Educational Research in Universal Sciences




Download 0,56 Mb.
Pdf ko'rish
bet4/8
Sana08.01.2024
Hajmi0,56 Mb.
#131903
1   2   3   4   5   6   7   8
Bog'liq
4 Educational Research in Universal Sciences ISSN 2181-3515 VOLUME 2 SPECIAL ISSUE 12 2023

Educational Research in Universal Sciences
ISSN: 2181-3515 VOLUME 2 | SPECIAL ISSUE 12 | 2023
 
 
https://t.me/Erus_uz Multidisciplinary Scientific Journal October, 2023 
118
 
no worse than 10
–7
Pa. The dependence of the intensity I passing through the sample 
(light transmission coefficient K) on the photon energy was measured using a UV-1280 
spectrophotometer, and fast electron diffraction patterns were recorded using an ЭМР 
-2 device. 
Disordering of the Si (111) near-surface layer leads to a decrease in the light 
transmittance K in the entire studied photon energy range (h = 0.4 – 1.5 eV) (Fig. 1). 
From fig. 1 shows that in the case of pure Si (111) in the region h = 0.6 – 0.9 eV, the 
value of K does not noticeably change; h = 1.0 – 1.1 eV K sharply, almost linearly, 
with a large steepness decreases to zero. This indicates a good single crystallinity of 
the Si(111) sample. It is known that the presence of disorder at the atomic level in 
crystals leads to the appearance of exponential sections in the dependence of the 
absorption coefficient on (h)
2
. Ion bombardment leads to a noticeable decrease in the 
absorption coefficient in the entire studied region hν, an increase in the exponential 
section and, consequently, a decrease in the steepness of the linear section of the I(h) 
curve (Fig. 1).
Fig. 1. Dependences of the light transmittance K on the photon energy for a 
Si(111) film bombarded with Ar+ ions with Е

= 1 keV at doses D, см
-2
: 1 – 0; 2 – 
510
15
; 3 – 510
16

These changes occur up to a dose of D = 510
16
cm
-2
, which corresponds to the 
complete amorphization of the near-surface layer. In the case of light absorption for 
the exponential region, the dependence of the absorption coefficient on the photon 
energy can be estimated from the formula given in [8] for a CdSeS crystal:
α = α
0
e
− (E
g
−hν)
E
0
where E
0
is the characteristic energy, which determines the edge steepness and 
provides information on fluctuations in the interatomic distances [8]. In [8], to 



Download 0,56 Mb.
1   2   3   4   5   6   7   8




Download 0,56 Mb.
Pdf ko'rish

Bosh sahifa
Aloqalar

    Bosh sahifa



Educational Research in Universal Sciences

Download 0,56 Mb.
Pdf ko'rish