|
Mustaqil ish uchun topshiriq
|
| bet | 9/10 | | Sana | 16.11.2023 | | Hajmi | 1,1 Mb. | | #99615 |
Bog'liq МЕТОДИЧКА НОРМУРОДОВMustaqil ish uchun topshiriq
1. 2VA – YOQ EBM ni tayanch elementi ekvivalent sxemasini yeg’ing bir necha EBM mantiqiy elementlarini chiqishlarini birgaligi asosida umumiy yuklamaga emitter takrorlagichlari orqali ulang va ularni ishga yaroqliligini tekshiring.
2. 2 yarusli tok uzib- ulanishlari asosida EBM teyanch elementlarini ekvivalent sxemasini yeg’ing va uning ishga yaroqliligini tekshiring.
3. E2MM tayanch elementini ekvivalent sxemasini yeg’ing va uni ishga yoroqliligini tekshiring.
4. EBM li TME ning halaqitga chidamlilik tatqiqotini o’tkazing.
Nazorat savollari
1. EBM 3 YOKI 3YOKI YOQ standart elementini sxematexnik strukturalarini ishlash tamoyilini tushintiring.
2. umumiy yuklamaga emitter takrorlagichi orqali 2VA – YOQ funksiyasini ado etish uchun EBM mantiqiy elementlarini bir necha chiqishlarini birgalikda ulanishidan foydalanishni tushintiring.
3. EBM TME ni funksional imkoniyatlarini kengaytirish uchun 2 yarusli tok uzib ulagichlaridan ulanishdan foydalanishni tushintiring.
4. E2BM TME da sxematexnik strukturani ishi vazifasi va tamoyilini tushintiring.
5. KEBM BME li sxemani vazifasi va ishlash tamoyilini tushintiring.
6. EBM TME sini halaqitga chidamliligini tahlil qiling.
7. EBM TME ni turli hillarini nisbiy xaraktiristikasi keltiring.
3. RAQAMLI INTEGRAL SXEMALARNI MOYAO’ MANTIQIDAGI TAYANCH ELEMENTLARINI QURISH
MOYAO’ sxemotexnikasini keng foydalanishiga ularni ishlab chiqarishdagi quyidagi faktrlar yordam berdilar: tayyorlashni oddiyligi integratsiya darajasini yuqoriligi va halaqitga chidamliligini yaxshiligi va yuqori ongli yuklamada ishlashi. Huddi shu vaqtda katta kirish va chiqish qarshiligi katta qoldiq kuchlanishi pastroq tez ishlashi va starik elektrga sezgirligi MOYAO’ mantiqini manfiy kamchilik hisoblanadi. Shu sababli integral sxemalarni qurishda MOYAO’ tranzistorli kalitni rezisriv yuklama bilan foydalanilmaydi va bir qator texnalogik va sxema yechimlari ko’zda tutiladi. Qoldiq kuchlanishni kamaytirishi va MOYAO’ TME ni tez ishlashini oshirishga yo’naltirilgan.
MOYAO’ mantiqli sxemalarda bir hildagi o’tkazuvchanlikda, masalan N hilli induksiyalanadigan kanali bilan ketma ket qilib taminot manbayi bilan yuklama tranzistorni tayanadi o’raydilar kvadrat chiziqli rezistr kabi foydalaniladigan. Mantiqiy amallarni bajarish uchun T1 T2 T3 tranzistorili matritsalaridan foydalaniladi ular ketma ket ulanganda VA – YOQ mantiqiy funksiyani ado etishadi (rasm 24 a). Agar T1 T2 T3 tranzistorlarining birini kirishida potensial bo’lsa chegaraviy kuchlanishdan kichik, shunda tranzistor yopiq holda qoladi. Tokni qolgan tranzistorlari ham o’tkazmaydi. Faqat tranzistorlarni bir vaqtda ochilishida yopiq holatdan ochiq holatga o’tish sodir bo’ladi. Yuklamali tranzistorni zatvoridagi kuchlanish tamoyilga ko’ra taminot kuchlanishiga teng bo’ladi shu sababli odatda zatvor stok bilan ulangan va yuklama tranzistori 3C – I diodi kabi ishlaydi. Ammo ruxsat etuvchi signalli yoki dinamik sxemalarda zatvorga takt impulslari beriladi.
MOYAO’ tranzistorlarini parallel ulanganida agar T1 T2 T3 tranzistorlari o’tkazmasa, chiqishda yuqori potensial o’rnatiladi qachonki yuqorida ko’rsatilgan tranzistorlarning bittasini zatvorga kirish potensiali chegaraviy kuchlanishdan ortiq bo’lsa shunda bu tranzistor ochiladi va chiqish potensiali kamayadi. Ushbu holatda YOKI – YOQ mantiqiy amal ado etiladi (rasm 24, b). MOYAO’ mantiqni tez ishlashi chiqishdagi sig’imlarini qayta zaryadlanish tezligi bilan cheklanadi, u mantiqni yuklama elementlarini soniga bog’liq bo’ladi.
Rasm 24. uch kirishli mantiqiy element, induksiyali kanalga ega bo’lgan MOYAO’ tranzistorlarida ado etilgan: a – 3VA – YOQ funksiyasini ado etilishi; b – 3YOKI – YOQ funksiyasini ado etilishi.
O’xshash sxema bo’yicha ichida P kanali bo’lgan tranzistorlarda mantiqiy elementlar quriladi. Tranzistorlardan har biri yuklama tranzistori bilan birgalikda invertorni hosil qiladi.
Qachonki MOYAO’ tranzistori tok o’tqazganida uning elektrodlar orasidagi qarshiligi yuklama tranzistorini qarshiligi bilan birgalikda kuchlanishni bo’lgichini hosil qiladi va u chiqish kuchlanishi kattaligini aniqlaydi. Tranzistor yopiq bo’lganida chiqish kuchlanishi taminot kuchlanishidan biroz farq qiladi.
Ketma- ket va parallel MOYAO’ tranzistorlarini ulanishini kombinatsiyalashtirib har qanday funksiyani bajarilishini berishi mumkin.
MOYAO’ tranzistorlarining kirish qarshiligini juda kattaligi alohida sinflarni yaratish imkonini beradi. Dinamik MOYAO’ mantiqini (TMOYAO’) ular uchun qisqa vaqtli axborotni kondensator yordamida esalb qolish harakterli, ular sifatida traznistrni o’zlarini sig’imlaridan foydalaniladi N hildagi induksiyalangan kanalga ega bo’lgan. Yuklama tranzistorini zatvoriga (rasm 25 a) takt impulslari beriladi ularni balandligi taminot manbayi kuchlanishiga teng bo’ladi. Impuls tasir qilgan vaqtda yuklama tranzistori ochiq agar TME ni kirishida mantiqiy 0 potensiali mavjud bo’lsa, shunda takt impulsi tasir qilganidan kegin va yuklama tranzistori yopilgach mantiqiy 1 ni chiqish kuchlanishi Sn kondensatori bilan qo’llab turiladi.
Kichik tok bilan razryadlarni borgan sari kirish tranzistorini yopiqligida kuchlanish sekin kamayadi keying takt impulsi kelishi bilan yuklama tranzistor yana ochiladi va UVIX ni oldingi qimati tiklanadi. Takt impulsi bo’lmagan holda iste’mol quvvati amalda kirishda har qanday signal amalda 0 ga teng bo’ladi. Shunday qilib dinamik MOYA li TME Q marta kichik quvvatga ega bo’ladi u yerda Q takt impulslarini chuqurligi.
Iste’mol quvvatini kichik bo’lishi dinamik sxemalarni yagona avzalligi emas. Boshqa avzalligi usha sxemalarni soddalashtirishda axborotni eslab qolish talab qilinadi masalan ichki kechikishga ega trigger qurilmalarida, registrlarda operativ hotira qurilmalarida va boshqalarda integratsiya darajasi yuqori bo’lganida.
Dinamik sxemalar uchun sinxron ish rejimi harakterli, ammo oddiy invertor uchun ushbu shart bajarilmaydi (rasm 25 a) shuning uchun maxsus uzatish tranzistori kiritiladi, va u takt impulslari orasidagi pauzada yopiq va chiqishda mantiqiy darajani o’zgarishiga yo’l qo’ymaydi kirish signali tasir qilganida (rasm 25, b).
MOYAO’ ni mantiqni TME si uchun tez ishlashidan oshirish uchun yuklama tranzistori sifatida boshqa hildagi kanaldan foydalanish hisoblanadi. Komplemental tranzistorlarda ado etilgan oddiy sxema bo’lib komplemental tranzistorli kalit hisoblanadi (rasm 26). agar Uvx=0 bo’lsa shunda UZI1=0, UZI2 esa= - EP va N kanalli tranzistor T1 yopiq P kanalli T2 esa ochiq.
Agar kirishdagi kuchlanish UVX>0 dan bo’lsa shunda UZI1=EP UZI2 esa = 0 va n kanalli tranzistor T1 ochiq p kanalli T2 yopiq.
Bunda ham umumiy zanjirdagi tok kichik bo’lib qolaveradi chunki p kanalli tranzistor yopiq. Shunday qilib KMOYAO’ li TME quvvatni iste’mol qiladi faqat bitta mantiqiy holatdan ikkinchisiga ulanish vaqtida.
Komplemental kalitlarni muhim hususiyati bo’lib shunday fakt hisoblanadiki ular amalda quvvatni ikkala holatda ham amalda iste’mol qilmaydi. Eng istiqbolli mantiqiy mikrosxemalar bo’lib KMOYAO’ tranzistorlarda yeg’ilgan integral elementlari hisoblanadi. Ular statik rejimda kichik iste’mol quvvati bilan ajralib turadi, (~ 10-9 Vt) tez ishlashi bilan (~ 10 MGts), yuqori halaqitga chidamlilikga, taminot manbalaridan foydalanganda yuqori effektivlilik bilan farq qiladi.
Rasm 25. dinamik TME ni MOYAO’ mantiqi (DMOYAO’): a – kondensator yordamida axborotni qisqa vaqt eslab turish, u sifatida sig’imli tranzistordan foydalaniladi; b – sinxron rejimni uzatuvchi tranzistor yordamida taminlanishi.
TME ni yuqori chiqish va kirish qarshiliklari elektrodlarda statik elektrni to’planishi sababli bo’ladi (200 V gcha) bu esa tranizstrni teshilishiga olib kelishi mumkin shu sababli kirish va chiqish zanjirlariga diodli cheklagichlar qo’yiladi (rasm 27). diodli zanjirlarni mavjudligi TME dan foydalanishga qo’shimcha cheklashlarni qo’yadi: |Uvx – Uvix|< aks holda diodlar ochilip taminot zanjirini qisqa tutashtirishi mumkin bu ham tranzistorni teshilishiga sabab bo’lishi mumkin. Shuning uchun KMOYAO’ IS lardagi kuchlanish ulanishidan oldin so’ndirilishi kerak va kirishdagi axborot signallari o’chirilganidan kegin oshilishi kerak.
Rasm 26) KMOYAO’ mantiqli invertor.
Rasm 27. KMOYAO’ mantiqli TME ni diodli himoyasi.
KMOYAO’ tranzistorlarida yeg’ilgan IS larda mantiqiy amallar ham kirish tranzistorlarini ketma – ket ulanishi yo’li bilan ado etiladi VA-YOQ funksiyasini bajarish YOKI-YOQ funksiyasini ado etishini parallel ulanish. Bunda har bir kirishga ikkita tranzistor talab qilinadi kalit elementini hosil qilish uchun (rasm 28 da KMOYAO’ mantiqiy elementlarini strukturasidagi qonuniyat ko’rinib turibdi: bitta hildagi tranzistorni parallel ulanishi boshqa hildagi tranzistorni ketma ket ulanishi bilan birgalikda olib boriladi). Bajarilayotgan mantiqiy funksiya “pastki qavat” tranzistorni ulanishi bilan aniqlanadi. Ko’rib chiqilayotgan sxemada – bu n kanalli tranzistorlar. Agar taminot kuchlanishini qutubini o’zgartirsak “pastki qavatda” shunda p kanalli tranzistor bo’lib qoladi.
Rasm 28. TME li KMOYAO’ mantiqi: a – 2YOKI-YOQ; b – 2VA-YOQ
Tranzistorlarni YOKI-YOQ KMOYAO’ mantiqlari sxemalari uchun tranzistorlarni giometrik o’lchamlari bir hil bo’lganida uzib ulanish vaqti t0-1 t1-0 ancha katta bo’ladi shuning uchun o’rta kechikish vaqti kirishlar soniga tahminan proporsional holda ancha kuchliroq oshadi VA-YOQ elementlariga nisbatan. Tez ishlashini nuqtayi nazaridan optimal hisoblanadi p kanalli tranzistorlarni o’lchamini n – kanaliga nisbatan oshirish hisoblanadi. elementiga qaraganda sezilarli kuchliroq qilish kerak bo’ladi. bu esa TME ni kristaldagi egallagan yuzasini oshishiga olib keladi bu esa yuklama sig’imini oshiradi. Shu sababli YOKI – YOQ elementlarini tez ishlashi (taklif qilinganda ular ME larga o’xshab yuklangan) tahminan ikki marta yomonroq bo’ladi VA – YOQ elementlariga qaraganda. Shunday qilib KMOYAO’ mikrosxemalarida VA – YOQ elementlaridan foydalangan yaxshiroq.
|
| |
