Keywords: heterostructure, nanophase, band gap, nanolayer, nanocrystalline phases, ion implantation, morphology, silicide, transition layer

Download 0,56 Mb. Pdf ko'rish
bet	2/8
Sana	08.01.2024
Hajmi	0,56 Mb.
	#131903

1 2 3 4 5 6 7 8

Bog'liq
4 Educational Research in Universal Sciences ISSN 2181-3515 VOLUME 2 SPECIAL ISSUE 12 2023
01.5, kicik biznes va xususiy tadbirkorning aholini ish bilan taminlash va yangi ish o\'rinlari yaratishdagi o\'rni, Amaliyot kundaligi - 60111800, Mavzu Plezioxron ierarxiya tiimlari (pdh), Razryadlı saralash, tez saralash algoritmlari.Algoritmlar va berilganlar strukturasi, Узбекистон Республикаси2023, MAĠLIWMATNAMA, xiywaǵo Министерство высшего и среднего специального образования, Sonata, klark, 20 tema, Лекция 1, test, iyod yakuniy oxirgi, Kantrakt Shartnoma

Ключевые слова
ANNOTATSIYA
Educational Research in Universal Sciences ISSN: 2181-3515 VOLUME 2 | SPECIAL ISSUE 12 | 2023

Keywords: heterostructure, nanophase, band gap, nanolayer, nanocrystalline
phases, ion implantation, morphology, silicide, transition layer.

АННОТАЦИЯ
В данной работе проведены сравнительные исследования влияния
бомбардировки ионами Ar+ и Ni+ на состав, структуру и коэффициент
прохождения света монокристаллического Si. В обоих случаях имплантация
приводит к разупорядочению поверхностных слоев и уменьшению К. После
прогрева при Т = 900 К Si, имплантированного ионами Ni+, в поверхностной
области Si в зависимости от дозы ионов формируются эпитаксиальные фазы (при
D < 51015 см-2) и пленки (при D = 61016 см-2) NiSi2.
Ключевые слова: гетероструктура, нанофаза, запрещенная зона, нанослой,
нанокристаллические фазы, ионная имплантация, морфология, силицид,
переходный слой.

ANNOTATSIYA
Ushbu ishda Ar
+
va Ni
+
ionlari bilan bombardimon qilishning natijasida
monokristal Si ning tarkibi, tuzilishi va yorug‘lik o‘tkazuvchanlik koeffitsientiga
ta’sirini qiyosiy tadqiqotlari olib borildi. Ar
+
va Ni
+
ionlari bilan bombardimon
qilinganda implantatsiya sirt qatlamlarining tartibsizlanishiga va K ning kamayishiga
olib keladi. Ni
+
ionlari bilan bombardimon qilingan Si ning T = 900 K da
qizdirilgandan so‘ng, ion dozasiga qarab, Si sirt mintaqasida yuza va yuz osti
qatlamlarida epitaksial fazalar hosil bo‘ladi. Doza D < 5∙10
15
sm
-2
) dan yuqori
miqdorda olingan, NiSi
2
plyonkalar hosil bo‘lish dozasi D = 6∙10
16
sm
-2
da.

Educational Research in Universal Sciences
ISSN: 2181-3515 VOLUME 2 | SPECIAL ISSUE 12 | 2023

https://t.me/Erus_uz Multidisciplinary Scientific Journal October, 2023

Download 0,56 Mb.

1 2 3 4 5 6 7 8

Download 0,56 Mb.

Pdf ko'rish