Kanali
induksyalanuvchi
tranzistorlarda
zatvor
kuchlanishining
biror
qiymatigacha stok toki hosil bo’lmaydi. Chunki unda zatvor kuchlanishi biror
chegaraviy qiymatdan ortgandan keyingina zaryad taqsimoti - o’tkazuvchi kanal
vujudga keladi va tok hosil bo’ladi.
Ikkinchi guruh tranzistorlarda esa o’tkazuvchi kanal oldindan mavjud bo’ladi va
zatvor kuchlanishining nol qiymatida ham stok toki o’tib turadi. Zatvorga kuchlanish
berib uni boshqarish mumkin. Bu guruhdagi tranzistorlar birinchi guruh tranzistorlari
kabi ham boyitish ham kambag’allanish rejimida ishlashi mumkin.
Maydon transiztorining strukturasi (1-rasm) da ko’rsatilgan
metall kontakt p+
qatlam bilan zatvor vazifasini bajaradi. Bu yerda zatvor
n turdagi yarimo‘tkazgichdan
MDYa-tranzistor kabi dielektrik bilan emas, balki
p-n-o‘tishning kambag‘allashgan
qatlam bilan ajratilgan. Umuman olganda
p+ qatlam majburiy hisoblanmaydi.
Kambag‘allashgan qatlam metalni bevosita yarimo‘tkazgich bilan tutashuvida ham
bo‘ladi. Bunday strukturadagi transistor Shottki to‘siqli maydonli tranzistor deyiladi.
Zatvorning
p-n-o‘tishga teskari kuchlanish beriladi va kambag‘allashgan qatlam
chuqurligi o‘zgaradi. Teskari kuchlanish qanchalik katta bo‘lsa, kambag‘allashgan
qatlam shunchalik chuqur bo‘ladi. Mos ravishda kanal qalinligi
w shunchalik kichik
bo‘ladi. Shunday qilib, zatvordagi teskari kuchlanishni o‘zgartirgan holda ko‘ndalang
yuzasi va bunga mos ravishda kanal qarshiligini o‘zgartirsa bo‘ladi. Stokda
kuchlanish mavjud bo‘lganda kanaldagi chiqish toki o‘zgaradi.
Quvvatning kuchaytirilishi kirish tokining qiymati bilan ta’minlanadi. Maydonli
tranzistorda
kirish toki zatvor p-n-o‘tishining teskari toki hisoblanadi. Stokdagi
kuchlanish nolga teng bo‘lgandagi kanalning qalinligi va qarshiligini zatvordagi
boshqarish kuchlanishiga bog‘liqligini aniqlaymiz. Kanalning qalinligini 1-rasmga
muofiq quyidagicha yozishimiz mumkin: w=a-l, bu yerda a-
n-qatlam
tubidan
o‘tishning metallurgik chegarasigacha bo‘lgan masofa. Muvozanatli potensial to‘siq
balandligini hisobga olmagan holda kanal qalinligini zatvordagi kuchlanishga
bog‘liqligini olamiz:
(1)
bu yerda
deyilganda zatvordagi kuchlanish moduli tushuniladi.
w
=
0 shartda uzish kuchlanishini topish mumkin. Bu kuchlanishda
kambag‘allashgan qatlam kanalni to‘laligicha yopadi va kanalda tokning oqishi
tugaydi:
(2)
"Science and Education" Scientific Journal / ISSN 2181-0842
November 2021 / Volume 2 Issue 11
www.openscience.uz
432
Misol uchun N=
va a=2 mkm bo‘lsa,
=12,5 V bo‘ladi.
Muvozanatdagi to‘siqning balandligini hisobga olganda uzish kuchlanishi bir muncha
kichik bo‘ladi.
Ko‘rinib turganimizdek, ishchi qatlam qalinligi va kirishmalarning
konsentrasiyasi yetarli darajada kichik bo‘lishi kerak.
Aks holda uzish kuchlanishi
shun chalik katta bo‘ladiki, tokni to‘liq boshqarishning (nol qiymatdan boshlab)
imkoni bo‘lmay qoladi.
kattalikdan foydalangan holda kanal qalinligini quyidagi shaklda yozish
mumkin:
(3)
bu yerda Z - kanal kengligi,
- n-qatlamning solishtirma qarshiligi.
=1 Omsm,
a=2 mkm va
=0 bo‘lganda minimal qiymat
=0,5 kOm ni olamiz.
=0,5 da
1,8 kOm gacha oshadi.
Maydon tranzistoriga yorug’lik ta’sirini o’rganish uchun diod rejimida ulangan
maydon tranzistorining kirishiga ikkita tejamkorlik kuchi 30 V bo’lgan bipolyar
tranzistorlar Darlington sxemasiga binoan ulanadi va maydon tranzistoriga yorug’lik
ta’sir ettirilganda chiqish kuchlanishining o’zgarishi kuzatiladi (2-rasm).
2-rasm. Maydon tranzistoriga yorug’lik ta’sirini o’rganish sxemasi
Maydon fototranzistorining foto qabul qilish xossalarini tadqiq qilish uchun
ulanish rejimida kirish kaskadli maydon tranzistoriga va manba kuchlanishi 3.0 V
bo‘lgan, Darlington sxemasi bo‘yicha birlashtirilgan ikkita
bipolyar tranzistorlarga
asoslangan tejamkor kuchaytirgich yig‘ildi (19-rasm). Maydon tranzistori integral
yorug‘lik bilan qo‘zg‘atilib optik signal 9 lk dan 150 lk ga qadar oshirilganda,
1-jadvalda ko‘rsatilganidek, kuchaytirish koeffitsiyenti kamayadi. Kirish kaskadida
maydon fototranzistorni qo‘llash hisobiga kuchsiz yorug‘lik
signaliga sezgirlik
oshishi ta’minlanadi.
"Science and Education" Scientific Journal / ISSN 2181-0842
November 2021 / Volume 2 Issue 11
www.openscience.uz
433
1-jadval
Optik signal intensivligidan olingan chiqish signallari
Ф, lk
9
12
25
50
70
90
150
U
хх
, мВ
20
30
50
100
150
200
300
U
chiq
, В
2.2
2.2
2.2
2.2
2.2
2.2
2.2
К
kuch
110
73.3
44
22
14.6
11
7.3
Tadqiqotlar shuni ko‘rsatdiki, yoritilganligi 9 lkdan 150 lkga oshadigan cho‘g‘
lampa bilan diod tranzistorining foto EYKini 10 mV dan 350 mV gacha oshirilganda,
chiqish signali qiymati 0.8 V dan 2.2 V ga oshadi. Bunda 20mV dan boshlab chiqish
signali kattaligi doimiy bo‘lib, 2.2 V ga teng.
