|
Materiallarning elektr va magnit xossalariga ko‘ra sinflanishi
|
| bet | 5/5 | | Sana | 29.03.2023 | | Hajmi | 112 Kb. | | #47530 |
Bog'liq Materiallarning elektr va magnit xossalariga ko‘ra sinflanishi 1669872014, c6a0026cad2c48e15947f151b862f2f7 Kompyuter arxitekturasi, Italiya va Germaniyaning maktabgacha ta\'lim tizimi va ilg’or pedagogik tajribalarni o’rganish, Lingvistik kompetensiya, birinchi-6-talik-mavzu (1), Mavzu Iqtisodiy o’sishni prognozlash Reja, CamScanner 05-29-2023 15.15, 3, Nargiza Kurbanova abiktevka, 894, 900, 903, 908, pedagogika psixologiya fanini oqitishda didaktik oyinli talim texnologiyalarini qollash (1)Yarim o‘tkazgich materiallarning asosiy kattaliklari.
Yarim o‘tkazgich materiallar element tarkibi bo‘yicha 5 guruhga
bo‘linadi.
1. Elementar yarim o‘tkazgichlar;
2. AIII BV yarim o‘tkazgich birikmalar;
3. AII BVI yarim o‘tkazgich birikmalar;
4. AIV BIV yarim o‘tkazgich materiallar;
5. Murakkab yarim o‘tkazgich materiallar
Amalda barcha elementar yarim o‘tkazgichlar va ko‘pchilik AIII BV va AIIBVI yarim o‘tkazgich birikmalar, shuningdek murakkab yarim o‘tkazgich materiallar olmos yoki rux obmankasi tipidagi kristall tuzilishga ega bo‘lib, ular – tetraedr fazalariga tegishli, bu erda har bir atom mos kelgan tetraedr balandliklarida joyjashgan to‘rtta ekvivalent masofaga yaqin qo‘shnilar bilan o‘rab olingan. Ikkita yaqin qo‘shni atomlar o‘rtasidagi bog‘lanish qarama-qarshi spinga ega bo‘lgan elektronlar bilan amalga oshiriladi. Shuning uchun elementar yarim o‘tkazgichlarda kimyoviy bog‘lanish 100% kovalentli bo‘ladi, AIII BV birikmalarda bog‘lanish ionli - kovalent ko‘rinishga ega. AIII BV birikmalarda ionli bog‘lanish ulushi oshadi. Yarim o‘tkazgichlarning asosiy fundamental parametri bo‘lib, Yed taqiqlangan zona kengligi hisoblanadi. Yed kattaligi - kristall panjaraning kimyoviy bog‘lanishidagi qatnashadigan valent elektronni ozod qilish uchun zarur energiya bo‘lib, u material o‘tkazuvchanligini ta’minlashda qatnashadi. Yarim o‘tkazgichlarda Yed kattaligi asosan kristall panjarani hosil qiluvchi atomlarning valent elektronlari holati orqali aniqlanadi.
Jadval 1.
-
Element
|
Elektron tuzilishi
|
Eg, eV
|
C
|
1s22s22p2
|
5,48
|
Si
|
1s22s22p6 3s23p2
|
1,17
|
+Ge
|
1s22s22p6 3s23p6 3d104s24p2
|
0,74
|
Sn
|
1s22s22p6 3s23p6 3d104s24p64d105s25p2
|
0,082
|
Bu elementlarning hammasi kovalent bog‘lanishli olmossimon kristall panjara hosil qilsa ham, lekin ularning atomlari elektron tuzilishidagi valent elektronlarning joylashishi, panjaradagi energiya bog‘lanishi, Yed taqiqlangan zona kengligini kattaligi juda keskin farqlanishi mumkin. Bunday qonuniyat AIIIBV, AIIBVI yarimo‘tkazgich birikmalarda va murakkab materiallarda ham o‘rinli bo‘ladi. Shuning uchun elemenlarni birikmalarda kombinasiyalash natijasida (ya’ni, atomda valent elektronlarning har xil energetik holati) Yed boshqariladigan yarim o‘tkazgich material olish mumkin. Bu material o‘zining fizik kattaliklariga ko‘ra olmosga juda yaqin bo‘ladi. Yarim o‘tkazgichlarni shartli ravishda keng zonali, bunda Yed 2 eV, normal - bunda 2 >Yed> 0.6 eV va qisqa zonali Yed <0.5 eV kabi turlarga bo‘linadi. Aynan yarim o‘tkazgichlarning Yed kattaligi mikroelektronikaning har xil foto va optoelektron asboblarni ishlab chiqarishda ularning funksional imkoniyatlarini aniqlaydi.
|
| |
