Foydalanilgan adabiyotlar




Download 288.09 Kb.
Pdf ko'rish
bet3/4
Sana19.12.2022
Hajmi288.09 Kb.
#35885
1   2   3   4
Bog'liq
maydon-tranzistorlariga-yorug-likning-ta-sirini
13-mavzu. Bulutli va blokcheyn texnologiyalari bilan ishlash
Foydalanilgan adabiyotlar 
1. 
O.A. Abdulkhaev, D.M. Yodgorova, A.V. Karimov, B.M. Kamanov, A.A. 
Turaev. Features of the temperature properties of a field-effect transistor in a current-
limiting mode - Journal of Engineering Physics and Thermophysics, Thermophysics 
86 (1), 248-254, 2013. 
2. 
A.V. Karimov, D.P. Dzhuraev, S.M. Kuliev, A.A. Turaev. Distinctive 
features of the temperature sensitivity of a transistor structure in a bipolar mode of 
measurement- Journal of Engineering Physics and Thermophysics, 89(2), 514-517, 
2016. 
3. 
D.R. Dzhuraev, A.A. Turaev. Features of key parameters of field transistors-
Scientific reports of Bukhara State University, 3 (2), 7-10, 2020. 
4. 
D.R. Djuraev, A.V. Karimov, D.M. Yodgorova, A.A. Turaev. The Principles 
Of Increasing The Sensitivity Of Transistor Structures To External Influences-
Euroasian Journal of Semiconductors Science and Engineering 1(1), 36, 2019. 
5. 
A.V. Karimov, D.R. Djuraev, O.A. Abdulhaev, A.Z. Rahmatov, Yodgorova, 
D. M., & Turaev, A.A. Tenso properties of field-effect transistors in channel cutoff 
mode- International Journal of Engineering Inventions e-ISSN, 2278-7461, 2016. 
6. 
A.V. Karimov, D.R. Dzhuraev, D.M. Edgorova, O.A. Abdulhaev, B.M. 
Kamanov, & A.A.Turaev. Nekotorye osobennosti ogranichitelya toka na polevom 
tranzistore - Tehnologiya i konstruirovanie v elektronnoj apparature, 2011. 
7. 
Каримов, А.В., Джураев, Д.Р., Ёдгорова, Д.М., Рахматов, А.З., 
Абдулхаев, О.А., Каманов, Б.М., & Тураев, А.А. (2011). Некоторые особенности 
ограничителя тока на полевом транзисторе. Технология и конструирование в 
электронной аппаратуре. 
8. 
А.А. Тураев, Б.Р. Ахтамов. Основные критерии параметров полевого 
транзистора для многофункционального датчика- Наука без границ, 2017. 
"Science and Education" Scientific Journal / ISSN 2181-0842
November 2021 / Volume 2 Issue 11
www.openscience.uz
434


9. 
Абдулхаев, О.А., Ёдгорова, Д.М., Каримов, А.В., Каманов, Б.М., & 
Тураев, А.А. (2013). Особенности температурных свойств полевого транзистора 
в режиме ограничения токов. Инженерно-физический журнал, 86(1), 232-237. 
10. 
А.А. Тураев, А.Р. Жураев Модуль приема оптических сигналов с 
входным каскадом на полевом фототранзисторе – 2016 
11. 
D.D. Rakhmanovich, T.A. Ataevich, S.F. Kobilovich. Physical and 
Technological Aspects of the Sensor on the Field Transistor- CENTRAL ASIAN 
JOURNAL OF THEORETICAL &…, 2021 
12. 
S.S. Ahmedjonovna, T.A. Ataevich Control of stock current in field-effect 
transistors by gate voltage -ACADEMICIA: An International Multidisciplinary …, 
2021. 
13. 
D.D. Rakhmanovich, T.A. Ataevich, S.F. Kobilovich. Physical and 
Technological Aspects of the Sensor on the Field Transistor, Central asian journal of 
theoretical & applied sciences 2 (10), 101-106. 
14. 
S.S. Ahmedjonovna, T.A. Ataevich. Control of stock current in field-effect 
transistors by gate voltage, ACADEMICIA: An International Multidisciplinary 
Research Journal 11 (4), 417-421. 
15. 
А.А. Тураев. Термочувствительный параметр полевого транзистора в 
режиме ограничения токов - Научный альманах, 2019 . 
16. 
А.А. 
Тураев. 
Особенности 
температурной 
чувствительности 
транзисторной структуры в двухполюсном режиме- Colloquium-journal, 2019. 
17. 
D.R. Djuraev, A.A. Turaev. Photoelectric sensitivity of multifunctional 
sensor on the outdoor transistor- Scientific reports of Bukhara State University, 2018. 
18. 
А.В. Каримов, Д.Р. Джураев, Ш.М. Кулиев, А.А. Тураев. Особенности 
температурной чувствительности транзисторной структуры в двухполюсном 
режиме измерения- Инженерно-физический журнал, 2016. 
19. 
А.А. 
Тураев. 
Особенности 
температурной 
чувствительности 
транзисторной структуры в двухполюсном режиме, Colloquium-journal 3-1 (27). 
20. 
А.В. Каримов, Д.Р. Джураев, Ш.М. Кулиев, А.А. Тураев. Особенности 
температурной чувствительности транзисторной структуры в двухполюсном 
режиме измерения, Инженерно-физический журнал 89 (2), 497-500. 
21. 
А.В. Каримов, Д.М. Ёдгорова, Б.М. Каманов, Д.Р. Джураев. 
Особенности усилительных свойств полевого транзистора в схеме с 
динамической нагрузкой- Журнал фізики та інженерії поверхні, 2015. 
22. 
А.А. Тураев, Р.М. Хайдаров, Ж.Ж. Хожиев. Фотовольтаический эффект 
в диодном режиме включения полевого транзистора- Молодой ученый, 2015. 
23. 
D.R. 
Juraev, 
M.Nazarova, 
A.Turaev 
The 
atmospheric 
optical 
communication link of new generation; Atmosfernye opticheskie linii svyazi novogo 
pokoleniya- 2010. 
"Science and Education" Scientific Journal / ISSN 2181-0842
November 2021 / Volume 2 Issue 11
www.openscience.uz
435


24. 
А.А. Тураев. Термочувствительный параметр полевого транзистора в 
режиме ограничения токов. Научный альманах, 81-84. 

Download 288.09 Kb.
1   2   3   4




Download 288.09 Kb.
Pdf ko'rish