|
xarakteristikalari oilasi
|
| bet | 63/160 | | Sana | 13.01.2024 | | Hajmi | 1 Mb. | | #136728 |
Bog'liq Optik aloqa asoslari (N.Yusupov, R.Isayev)xarakteristikalari oilasi
qiymatlarida tokning keskin ortishi, ya’ni elektr teshilish hodisasi kuzatiladi (uzlukli chiziqlarga qarang).
Bipolar fototranzistorlar quyidagi parametrlar bilan tav- siflanadi:
integral sezgirlik, bipolar tranzistorlarda bu parametming qiymati fotodiodlarnikiga qaraganda bir-ikki tartibga katta bo‘ladi va bir necha yuz mA/W lami tashkil etadi;
kuchlanishning ishchi qiymatlari (10—15 V oralig‘ida);
tok kuchining ishchi qiymatlari (bir necha o‘n mA gacha);
qorong'ilik toki (bir necha yuz mkA gacha);
sochilish quwatining eng katta ruxsat etilgan qiymati (bir necha o‘n mW gacha);
chegaraviy chastota.
Qotishmali bipolar fototranzistorlaming chegaraviy chastotalari bir necha kHz larni tashkil etadi.
Planar yassi qatlamli texnologiya bo‘yicha tayyorlangan bipolar fototranzistorlar bir necha o‘n MHz largacha chastotalarda ish- laydi.
Fotosezgirligining fotodiodnikiga qaraganda kuchaytirish koef- fitsiyenti p marta kattaligi bipolar fototranzistorlaming afzalligi hisoblanadi.
Shunday qilib, bipolar fototranzistorlar fotodiodga qaraganda katta fotosezgirlikka, fotorezistorga nisbatan katta tezkorlikka ega bo‘lgan fotoqabulqilgichdir.
148
www.ziyouz.com kutubxonasi
Biroq bir vaqtning o‘zida ham katta fotosezgirlikka, ham katta tezkorlikka ega bo'lgan fototranzistorlarni tayyorlash murakkab masala hisoblanadi.
Buning sababi shundaki, yorug‘lik oqimi ta’siriga sezgir baza sohasi yuza sirtining oshirilishi zaryad tashuvchilarning bu soha bo‘yicha uchib o‘tish vaqtining ortishi va fotoqabulqilgich tezkorligining kamayishiga olib keladi.
Integral ko'rinishda fotodiod va bipolar tranzistorlardan tarkib topgan fotoqabulqilgich bu muammoning hal etish imkonini beradi (4.14-rasm).
Yetarli darajada katta yuza sirtiga ega bo‘lgan fotodiod bu fotoqabulqilgich fotosezgirligi, ya’ni asbob tezkorligining ortishiga olib keladi.
rasm. Fotodiod-tranzistorning tuzilishi (a) va
elektr sxemasi (b)
149
www.zivouz.com kutubxonasi
Harorat ta’siriga barqarorligining nisbatan pastligi, qorong‘ilik tokining fotodiodnikiga nisbatan o‘nlab-yuzlab marta katta ekanligi, shovqin darajasining yuqoriligi fototranzistorlarning kamchiligi hisoblanadi.
Optik uzatish tizimlarida qo‘llaniladigan
fotoqabulqilgich turlarining qiyosiy tavsifi
Yuqoridagi bayondan ma’lum bo‘ldiki, qabul qiluvchi opto- elektron modulda qo‘llash uchun mo‘ljallangan p-n tuzilishli fotodiod, p-i-n tuzilishli fotodiod, ko‘chkili fotodiod va fototran- zistorlar o'zlarining tuzilishi, ish mexanizmi, xarakteristika va parametrlari bilan farq qiladi. Awalo, shuni ta’kidlash joizki, ular man etilgan energetik sohalarining kengligi o'zaro farq qiladigan turli xil yarimo'tkazgich va yarimo'tkazgichli birikmalardan tay- yorlanadi va shu sababdan ularning ishchi to‘lqin uzunligi diapazoni bir-biridan farq qiladi (4.1-jadval).
4.1-jadval
|
|
| |
