Maydon tranzistorlariga yorug’likning ta’sirini




Download 288.09 Kb.
Pdf ko'rish
bet4/4
Sana19.12.2022
Hajmi288.09 Kb.
#35885
1   2   3   4
Bog'liq
maydon-tranzistorlariga-yorug-likning-ta-sirini
13-mavzu. Bulutli va blokcheyn texnologiyalari bilan ishlash
References 
1. O.A. Abdulkhaev, D.M. Yodgorova, A.V. Karimov, B.M. Kamanov, A.A. 
Turaev. Features of the temperature properties of a field-effect transistor in a current-
limiting mode - Journal of Engineering Physics and Thermophysics, Thermophysics 
86 (1), 248-254, 2013. 
2. A.V. Karimov, D.P. Dzhuraev, S.M. Kuliev, A.A. Turaev. Distinctive 
features of the temperature sensitivity of a transistor structure in a bipolar mode of 
measurement- Journal of Engineering Physics and Thermophysics, 89 (2), 514-517, 
2016. 
3. D.R. Dzhuraev, A.A. Turaev. Features of key parameters of field transistors-
Scientific reports of Bukhara State University, 3 (2), 7-10, 2020. 
4. D.R. Djuraev, A.V. Karimov, D.M. Yodgorova, A.A. Turaev. The Principles 
Of Increasing The Sensitivity Of Transistor Structures To External Influences-
Euroasian Journal of Semiconductors Science and Engineering 1 (1), 36, 2019. 
5. A.V. Karimov, D.R. Djuraev, O.A. Abdulhaev, A.Z. Rahmatov, Yodgorova, 
D. M., & Turaev, A.A. Tenso properties of field-effect transistors in channel cutoff 
mode- International Journal of Engineering Inventions e-ISSN, 2278-7461, 2016. 
6. A.V. Karimov, D.R. Dzhuraev, D.M. Edgorova, O.A. Abdulhaev, B.M. 
Kamanov, & A.A. Turaev. Nekotorye osobennosti ogranichitelya toka na polevom 
tranzistore - Tehnologiya i konstruirovanie v elektronnoj apparature, 2011. 
7. Karimov, A.V., Dzhuraev, D.R., Yodgorova, D.M., Rakhmatov, A.Z., 
Abdulkhaev, O.A., Kamanov, B.M., & Turaev, A.A ... (2011). Some features of the 
field-effect transistor current limiter. Technology and design in electronic equipment. 
8. A.A. Turaev, B.R. Akhtamov. The main criteria for the parameters of a field-
effect transistor for a multifunctional sensor- Science without Borders, 2017. 
9. Abdulkhaev, O.A., Yodgorova, D.M., Karimov, A.V., Kamanov, B.M., & 
Turaev, A.A. (2013). Features of the temperature properties of the field-effect 
transistor in the current limiting mode. Engineering Physics Journal, 86 (1), 232-237. 
10. A.A. Turaev, A.R. Zhuraev Module for receiving optical signals with an 
input stage on a field phototransistor - 2016 
11. D.D. Rakhmanovich, T.A. Ataevich, S.F. Kobilovich. Physical and 
Technological Aspects of the Sensor on the Field Transistor- CENTRAL ASIAN 
JOURNAL OF THEORETICAL &…, 2021 
12. S.S. Ahmedjonovna, T.A. Ataevich Control of stock current in field-effect 
transistors by gate voltage -ACADEMICIA: An International Multidisciplinary ..., 
2021. 
"Science and Education" Scientific Journal / ISSN 2181-0842
November 2021 / Volume 2 Issue 11
www.openscience.uz
436


13. D.D. Rakhmanovich, T.A. Ataevich, S.F. Kobilovich. Physical and 
Technological Aspects of the Sensor on the Field Transistor, Central Asian journal of 
theoretical & applied sciences 2 (10), 101-106. 
14. S.S. Ahmedjonovna, T.A. Ataevich. Control of stock current in field-effect 
transistors by gate voltage, ACADEMICIA: An International Multidisciplinary 
Research Journal 11 (4), 417-421. 
15. A.A. Turaev. Thermosensitive parameter of the field-effect transistor in the 
current limiting mode - Scientific Almanac, 2019. 
16. A.A. Turaev. Features of the temperature sensitivity of the transistor 
structure in the two-pole mode - Colloquium-journal, 2019. 
17. D.R. Djuraev, A.A. Turaev. Photoelectric sensitivity of multifunctional 
sensor on the outdoor transistor- Scientific reports of Bukhara State University, 2018. 
18. A.V. Karimov, D.R. Dzhuraev, Sh.M. Kuliev, A.A. Turaev. Features of the 
temperature sensitivity of a transistor structure in a two-pole measurement mode - 
Engineering Physics Journal, 2016. 
19. A.A. Turaev. Features of the temperature sensitivity of a transistor structure 
in two-pole mode, Colloquium-journal 3-1 (27). 
20. A.V. Karimov, D.R. Dzhuraev, Sh.M. Kuliev, A.A. Turaev. Features of the 
temperature sensitivity of a transistor structure in a two-pole measurement mode, 
Engineering Physics Journal 89 (2), 497-500. 
21. A.V. Karimov, D.M. Yodgorova, B.M. Kamanov, D.R. Juraev. Features of 
the amplifying properties of a field-effect transistor in a circuit with a dynamic load - 
Journal of Physics and Engineering Surfaces, 2015. 
22. A.A. Turaev, R.M. Khaidarov, J.J. Khozhiev. Photovoltaic effect in the 
diode mode of switching on a field-effect transistor - Young Scientist, 2015. 
23. D.R. Juraev, M. Nazarova, A. Turaev The atmospheric optical 
communication link of new generation; Atmosfernye opticheskie linii svyazi novogo 
pokoleniya- 2010. 
24. A.A. Turaev. Thermosensitive parameter of the field-effect transistor in the 
current limiting mode. Scientific almanac, 81-84. 
"Science and Education" Scientific Journal / ISSN 2181-0842
November 2021 / Volume 2 Issue 11
www.openscience.uz
437

Download 288.09 Kb.
1   2   3   4




Download 288.09 Kb.
Pdf ko'rish

Bosh sahifa
Aloqalar

    Bosh sahifa



Maydon tranzistorlariga yorug’likning ta’sirini

Download 288.09 Kb.
Pdf ko'rish