilish sanasi 1947-yil.
deb
qabul
qilingan.
AQSh
dagi
Bell
laboratoriyasidan Dj.Bardin, U. Bratteyn va U.
Shoklilar 1958-yilda bu ish uchun fizika bo‘yicha
Nobel mukofoti bilan taqdirlandilar. Tranzistorning
kashf etilishi katta sotsial qiymatga ega bo‘ldi.
Tranzistorli texnologiyalarning keskin o‘sishi XX
asr oxirida insoniyatni informatika asriga yetakladi.
Bugungi kunda nanotranzistorlar haqidagi
ilmiy so‘zlashuvlar ko‘payib, ularning holatidagi
prototiplari yaratildi. Nanometrli o‘lchamlarda Bell
laboratoriyasidan chiqqan tranzistorlar gigant edi.
Ularning o‘lchamlari smlarda o‘lchanardi. Yarim
asr davomida tranzistorning chiziqli o‘lchamlari
100 000 marta, massasi 10
10
marta kamaydi. Elektr
signallarning xususiyatlari ham nanodunyoda
mikrodunyodagiga nisbatan ancha farq qiladi.
Endi elektr tokini qandaydir “elektr suyuqlik”
yoki “elektr gaz” sifatida tasavvur qilish mumkin
emas, chunki nanodunyoda elektr zaryadning
kvantlangani birinchi o‘ringa chiqadi. Foydalanish
mumkin bo‘lgan zaryadning miqdori elektron
zaryadiga karrali. Elektr toki va u orqali
uzatilayotgan informatsiya miqdorini qanchalik
aniqlik bilan qayd etmaylik, ular cheklangan va
uzatilgan
elementar
zaryadlar
soni
bilan
aniqlangan.
Oddiy doimiy elektr toki har doim bexosdan
fluktuatsiyalanadi. Chunki zanjirda har bir yangi
elektr zaryadning paydo bo‘lishi oldingi zaryad
hosil bo‘lishi bilan moslashmagan. Bunday
fluktuatsiyalarni ko‘pincha kasriy shovqin deb
atashadi va uni Puasson statistikasi bilan
ifodalashadi. Ideal holda manba zanjirda bir
sekundda n
0
zaryadlarning o‘rtacha tokini ushlab
tursa, u holda o‘rtacha t vaqtda zanjir bo‘ylab N=n
0
t
zaryad o‘tadi. Bu kattalikning o‘lchanadigan
qiymati
o‘rtacha
kvadratik
chetlashish
|
| |
