• Namangan Institute of Engineering and Technology nammti.uz
  • Namangan Institute of Engineering and Technology nammti uz




    Download 15,56 Mb.
    Pdf ko'rish
    bet229/693
    Sana13.05.2024
    Hajmi15,56 Mb.
    #228860
    1   ...   225   226   227   228   229   230   231   232   ...   693
    Bog'liq
    Тўплам

     
    References 
    1.
    М.И. Гусева, Б.Г. Александрия. – Влияние плотности ионного тока на структуру и 
    концентрацию изотопных мишеней, приготовленных в электромагнитном сепараторе. ЖТФ. 
    1961, т. 31, в. 7, с. 867-875.
    2.
    M. Watanabe, A. Tooi. – Formation of SiО2 films by oxygen-ion bombardment. Japan J. 
    Appl. Phys.1966, v. 5, n. 12, pp. 737-738.
    3.
    W.J. Kleinfelder. – Properties of ion-implanted boron, nitrogen, and phosphorus in single 
    crystal silicon. Technical Report No K701-1 on DARPA Contract SD-87, 1967.
    4.
    А.Е. Городецкий, Г.А. Качурин, Н.Б. Придачин, Л.С. Смирнов. – О возможности 
    получения тонких слоев полупроводниковых соединений методом ионной бомбардировки. 
    ФТП. 1968, т. 2, в. 1, с. 136-137. 
    5.
    Kuchkarov, B. , Mamatkarimov, O. , Abdulkhayev, A. (2020). ICECAE IOP Conf. Series: 
    Earth and Environmental Science 614 012027 “Influence of the ultrasonic irradiation on 
    characteristic of the structures metal-glass-semiconductor”, Paper ID 116. 
    6.
    Qo’chqarov, B. X. , Nishonov, A. , Qochqarov, X. O. , (2020). Scientific bulletin of 
    Namangan State University, “The effect of tunneling gurrent on the spedd surface generation of 
    charge garries”, 1(7), 3-6.


    Namangan Institute of Engineering and Technology 
    nammti.uz 
    10.25.2023
    Pg.208 
    7.
    Vlasov, S. I., Nazirov, D. N., Kuchkarov, B. K., Bobokhujayev, K. U., (2014). Influence of all-
    round compression on formation of the mobile charg in Iead-borosilicate qlass structure. 
    “Uzbekiston Fizika Zhurnali”, 3(16), 231-233.
    8.
    Kuchkarov, B. Kh., Mamatkarimov, O. O., (2019). Influence of ultrasonic action on the rate 
    of charge formation of the inversion layer in metal-glass-semiconductor structures. “Vestnik 
    KRAUNC. Fiziko-Matematicheskie Nauki”, 4(29), 125-134. 
    9.
    Vlasov, S. I., Ovsyannikov, A. V., Ismailov, B. K., Kuchkarov, B. H. (2012). Effect of pressure 
    on the properties of Al-SiO₂-n-Si structures. “Semiconductor Physics Quantum Electronics & 
    Optoelectronics”, 2(15), 166-169. 

    Download 15,56 Mb.
    1   ...   225   226   227   228   229   230   231   232   ...   693




    Download 15,56 Mb.
    Pdf ko'rish

    Bosh sahifa
    Aloqalar

        Bosh sahifa



    Namangan Institute of Engineering and Technology nammti uz

    Download 15,56 Mb.
    Pdf ko'rish