25
ustida mikroqalinlikdagi p-tipli yarimo’tkazgichlar joylashtirilib, yarimo’tkazgichli
diodlar hosil qilinadi (2.2-rasm). Ularning chegaraviy qatlamlaridagi o’zaro ta’sir
kuchi hajmnikidan keskin farq qiladi. Chunki chegaradagi atomlarning turli tabiatli
ekanligidan ular orasidagi kristall panjaralar o’lchamlari, atomlar orasidagi ta’sir
kuchi keskin hajmnikidan farq qiladi. Bu soha shu chegarada 4-5 qatlamni tashkil
qiladi.
So’nggi yillarda yarimo’tkazgichli materiallar sirtda
nanoqatlamli turli xil
plyonkalarni olish va ular asosida elektron asboblar ishlab chiqarish
rivojlanmoqda. Eng oddiy usul bu molekulyar nurli epitaksiya usuli hisoblanadi.
Undan tashqari yarimo’tkazgichlar ustiga boshqa kimyoviy element atomlarini ion
implantatsiya usulida qattiq jism sirtiga kiritish
orqali boshqa strukturali
nanoqatlamlar olish mumkin. Eng asosiy olinayotgan nanoqaqtlamlarning qalinligi
kamida 25-30 nmga teng bo’lishi zarur. Agar bu o’lchamdan kichik bo’lsa, bu
olingan qatlamga asosan, materialning ta’siri kuzatiladi. Masalan: termoishlov
berilgan vaqtda asos atomlarning bir qismi diffuziya
yoki agregatsiya hodisasiga
asosan olingan plyonkaning tarkibiga o’ta boshlaydi. Bu esa o’z navbatida asos
atomlari bilan yupqa plyonka atomlari orasidagi ta’sir kuchini o’zgartiradi.
Har qanday usulda olingan kristallar sirt
qatlamlarining tuzilishi
hajmnikidan keskin farq qiladi. Bu farqlar atomlar orasidagi masofa,
qatlamlari
orasidagi masofa va elektron, kristall strukturalari bir-biridan farqlidir.
2.2-rasm. p- va n- tipli qatlamlarning ko’rinishi
Agar yuza qatlamda joylashgan atomlarning o’rni hajmda joylashgan
atomlar o’rni
bilan ustma-ust tushsa, bunday sirtlar
