|
– rasm. BT ning chiqish xarakteristikasi: a) UB da b) UE da
|
| bet | 8/37 | | Sana | 19.09.2023 | | Hajmi | 1.68 Mb. | | #82847 |
Bog'liq Amaliy elektronika ma\'ruzalar kursi mirtA, ENGLISH 301-tests 2 course, 49773, Qutb koordinatalar sistemasi-fayllar.org, Biologiya online test| 2.5 – rasm. BT ning chiqish xarakteristikasi: a) UB da b) UE da.
Chiqish xarakteristikalari ko‘rinishiga ko‘ra teskari ulangan diod VAXiga o‘xshaydi, chunki kollektor o‘tish teskari ulangan. Xarakteristikalarni qurishda kollektor o‘tishning teskari kuchlanishini o‘ngda o‘rnatish qabul qilingan.
UE sxemasida ulangan tranzistorning chiqish xarakteristikasi UB sxemada ulangan tranzistorning chiqish xarakteristikasiga nisbatan katta qiyalikka ega.
UB sxemada ulangan, eritib tayyorlangan n-p-n BTning aktiv rejimda ishlashini ko‘rib chiqamiz (2.6- rasm).
BTning ishlashi uch hodisa hisobiga amalga oshadi:
emitterdan asosiy zaryad tashuvchilarning bazaga injeksiyalanishi;
bazaga injeksiyalangan EZTlarning diffuziya va dreyf hisobigacha yetib kelishi;
bazaga injeksiyalangan va ko‘gacha yetib kelgan noasosiy zaryad tashuvchilarning ekstraksiyalanishi.
2.6 - rasm. Aktiv rejim uchun kuchlanish manbalari qutblari va
elektrodlar toklari yo‘nalishlari.
EO‘ to‘g‘ri siljitilganda (UEB ta’minot manbasi hisobiga amalga oshiriladi) uning potensial barьeri pasayadi va elektronlar emitterdan bazaga injeksiyalanadi. Elektronlarning emitterdan bazaga hamda kovaklarning bazadan emitterga injeksiyalanishi hisobiga emitter toki IE hosil bo‘ladi:
, (2.1)
bu yerda IEn, IEr– mos ravishda elektronlar va kovaklar injeksiya toklari.
Emitter tokining IEr tashkil etuvchisi kollektor orqali oqmaydi va shuning uchun foydasiz tok hisoblanadi. IEr qiymatini kamaytirish uchun bazadagi akseptor kiritmalar konsentratsiyasi qiymati emitterdagi donor kiritmalar konsentratsiyasiga nisbatan ikki tartib kichik qilib olinadi.
Emitter tokida elektronlarning injeksiya toki IEn ulushini injeksiya koeffitsienti deb ataluvchi kattalik ifodalaydi. U emitter ishlash samaradorligini belgilab, emitter tokidagi foydali tok ulushini ko‘rsatadi
. (2.2)
Odatda =0,990-0,995 ni tashkil etadi. Bazaga injeksiyalangan elektronlar, bazada kollektor tomonga diffuziyalanib ko‘gacha yetib boradi. So‘ngra kollektorga ekstraksiyalanadi (ko‘ning elektr maydoni ta’sirida kollektorga tortib olinadi) va kollektor toki IKn ni hosil qiladi.
Kollektorga o‘tish davomida injeksiyalangan elektronlarning bir qismi baza sohadagi kovaklar bilan uchrashib rekombinatsiyalanadi va ularning konsentratsiyasi kamayadi. Yetishmovchi kovaklar tashqi zanjir orqali kirib (elektr neytrallik sharti bajarilishi uchun), baza tokining rekombinatsion takshil etuvchisi IBREK ni hosil qiladi. IBREK qiymati katta bo‘lgani uchun uni kamaytirishga harakat qilinadi. Bunga baza kengligini kamaytirish bilan erishiladi.
Emitterdan injeksiyalangan elektronlar tokining baza sohasida rekombinatsiya hisobiga kamayishi elektronlarni tashish koeffitsienti deb ataluvchi kattalik bilan ifodalanadi
. (2.3).
Real tranzistorlarda =0,980 ÷ 0,995.
Aktiv rejimda tranzistorning KO‘ teskari yo‘nalishda siljitilgan (UKB bilan amalga oshiriladi)ligi sababli, kollektor zanjirida xususiy tokIK0 oqadi. U ikki xil noasosiy zaryad tashuvchilarning dreyf toklaridan tashkil topgan. Natijada p-n o‘tishning teskari toki amalda teskari kuchlanishga bog‘liq bo‘lmaydi va xona temperaturasida kremniyli o‘tishlarda IK0=10-15 A ni tashkil etadi. SHunday qilib, emitter toki boshqaruvchi, kollektor toki esa boshqariluvchidir. SHuning uchun BT tok bilan boshqariluvchi asbob deyiladi.
|
| |
