|
ma’ruza: Elektronika va sxemalar fani, maqsadi va vazifalari
|
| bet | 13/25 | | Sana | 17.05.2024 | | Hajmi | 70,71 Kb. | | #239465 |
Bog'liq Ma’ruza Elektronika va sxemalar fani, maqsadi va vazifalari Rej-fayllar.orgDKning ulanish turlari
Amalda DKning to‘rt xil ulanishidan foydalaniladi:
- simmterik kirish va chiqish;
- simmetrik kirish va nosimmetrik chiqish;
- nosimmetrik kirish va simmetrik chiqish;
- nosimmetrik kirish va chiqish.
7.2.-rasm. Nosimmetrik kirish va chiqishli DK
Bunda foydalanilmaydigan kirish kuchlanishi o‘zgarmas sathli qilib olinadi, masalan, umumiy shinaga ulanadi.
Agar kirish signali UKIR1 ga berilsa, chiqishda inverslanmagan signal olinadi.
Demak, UKIR1 inverslamaydigan kirish, UKIR2 esa – inverlaydigan kirish bo‘ladi.
DK kuchaytirish koeffitsienti kollektor zanjiridagi RK yuklama qarshiligiga bog‘liq bo‘ladi. Integral texnologiyada RK qiymatining ortishi bilan, kristallda u egallagan yuza ortadi va tranzistorlar ish rejimlari saqlangan holda, kuchlanish manbai qiymati ham ortadi. Shuning uchun DKlarda kuchaytirish koeffitsientini oshirish uchun, RK rezistorlar o‘rniga, dinamik (aktiv) yuklamadan foydalaniladi. Dinamik yuklama bipolyar yoki maydoniy tranzistorlar asosida hosil qilinadi. Yuklama sifatida ikkinchi BTG ishlatilgan DK sxemasi keyingi slaydda keltirilgan. Ikkinchi BTG p–n–p turli VT3 va VT4 tranzistorlar asosida yaratilgan. Birinchi BTG ilgarigidek DK sokinlik rejimini belgilaydi va emitter qarshiligi sifatida ishlatiladi.
7.3.-rasm. Dinamik yuklamali DK sxemasi
β ning qiymati tranzistor sokinlik toki IB0 ga bog‘liq bo‘lganligi sababli kirish qarshiligini oshirish uchun DKni kichik signal rejimida ishlatish kerak.
Kaskad kuchaytirish koeffitsienti va DK kirish qarshiligini sezilarli oshirish maqsadida tarkibiy tranzistorlardan foydalaniladi. Ko‘proq Darlington sxemasi ishlatiladi.
Tarkibiy tranzistorlar qo‘llanilganda DK kirish qarshiligi β marta ortadi.
7.4.-rasm. Tarkibiy tranzistorlar asosidagi DK sxemasi
|
| |
