|
Laboratoriya ishini bajarish uchun topshiriq
|
| bet | 6/6 | | Sana | 27.08.2024 | | Hajmi | 307,2 Kb. | | #269936 |
Bog'liq 3-tajriba E va S2 SIRTQI2. Laboratoriya ishini bajarish uchun topshiriq.
Tadqiq etilayotgan optron printsipial sxemasini va chegaraviy qiymatlarini yozib oling.
2.1. Diodli optron xarakteristikasini tadqiq etish.
2.1.1. 5.15.5 – rasmda keltirilgan sxemani yig‘ing. Manbadan berilayotgan chegaraviy tok qiymatini optron chegaraviy qiymatlariga mos ravishda o‘rnating.
2.1.2. E1 ni o‘zgartirib borib, optronning kirish xarakteristikasi Ikir=f(Ukir) ni o‘lchang. Yorug‘lik diodi kirishidagi qarshilik R1 dan ancha kichik bo‘lganligi sababli, kirish qarshiligini Ikir= E1/R1 deb oling.
5.15.5-rasm. Diodli optron statik xarakteristikasini o‘lchash sxemasi.
O‘lchash natijalarini 5.15.1 – jadvalga kiriting.
5.15.1 – jadval.
E1, V
|
|
Ukir, V
|
|
Ikir= E1/R1, mA
|
|
2.1.3. E2=0 deb oling. E1 ni o‘zgartirib borib, fotovoltaik rejim uchun optron uzatish xarakteristikasini IChiq=f(Ikir) o‘lchang.
O‘lchash natijalarini 5.15.2 – jadvalga kiriting.
5.15.2 – jadval.
E1, V
|
|
Ukir, V
|
|
Ikir= E1/R1, mA
|
|
2.1.4. E2=5 V o‘rnating. 2.1.3 – banddagi o‘lchashlarni fotodiodli rejim uchun takrorlang. O‘lchash natijalarini 5.15.3 – jadvalga kiriting.
5.15.3 – jadval.
E1, V
|
|
Ukir, V
|
|
Ikir= E1/R1, mA
|
|
2.1.5. Optron chiqishidagi signalning ortib borish tort. va kamayib borish tkam. vaqtlarini o‘lchang.
5.15.6 – rasmda keltirilgan sxemani yig‘ing, yorug‘lik diodi zanjiriga impuls generatorini ulang. Generator chiqishida amplitudasi 5V va chastotasi 1kHz bo‘lgan impulsni o‘rnating. R2 qarshilikka 1:10 kuchlanish bo‘luvchisi orqali ostsillograf ulang. (Ostsillografning boshqa kanalidan generator chiqishidagi impuls amplitudasini o‘lchash uchun foydalaning). E2=5 V o‘rnating va chiqish toki ostsillogrammasidan signalning ortib borish tort. va kamayib borish tkam. vaqtlarini o‘lchang.
E2=0 ni o‘rnating va fotovoltaik rejim uchun vaqt o‘lchovlarini takrorlang.
5.15.6-rasm. Diodli optron dinamik xarakteristikasini o‘lchash sxemasi.
2.2. Tranzistorli optron xarakteristikalarini tadqiq etish.
5.15.7 – rasmda keltirilgan sxemani yig‘ing, E2=5 V o‘rnating.
5.15.7-rasm. Kuchaytirgichli diodli optronni o‘lchash sxemasi.
5.15.7-rasmdagi sxemada optron fotodiodi va tashqi tranzistor fototranzistorni imitatsiya qiladi. E1 ni o‘zgartirib borib, Ikir=E1/R1 va IChiq=IK deb olib, tranzistorli optron uzatish xarakteristikasi IChiq=f(Ikir) ni o‘lchang. O‘lchash natijalarini 5.15.2, 5.15.3 jadvallarga o‘xshash tarzda 5.15.4 – jadvalga kiriting.
5.15.4 – jadval.
E1, V
|
|
Ukir, V
|
|
Ikir= E1/R1, mA
|
|
3. Tajribada olingan natijalarni qayta ishlash.
3.1. Optronning kirish xarakteristikasini quramiz hamda Ikir=10 mA qiymatiga mos keluvchi kirish kuchlanishi Ukir qiymatini aniqlaymiz.
3.2. Diodli hamda fotovoltaik rejimlar uchun optronning uzatish xarakteristikalarini quramiz hamda Ikir=10 mA qiymati uchun tok bo‘yicha uzatish koeffitsiyentini - KI aniqlaymiz.
3.3. Keyin diodli optron uchun signal tarqalishining o‘rtacha kechikish vaqtini ushbu formuladan hisoblab topamiz.
.
3.4. Tranzistorli optron uchun uzatish xarakteristikasini quramiz hamda Ikir=10 mA tok qiymatida tok bo‘yicha uzatish koeffitsiyentini KI aniqlaymiz.
Hisobotda ushu ma’lumotlar keltiriladi:
o‘rganilayotgan optron parametrlarining chegaraviy qiymatlari va printsipial sxemasi;
ishda o‘lchash sxemalari;
o‘lchangan bog‘lanishlarning jadvallari hamda grafiklari;
hisoblab topilgan parametrlarning qiymatlari;
tok hamda kuchlanishning ostsillogrammalari.
|
| |
