|
Laboratoriya ishini bajarish uchun topshiriq
|
| bet | 18/24 | | Sana | 14.05.2023 | | Hajmi | 5.18 Mb. | | #59442 |
Bog'liq E va sxema 1. 2021-2022 us.qo'llanma (2) Masofaviy ta’lim usullari va texnologiyalari. “O’quv jarayonida masofaviy texnologiyalarni qo’llash.Masofaviy ta’lim tizimlari va texnologiyalar, 5f042dfc86b9b, AZOT xossalari, Atmosfera havosini muhofaza qilish, 1-mavzu, Umumiy fizikadan masalalr tuplami. S. R. Polvonov., 1. Jismlarning erkin tushishi va erkin tushish tezlanishi deb ni, “Tokning magnit maydoni ” mavzusini o’qitishda innavatsion ta’lim texnalogiyalaridan foydalanish metodikasi, inflatsiya riski, 123, 1, Axborot exnalogiyalarining zamonaviy dasturiy ta, C tilida dasturlash, kurs ishi, Milliy va harakatli o`yinlar2. Laboratoriya ishini bajarish uchun topshiriq.
Tadqiq etilayotgan optron prinsipial sxemasini va chegaraviy qiymatlarini yozib oling.
2.1. Diodli optron xarakteristikasini tadqiq etish.
2.1.1. 10.6 – rasmda keltirilgan sxemani yig‘ing. Manbadan berilayotgan chegaraviy tok qiymatini optron chegaraviy qiymatlariga mos ravishda o‘rnating.
2.1.2. E1 ni o‘zgartirib borib, optronning kirish xarakteristikasi IKIR=f(UKIR) ni o‘lchang. Yorug‘lik diodi kirishidagi qarshilik R1 dan ancha kichik bo‘lganligi sababli, kirish qarshiligini IKIR= E1/R1deb oling.
10.6-rasm. Diodli optron statik xarakteristikasini o‘lchash sxemasi.
O‘lchash natijalarini 10.1 – jadvalga kiriting.
10.1 – jadval
E1, V
|
|
UKIR, V
|
|
IKIR= E1/R1, mA
|
|
2.1.3. E2=0 deb oling. E1 ni o‘zgartirib borib, fotovoltaik rejim uchun optron uzatish xarakteristikasini IChIQ=f(IKIR) o‘lchang.
O‘lchash natijalarini 10.2 – jadvalga kiriting.
10.2 – jadval
E1, V
|
|
UKIR, V
|
|
IKIR= E1/R1, mA
|
|
2.1.4. E2=5 V o‘rnating. 10.1.3 – banddagi o‘lchashlarni fotodiodli rejim uchun takrorlang. O‘lchash natijalarini 10.2 – jadvalga o‘xshab, 10.3 – jadvalga kiriting.
10.3 – jadval
E1, V
|
|
UKIR, V
|
|
IKIR= E1/R1, mA
|
|
2.1.5. Optron chiqishidagi signalning ortib borish tort. va kamayib borish tkam. vaqtlarini o‘lchang.
10.7–rasmda keltirilgan sxemani yig‘ing, yorug‘lik diodi zanjiriga impuls generatorini ulang. Genrator chiqishida amplitudasi 5V va chastotasi 1kGts bo‘lgan impulsni o‘rnating. R2 qarshilikka 1:10 kuchlanish bo‘luvchisi orqali ossilograf ulang. (Ossilografning boshqa kanalidan generator chiqishidagi impuls amplitudasini o‘lchash uchun foydalaning). E2=5 V o‘rnating va chiqish toki ossilogrammasidan signalning ortib borish tort. va kamayib borish tkam. vaqtlarini o‘lchang.
E2=0 ni o‘rnating va fotovoltaik rejim uchun vaqt o‘lchovlarini takrorlang.
10.7-rasm. Diodli optron dinamik xarakteristikasini o‘lchash sxemasi.
2.2. Tranzistorli optron xarakteristikalarini tadqiq etish.
10.8– rasmda keltirilgan sxemani yig‘ing, E2=5 V o‘rnating.
10.8-rasm. Kuchaytirgichli diodli optronni o‘lchash sxemasi.
(Bu sxemada optron fotodiodi va tashqi tranzistor fototranzistorni imitatsiya qiladi).
E1 ni o‘zgartirib borib, IKIR=E1/R1 va IChIQ=IK deb olib, tranzistorli optron uzatish xarakteristikasi IChIQ=f(IKIR) ni o‘lchang. O‘lchash natijalarini 10.2, 10.3 jadvallarga o‘xshash tarzda 10.4 – jadvalga kiriting.
10.4 – jadval
E1, V
|
|
UKIR, V
|
|
IKIR= E1/R1, mA
|
|
3. Tajribada olingan natijalarni ishlash.
3.1. Optron kirish xarakteristikasini quring va IKIR=10 mA qiymatiga mos keluvchi kirish kuchlanishi Ukir qiymatini aniqlang.
3.2. Diodli va fotovoltaik rejimlar uchun optron uzatish xarakteristikalarini quring va IKIR=10 mA qiymatida tok bo‘yicha uzatish koeffitsiyentini KI aniqlang.
3.3. Diodli optronda signal tarqalishining o‘rtacha kechikish vaqtini hisoblab toping.
.
3.4. Tranzistorli optron uzatish xarakteristikasini quring va IKIR=10 mA qiymatida tok bo‘yicha uzatish koeffitsiyentini KI aniqlang.
4. Hisobot mazmuni.
1) tadqiq etilayotgan optron chegaraviy qiymatlari va prinsipial sxemasi;
2) o‘lchash sxemalari;
3) o‘lchangan bog‘liqliklar jadvallari va grafiklari;
4) hisoblab topilgan parametrlar;
5) tok va kuchlanish ossilogrammalari.
|
| |
