• 2.2 – rasm. n-p-n o‘tkazuvchanlikka ega bo‘lgan bipolyar tranzistorda toklar yo‘nalishi. Bipolyar tranzistorlarni asosiy parametrlari
  • 2.3 – rasm. BTning statik rejimda UB (a), UE (b) va UK (v) ulanish sxemalari
  • 2.4– rasm. BT ning kirish xarakteristikasi: a) UB da b) UE da.
  • – rasm. p-n-p va n-p-n o‘tkazuvchanlikka ega bo‘lgan bipolyar tranzistor tuzilmasi




    Download 1.68 Mb.
    bet7/37
    Sana19.09.2023
    Hajmi1.68 Mb.
    #82847
    1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   ...   37
    Bog'liq
    Amaliy elektronika ma\'ruzalar kursi
    mirtA, ENGLISH 301-tests 2 course, 49773, Qutb koordinatalar sistemasi-fayllar.org, Biologiya online test
    2.1 – rasm. p-n-p va n-p-n o‘tkazuvchanlikka ega bo‘lgan bipolyar tranzistor tuzilmasi.
    Tranzistor raqamli sxemalarda qo‘llanilganda u to‘yinish rejimida (ikkala o‘tish ham to‘g‘ri yo‘nalishda siljigan), yoki berk rejimda (ikkala o‘tish teskari siljigan) ishlashi mumkin.

    2.2 – rasm. n-p-n o‘tkazuvchanlikka ega bo‘lgan bipolyar tranzistorda toklar yo‘nalishi.

    Bipolyar tranzistorlarni asosiy parametrlari:
    Kirish qarshiligi: [Om] ;
    CHiqish qarshiligi: [Om] ;
    Tok bo‘yicha kuchaytirish koeffitsienti: ;
    Kuchlanish bo‘yicha kuchaytirish koeffitsienti: ;
    Quvvat bo‘yicha kuchaytirish koeffitsienti: .
    BTda elektrodlar uchta bo‘lgani sababli, uch xil ulanish sxemalari mavjud: umumiy baza (UB); umumiy emitter (UE); umumiy kollektor (UK). Bunda BT elektrodlaridan biri sxemaning kirish va chiqish zanjirlari uchun umumiy, uning o‘zgaruvchan tok (signal) bo‘yicha potensiali esa nolga teng qilib olinadi. BTning rasmda keltirilgan ulanish sxemalari aktiv rejimga mos.

    a) b) v)



    2.3 – rasm. BTning statik rejimda UB (a), UE (b) va UK (v) ulanish sxemalari

    UB sxemasi uchun kirish statik xarakteristikasi bo‘lib UKB = const bo‘lgandagi IE= f (UEB) bog‘liqlik, UE sxemasi uchun esa UKE = const bo‘lgandagi IB=f(UBE) bog‘liqlik hisoblanadi. Kirish xarakteristikalarining umumiy xarakteri odatda to‘g‘ri yo‘nalishda ulangan p-n bilan aniqlanadi. SHu sababli tashqi ko‘rinishiga ko‘ra kirish xarakteristiklari eksponensial xarakterga ega (2.4- rasm).


    Kollektor o‘tishdagi teskari kulanishning ortishi bilan UB sxemadagi kirish xarakteristika chapga, UE sxemada esa o‘ngga siljiydi.
    UB sxemadagi tranzistorning chiqish xarakteristikalari oilasi bo‘lib IE =const bo‘lgandagi IK= f (UKB) bog‘liqlik, UE sxemada esa IB =const bo‘lgandagi IK= f (UKE) bog‘liqlik hisoblanadi.

    a) b)
    2.4– rasm. BT ning kirish xarakteristikasi: a) UB da b) UE da.


    a) b)

    Download 1.68 Mb.
    1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   ...   37




    Download 1.68 Mb.

    Bosh sahifa
    Aloqalar

        Bosh sahifa



    – rasm. p-n-p va n-p-n o‘tkazuvchanlikka ega bo‘lgan bipolyar tranzistor tuzilmasi

    Download 1.68 Mb.