|
Mantiqiy IS larni malum hillarini nisbiy tahlili
|
| bet | 2/10 | | Sana | 16.11.2023 | | Hajmi | 1,1 Mb. | | #99615 |
Bog'liq МЕТОДИЧКА НОРМУРОДОВMantiqiy IS larni malum hillarini nisbiy tahlili
Mantiq turi
|
|
DTM
|
|
TTM
|
|
TTMSH
|
|
EBM
|
|
I2 M
|
|
MOYAO’
|
|
KMOYAO’
|
|
Bi KMOYAO’
|
|
MIYAO
|
|
Jadval 2.
IS larni mantiqini ushta asosiy xilini nisbiy tahlili
Mantiq turi
|
TTM
|
EBM
|
KMOYAO’
|
IS parametri
|
|
Halaqitga chidamli V
|
|
Chegaraviy kuchlanish V
|
|
Mantiqiy 1 ni darajasi V
|
|
Mantiqiy 0 ni darajasi V
|
|
O’rtacha iste’mol quvvati mVt
|
|
Ushbu uslubiy ko’rsatmalarda “MST” fanida TTM, EBM va K- MOYA baza elementlarini tuzish asoslarini o‘rganish masalalari ko’rib chiqilgan
ASOSIY QISM
1. TTM MANTIQI RAQAMLI INTEGRAL SXEMALARNI TAYANCH ELEMENTLARINI QURISH
TTM- mantiq bi qutbli tranzistordan iborat tayanch elementi asosida qurilgan, unda elektron kalitini ado etish tez ishlashni yuqori xaraktiristikalariga erishish imkoniyatini beradi. TTM mantiq asosida bir pog’anali mantiqni tayanch elementlari quriladi VA – YOQ, YOKI – YOQ va boshqalar ular o’z navbatida ko’p pog’onali mantiqiy elementlarni tayanchini ado qiladigan elementlar hisoblanadi, triggerlarni hisoblagichlarni registrlarni multipleksrlarni deshivratorlarni va boshqalarni ketma ket va kombinatsiyon strukturalarini, matritsa kristallari asosida quriladigan maxsus talab qilinadigan SBIS tayanch elementlarini qurish hisoblanadi.
Asos sifatida VA – YOQ ni olib, ko’rinib turibdiki VA mantiqiga ega bo’lgan mantiqiy element uchun uning kirishida ko’p emitterli tranzistordan foydalanish maqsadga muvofiq hisoblanadi, alohida tranzistorli kirishga ega bo’lgan sxemalar afzallikga ega bo’lsada (rasm 1).
TTM – elementni ishlashini bayon qilish uchun alohida kirishga ega bo’lgan tranzsitrli sxemadan foydalanamiz. Ko’p emitterli kirishga ega bo’lgan tranzistor elementlarini ishini terminlarda bayon qilish mumkin, bunda u bir necha bir hil tranzistorlarni baza va kollektrlarini birlashtirish natijasida olingan ko’p emitterli tranzistor hisobga oladigan.
Mantiqiy kirishlarda dastlabki holatda kuchlanish 0 ga teng bo’lsin: UA=UB – U0=0 . shunda T01 va T02 tranzsitrlarini emitterlari 0 kuchlanish ostida bo’ladi, ularni emitter o’tishlari to’g’riga siljiydi vat ok I0=(Ek – U) /R0 tranzistorni bazalar orasida teng taqsimlanadi kirish tranzistorlari va R0 rezistr UA=UB=0 holatda ishlaydi huddi odatdagi tranzistor kaliti “uzilgan” kollektr kabi.
Kalitni chiqish kuchlanishi kuchlanishni tushuvi va to’yingan kirish tranzistorida Uke nas va U0 yeg’indisi kabi aniqlanadi. Bu kuchlanish T1 tranzsitrida yeg’ilgan invertorni emitter – baza o’tishga qo’yilgan chegaraviy kuchlanishdan oshmaydi, buni hisobga olgan tranzistor ishonchli yopiq bo’ladi T1 tranzistori yopiq bo’lganida chiqish kuchalanishi mantiqiy 1 darajasiga ega bo’ladi, yani U1=Ek.
Rasm1. VA-YOQ tayanch elementi; a – 3VA – YOQ asosidagi ko’p emitterli tranzistor; b – 2VA – YOQ asosida yeg’ilgan ajralgan tranzistorlar.
A kirishga U1 kuchlanish berilsin. Ikkinchi kirishdagi kuchlanish 0 ga teng bo’lib qolgani uchun T02 tranzistori hozirgacha ochiq bu shuni bildiradiki T1 tranzistorni bazasidagi kuchlanish hozirgacha 0 ga teng.
Sxemada hichqanday o’zgarish hosil bo’lmaydi va chiqishda hozirgacha Ek daraja saqlanadi. Huddi shunday bo’ladi agar U1 kuchlanishni B kirishga bersak.
Agar U1 kuchlanishni ikkala mantiqiy kirishga bersak shunda ikkala tranzistor T01 va T02 invers faol rejimda bo’lib qoladi va tok I0 (V+1) marta kuchaytirilgan T1 tranzsitrini bazasiga oqib kiradi. Shunda tranzistor ochiladi va kollektrni potensiali to’yinish holatida Uost ga teng bo’lib qoladi. Bu qiymat mantiqiy 0 darajasi bo’ladi shuni bildiradiki TTM sxema musbat mantiqda VA-YOQ funksiyani bajaradi. Ammo manfiy mantiqda TTM sxemasi YOKI YOQ funksiyani bajaradi.
|
| |
