BTG toki
I
0
signal mavjud bo‘lmaganda, diodlardagi
kuchlanish pasayishi
kichik bo‘ladigan qilib tanlanadi, VT1 va VT2 hamda VT4 va VT5
tranzistorlar
deyarli berk holatda bo‘ladi.
Kuchaytirgich kaskadning ishlash prinsipini ko‘rib chiqamiz. VT3
tranzistor
kirishiga signalning musbat yarim davri berilgan bo‘lsin. U emitter toki va mos
ravishda, ushbu tranzistor kollektor tokining ortishiga olib keladi.
Bunda S nuqta
potensiali pasayadi, chunki bu nuqtaga keluvchi tok qiymati o‘zgarmas va BTG toki
I
0
ga teng, undan ketuvchi tok (VT3 tranzistor kollektor toki) qiymati esa ortadi. VT1
tranzistor bazasi bilan ulangan S nuqta potensialining pasayishi VT1ni berkitadi va
uning baza toki nolga teng bo‘lib qoladi. Lekin bunda VD1 va VD2 diodlardan
o‘tuvchi tok
I
0
ga teng bo‘ladi va F nuqta potensiali, S nuqta holatidek sababga ko‘ra
pasayadi. F nuqta potensiali pasayishi (VT2 tranzistor baza potensiali) VT2
tranzistor
baza tokining ortishiga, demak, ushbu tranzistor emitter tokining ham
ortishiga olib keladi. BTG mavjud bo‘lgani sababli baza tokining o‘zgarishi VT3
tranzistor kollektor toki o‘zgarishiga teng, ya’ni
2
3
Б
K
I
I
=
(1.10)
VT2 tranzistor emitter
toki ortishi yuklamada IE2 yo‘nalishda tok paydo
bo‘lishiga olib keladi. VT1 tranzistor berk bo‘lgani uchun
2
Э
Ю
I
I
=
(1.11)
Tranzistor toklari orasidagi munosabatlarni e’tiborga
olgan holda, (6.10) va
(6.11) asosida:
3
2
3
)
1
(
Б
Ю
I
I
+
=
(1.12) ga
teng bo‘ladi. Bu yerda,
β
3
,
β
2
– mos tranzistorlar
baza toklarini uzatish
koeffitsiyentlari qiymatlari.
Shunday qilib, kaskadning tok bo‘yicha kuchaytirish koeffitsiyenti
)
1
(
2
3
+
=
I
K
(6.13)
Kirishga manfiy yarim davrli kuchlanish
U
KIR
berilganda VT1 tranzistor
ochiladi, VT2 tranzistor esa berk bo‘ladi. Yuklamadagi chiqish toki
IE1 yo‘nalishga
ega bo‘ladi.
Kaskadning chiqish qarshiligi amalda VT2 yoki VT1 tranzistorlarning to‘g‘ri
siljigan EO‘lari qarshiligiga teng, ya’ni juda kichik bo‘ladi.
VT4 va VT5 tranzistorlarning himoyalovchi funksiyalari quyidagicha amalga oshadi:
Normal ish rejimida ular berk. Katta signalda yoki chiqish tasodifan kuchlanish manbaining
elektrodlaridan biriga qisqa tutashganda VT4 va VT5 tranzistorlardan biri ochiladi va
natijada, himoyalovchi VT1 yoki VT2 tranzistorlar baza tokining bir qismi oqadi va shu
bilan VT1 va VT2 tranzistorlarning emitter-baza o‘tishi shuntlanadi. Bu ularni o‘ta
yuklanishdan saqlaydi.
Quvvat kuchaytirgichlarda chiqish tranzistorlari sifatida
tarkibiy tranzistorlardan
foydalaniladi. Ushbu prinsiplar MTlar asosidagi ChKlarni loyihalashda ham ishlatiladi.
BTlar asosidagi qurilmalarga qaraganda bunday sxemalar nochiziqli buzilishlarning
kichikligi va temperaturaga bardoshligi bilan farq qiladilar.
