2.3.1- Jadval. Nanotrubkalarning ho’llash xususiyatlari ( temperatura erish nuqtasiga yaqin.)
Modda
|
Sirt taranglik, mN m-1
|
Kapillyarlik
|
HNO3
|
43
|
ha
|
S
|
61
|
ha
|
Cs
|
67
|
ha
|
Rb
|
77
|
ha
|
V2O3
|
80
|
ha
|
Se
|
97
|
ha
|
Qo’rgoshin oksidlari
|
(PbO ~ 132)
|
ha
|
Vismut oksidlari
|
(V2O3 ~ 200)
|
ha
|
Te
|
190
|
ha
|
Pb
|
470
|
yo’q
|
Hg
|
490
|
yo’q
|
Ga
|
710
|
yo’q
|
Nanotrubkalardagi kapilyar hodisalarga bag’ishlangan tajriba natijalarini analiz qilganda kislorodning rolini ham e’tiborga olish lozim-ki, uning mavjudligi ko’p hollarda bu natijalarga bevosita ta’sir ko’rsatadi. Masalan; vakuumda bajarilgan nanotrubkalarni vismut (Bi) va qo’rg’oshin (Pb) bilan to’ldirish tajribalari natijasiz tugadi. Analogik tajribalar havoda bajarilganda kapillyar effektlar qayd etildi. Bunday natijani yuqorida aytilgan kapillyar hodisalar va sirt taranglik kattaliklari orasidagi tasavvurlar bilan tushuntirish mumkin.
Eritilgan qo’rg’oshin (Pb) va vismut (Bi) oksidlarining sirt tarangliklari toza eritilgan metallarning qiymatidan ancha kattadir. Shu sababli kislorodning bo’lishi oksidlarning hosil bo’lishiga olib keladi va natijada kapillyar hodisalarning kechishiga hissa qo’shadi.
Sirt tarangligi 200mHm-1 dan katta bo’lgan materiallar uchun nanotrubkalar kapillyar xususiyatlarini namoyon etmasada, bu muammoni yechish yo’li topildi. Kichik sirt taranglikka ega va shu xususiyatiga asosan nanotrubka ichiga kira oluvchi erituvchilardan foydalaniladi. Erituvchi sifatida kontsentirlangan azot kislotasidan foydalaniladi. Uning sirt tarangligi nisbatan katta emas
Xulosa
II bobda nanotrubkalarning amaliy qo’llanishi masalalari ko’rib chiqilgan bo’lib unda asosiy e’tibor nanotrubkalar asosida kompyuterlar xotirasini ishlab chiqish nanotranzistorlar, nanodispleylar, nanobatareyalar, metaloeletronika va molekulyar elektronika elementlarini ishlab chiqish o’rganilgan va chuqur tahlil etilgan.
| 