6-rasm. Fotodiodning yuklamaga ulanish sxemasi va volt-amper tavsifi.
Fototranzistorlar
Yorug‘lik okimini nurlanishini qayd qilish hisobiga foto tokni kuchaytirib beruvchi tranzistorlarga fototranzistorlar deb yuritiladi. Bipolyar fototranzistor bu oddiy tranzistor bo‘lib, uni korpusidan bazaga yorug‘lik oqimi o‘tadigan tiniq oyna qo‘yilgan. r-n-r turdagi bipolyar fototranzistorni ulanish sxemasi 7-rasmda ko‘rsatilgan.
Fototranzistorni bazasida yutilgan yorug‘lik kvanti unda bir juft zaryad tashuvchilar elektron va teshikni generatsiyalaydi. U kollektorni o‘tish tomoniga diffuziyalanib fotodioddagi kabi ikkitaga ajratiladi. Teshiklar kollektorni o‘tish maydoni ta’sirida bazadan kollektor tomon harakatlanib kollektor tokini ortiradi. Elektronlar bazada qolib emitter o‘tishining kuchlanishini ko‘taradi. Natijada bu teshiklarning injeksiya bo‘lishini kuchaytiradi. Bu kollektor tokini qo‘shimcha kuchayishiga olib keladi. Yuqoridagi hodisalar n-r-n tranzistorda ham sodir bo‘ladi.
a) b)
7- rasm. Erkin bazali fototranzistorni ulanish sxemasi va VAT.
7 a-rasmda erkin bazali fototranzistorni ulanish sxemasi berilgan. Fototranzistorni integral sezigirligi fotodiodnikidan o‘nlab marta katta bo‘lib, u bir lyumenga yuzlab milliameperlarga to‘g‘ri kelishi mumkin. Fototranzistorni erkin bazasi past haroratli turg‘unlikka ega. Bunday kamchilikni yuqotish uchun fototranzistorga haroratini turg‘unlovchi sxema ulanadi. 7 b-rasmda fototranzistorni chiqish tavsifi ko‘rsatilgan.
Xuddi shunday tavsifini tranzistorning umumiy emitter sxemasi bo‘yicha ulanganda ham olish mumkin. Turli egri chiziqlar turli yorug‘lik okimlarga to‘g‘ri keladi.
Fototranzistorni eng katta kamchiliklaridan biri xususiy shovqininig yuqoriligidir.
Tarkibiy fototranzistorlar oddiy tranzistorga ulash bilan hosil qilanadi. U tok bo‘yicha kuchaytirib, ikkita tranzistorni kuchaytirish koeffitsientlarini ko‘paytmasiga teng: β=β1xβ2. Natijada uning integral sezgirligi oddiy tranzistorga nisbatan o‘nlab marta va fotodiodnikidan esa minglab marta katta.
Fotodiod va yuqori chastotali tranzistor bilan birgalikda yuqori sezgirlikdagi va yaxshi tez ishlovchi asboblar hosil qilishga erishish mumkin.
8- rasmda n- tur kanalli maydonli tranzistor ko‘rsatilgan.
| 