|
Elektronika va avtomatika
|
| bet | 1/10 | | Sana | 16.11.2023 | | Hajmi | 1,1 Mb. | | #99615 |
Bog'liq МЕТОДИЧКА НОРМУРОДОВ
O‘ZBEKISTON RESPUBLIKASI OLIY VA O‘RTA MAXSUS TA’LIM VAZIRLIGI
I.KARIMOV NOMIDAGI TOSHKENT DAVLAT TEXNIKA UNIVERSITETI
“ELEKTRONIKA VA AVTOMATIKA” fakulteti
“RAQAMLI ELEKTRONIKA va MIKROELEKTRONIKA” kafedrasi
5310800 - “Elektronika va asbobsozlik” yo‘nalishi bo‘yicha
“MST” fanida TTM, EBM va K- MOYA baza elementlarini tuzish asoslarini o‘rganish bo’yicha uslubiy ko’rsatmalar
TOSHKENT - 2022
UO’K 621.39(075)
Isayev F.F., Normuratov U. M. o‘.
“MST” fanida TTM, EBM va K- MOYA baza elementlarini tuzish asoslarini
o‘rganish bo’yicha uslubiy ko’rsatmalar – Toshkent: ToshDTU, 2020. 44 b.
Ushbu uslubiy ro’rsatmalar “Elektronika va asbobsozlik” (elektronika
sanoatida) bakalavriyat ta’lim yo’nalishi talabalari uchun mo’ljallangan.
I.Karimov nomidagi ToshDTU ilmiy-uslubiy kengashining qarori ( 2022 yil
___ ________ dagi ___-sonli bayonnoma) bilan chop etilgan.
Taqrizchilar:
Sapayev M.S. – TATU “ETT” kafedrasi dotsenti, t.f.n.
Tursunov M.A.. –TDTU “EAIChT” kafedrasi professori, f.-m.f.n.
© Toshkent davlat texnika universiteti, 2022
Mundarija
Kirish…………………………………………………………………………..
Asosiy qism……………………………………………………………………
TTM mantiqiy raqamli integral sxemalarni tayanch
elementlarini qurish……………………………………………………
1.1.Amaliy qism……………………………………………………………….
2 .EBM mantiqli raqamli integral sxemalarni tayanch
elementlarini qurilishi…………………………………………………..
2.1.Amaliy qism……………………………………………………………….
Raqamli integral sxemalarni MOYAO’ mantiqidagi
tayanch elementlarini qurish…………………………………………..
3.1.Amaliy qism………………………………………………………………
Hulosa…………………………………………………………………………..
Adabiyot………………………………………………………………………..
KIRISH
Raqamli integral sxemalarni (IS) ado etishi uchun mantiqni turli hillaridan foydalaniladi o’zlarini sxematerik qurilishidagi hususiyatlari bilan foydalanuvchi: tranzistor – tranzistor (TTM), emitter – bog’langan mantiq (EBM), metal – oksid – yarim o’tkazgich (MOYAO’) va boshqalar.
Mantiqiy elementdan integral miksorxemani asosiy xaraktiristikalarini aniqlaydigan parametrlar toplami bilan ifodalaniladi, kabi:
1. Sezgirlik – kirish kuchlanishi eng kichik qiymati, bunda integral sxemani elektr parametrlari berilgan qiymatga mos keladi.
2. Mantiqiy 1 kuchlanishi U1 – kuchlanishni yuqori daraja qiymati “musbat mantiq uchun” va kuchlanishni pastki daraja qiymati “manfiy mantiq uchun”.
3. Mantiqiy 0 kuchlanishi U0 – “musbat - mantiq” uchun kuchlanishni pastki daraja qiymati va “manfiy mantiq uchun kuchlanishni yuqori darajali qiymati.
4. Mantiqiy 1 ni chegaraviy kuchlanishi U1por – “musbat” mantiq uchun kuchlanishni yuqori darajasini eng kichik qiymati yoki “manfiy” mantiq uchun kuchlanishni pastki darajasini eng katta qiymatida integral sxema bitta muvozanat holatdan boshqasiga o’tishi sodir bo’ladi.
5. Mantiqiy 0 ni chegaraviy kuchlanishi U0por – “musbat” mantiq uchun kuchlanishni pastki darajasini eng yuqori qiymati yoki “manfiy” mantiq uchun kuchlanishni yuqori darajasini eng kichik qiymati, bunda integral sxemani bitta muvazan holatidan boshqasiga o’tishi sodir bo’ladi.
6. O’rtacha iste’mol quvvati – quvvat qiymati quvvatlarni yarim yeg’indisiga teng, mantiqiy integral sxemani ta’minot, manbayi va ikkita turli muvozanat holatidan iste’mol qiladigan quvvati.
7. Mantiqiy integral mikrosxemani signalini tarqalishidagi kechikishini o’rtacha vaqti – vaqt intervali mantiqiy integral mikrosxemani uzilishi va o’chirilishi vaqtidagi signalni kechikish vaqtini yarim yeg’indisiga teng.
8. Kirish bo’yicha birlashtirish koeffisienti – mantiqiy elementni kirishlar soni.
9. Chiqish bo’yicha tarmoqlanish koeffisienti – yuklamalar soni mantiqiy elementni sxemasini bitta chiqishiga ulanishi mumkin bo’lgan yuklamalar soni.
Mikrosxemalarni turli hillarini solishtirilishi shunday parametrdan foydalaniladi, uzib ulanishni o’rtacha ishi Asr (o’rta iste’mol quvvatiga uzib ulanishdagi o’rtacha kechikishni ko’paytmasi), integral mikrosxemani sifati qancha yuqori bo’lsa u shuncha kichik bo’ladi. Bu parametr sifat faktori deyiladi.
Jadval 1 da mantiqiy elementlarni IS larini parametrlarini nisbiy tahlili keltirilgan. Ko’rinib turibdiki, sifat faktori bo’yicha eng istiqbolli bo’lib galliy arsenididan ishlangan MEP – mantiqiy sxemalari hisoblanadi.
Jadval 2. da mantiqlarni ushta asosiy hilini IS larini parametrlarini nisbiy tahlili keltirilgan: TTM, EBM, MOYAO’, ular bazali mantiqiy elementlarni (BME) qurish tamoyillarini tatqiq qilishda qo’llaniladi.
Har qanday hildagi mantiqni tayanch elementlari bo’lib tranzistorda yeg’ilgan elektron kalitlar hisoblanadi. TTM, EBM, I2 M uchun bu bi qutbli kaliti, MOYAO’, KMOYAO’ uchun – bu turli hildagi kanallarga ega bo’lgan maydon tranzistorlarda yeg’ilgan kalit, TTMSH MEYAO uchun – metal yarim o’tkazish o’tishiga ega bo’lgan tranzistorlardan (TTM Shottki) foydalaniladi. Bu bazaviy elementlar BME sxemotexnik qurishlar asosida yotadi. 1 pog’onali yoki ko’p pog’onali turli mantiqlar: VA – YOQ, YOKI – YOQ va boshqalar BME o’z navbatida kombinatsiyon va ketma- ket raqamli qurilmalarni qurish uchun tayanch elementlar hisoblanadi (shifratorlar, multipleksorlar va boshqalar, hisoblagichlar, registrlar va boshqalar signallariga ishlov beruvchi maxsus funksiyalarni bajarish uchun tayanch elementi hisoblanadim ular tayanch matritsa kristallarida integral mikrosxemalarni mantiqiy matritsalarini dasturlanishini ado etadi (DMIS), mikrokontrollerlar maxsus IS lar va boshqalar.
Jadval 1
|
| |
