1. Maydoniy tranzistor.
Maydoniy tranzistor deb, tok kuchi qiymatini boshqarish ychun o„tkazuvchi
kanaldagi elektr o„tkazuvchanligikni o„zgartirish hisobiga elektr maydon o„zgarishi
bilan boshqariladigan yarim o„tkazgichli aktiv asbobga aytiladi.
Maydoniy tranzistorlar turli elektr signallar va quvvatni kuchaytirish uchun
mo„ljallangan. Maydoniy tranzistorlarda bipolyar tranzistorlardan farqli ravishda tok
tashkil bo„lishida faqat bir turdagi zaryad tashuvchilar ishtirok etadi: yoki
elektronlar, yoki kovaklar. Shuning uchun ular yana
unipolyar tranzistorlar deb ham
ataladi.
Maydoniy tranzistorlarning tuzilishi va kanal o„tkazuvchanligiga ko„ra ikki
turi mavjud:
p–n o„tish bilan boshqariladigan maydoniy tranzistor hamda metall –
dielektrik – yarim o„tkazgichli (MDYa) tuzilishga ega bo„lgan zatvori
izolyatsiyalangan maydoniy tranzistorlar. Ular MDYa- tranzistorlar deb ham
ataladilar.
p–n o„tish bilan boshqariladigan maydoniy tranzistor. 1 – rasmda
n–kanalli p
–
n o„tish bilan boshqariladigan maydoniy tranzistorning tuzilishining qirqimi (
a) va
uning shartli belgisi (
b) keltirilgan.
a) b)
1 – rasm.
n–kanalli p
–n o„tish bilan boshqariladigan maydoniy tranzistorning
tuzilishining qirqimi (
a)
va uning shartli belgisi
n–turdagi soha
kanal deb ataladi. Kanalga zaryad tashuvchilar kiritiladigan
kontakt
istok (I); zaryad tashuvchilar chiqib ketadigan kontakt
stok (S) deb ataladi.
Zatvor (Z) boshqaruvchi elektrod hisoblanadi. Zatvor va istok oralig„iga kuchlanish
berilganda yuzaga keladigan elektr maydoni kanal o„tkazuvchanligini, natijada
kanaldan oqib o„tayotgan tokni o„zgartiradi. Zatvor sifatida kanalga nisbatan
o„tkazuvchanligi teskari turdagi soha qo„llaniladi. Ishchi
rejimda u teskari ulangan
bo„lib kanal bilan
r – n o„tish hosil qiladi.
Kanalning o„tkazuvchanligi uning qarshiligi bilan aniqlanadi
S
l
R
, bu
yerda
- kanal materialining solishtirma qarshiligi,
l- uzunligi,
S – kanalning
ko„ndalang kesim yuzasi. Tashqi kuchlanish mavjud bo„lmaganda
kanal uzunligi
bo„ylab zatvor ostidagi kanalning ko„ndalang kesim yuzasi bir xil bo„ladi. Berilgan
qutblanishda zatvor va istok oralig„iga tashqi kuchlanish berilsa
U
ZI
p–n o„tish
teskari yo„nalishda siljiydi, kanal tomonga kengayadi, natijada kanal uzunligi
bo„ylab kanalning ko„ndalang kesim yuzasi bir tekis torayadi.
Kanal qarshiligi
ortadi, lekin chiqish toki I
S
= 0 bo„ladi, chunki
U
SI
=0 (15.2
a - rasm).
Agar istok va stok oralig„iga kuchlanish manbai ulansa, u holda kanal bo„ylab
istokdan stok tomonga elektronlar dreyfi boshlanadi, ya‟ni kanal orqali stok toki I
S
oqib o„ta boshlaydi. Kuchlanish manbai U
SI
ning ulanishi
r–n o„tish kengligiga ham
ta‟sir ko„rsatadi, chunki o„tish kuchlanishi kanal uzunligi bo„ylab turlicha bo„ladi.
Kanal potensiali uning uzunligi bo„ylab o„zgaradi: istok potensiali nolga teng bo„lib,
stok tomonga ortib boradi, stok potensiali esa
U
SI
ga teng bo„ladi.
R–n o„tishdagi
teskari kuchlanish istok yaqinida
ЗИ
U
ga, stok yaqinida esa
СИ
ЗИ
U
U
teng
bo„ladi. Natijada o„tish kengligi stok tomonda kattaroq bo„lib,
kanal kesimi stok
tomonga kamayib boradi. (2.
b -rasm).
a) b)
2 –rasm. a) stok orasidagi kuchlanish manbai, istok orasidagi kuchlanish
manbai.
Shunday qilib, kanal orqali oqib o„tayotgan tokni
U
ZI
kuchlanish qiymatini
(kanal kesimini o„zgartiradi) hamda
U
SI
kuchlanish qiymatini (tok va kanal uzunligi
bo„ylab kesimni o„zgartiradi) boshqarish mumkin. Istok tomonda kanal kengligi
berilgan U
ZI
qiymati bilan, stok tomonda esa
U
ZI
+ U
SI
yig„indi qiymati bilan
aniqlanadi.
U
SI
qiymati qancha katta bo„lsa,
kanalning
ponaligi (klinovidnost)
va
uning qarshiligi
shuncha katta bo„ladi.
Kanalning ko„ndalang kesimi nolga teng bo„ladigan vaqtdagi zatvor
kuchlanishi
berkilish kuchlanishi U
ZI.BERK.
deb ataladi.
.
.
ТЎЙ
СИ
ЗИ
U
U
kuchlanish berkilish kuchlanishiga
U
ZI.BERK
ga teng
bo„ladigan vaqtdagi stok kuchlanishi
to„yinish kuchlanishi U
SI.TO„Y.
deb ataladi.
Bu yerdan
ЗИ
БЕРК
ЗИ
ТЎЙ
СИ
U
U
U
.
.
.
.
(1)
.
.
ТЎЙ
СИ
СИ
U
U
vaqtidagi tranzistorning ishchi rejimi
tekis o„zgarish rejimi,
.
.
ТЎЙ
СИ
СИ
U
U
vaqtidagi tranzistorning ishchi rejimi esa
to„yinish rejimi deb
ataladi. To„yinish
rejimida U
SI
kuchlanish qiymatining ortishiga qaramay
I
C
tokining ortishi deyarli to„xtaydi. Bu holat bir vaqtning o„zida zatvordagi
U
ZI
kuchlanishining ham ortishi bilan tushuntiriladi. Bu vaqtda kanal torayadi va
I
C
tokini kamayishiga olib keladi. Natijada
I
C
dreyfrli o„zgarmaydi.
Biror uch elektrodli asbob kabi, maydoniy tranzistorlarni
uch xil sxemada
ulash mumkin: umumiy istok (UI), umumiy stok (US) va umumiy zatvor (UZ). UI
sxema keng tarqalgan sxema hisoblanadi.
