• UNIVERSITETI SAMARQAND FILIALI " AXBOROT XAVFSIZLIGI" kafedrasi
  • O‘zbekiston respublikasi raqamli texnologilar vazirligi muhammad al-xorazmiy nomidagi toshkent axborot texnologiyalari universiteti samarqand filiali




    Download 2,23 Mb.
    Pdf ko'rish
    bet13/30
    Sana06.01.2024
    Hajmi2,23 Mb.
    #130994
    1   ...   9   10   11   12   13   14   15   16   ...   30
    Bog'liq
    Mustaqil ish Kiberxavfsizlik

     
     
     
     
     
     
     


    O‘ZBEKISTON RESPUBLIKASI RAQAMLI TEXNOLOGILAR 
    VAZIRLIGI 
     MUHAMMAD AL-XORAZMIY NOMIDAGI
    TOSHKENT AXBOROT TEXNOLOGIYALARI 
    UNIVERSITETI SAMARQAND FILIALI
    " AXBOROT XAVFSIZLIGI" kafedrasi 

     
     
     
     
     
     
     
    Mustaqil ta’lim ish hisoboti 
    Fan: ”Kiberxavfsizlik asoslari” 
     
    Guruh: KIS 22-06
    Talaba: ABDULLAYEV Z. 
    Rahbar: SHARIPOVA U. 
     

    Samarqand-2024 y. 


    5-Mavzu.Xorijiydavlatlardaelektronraqamliimzoalgoritmlari tahlili. 
    Reja: 
    1. Simmetrik sxema. 
    2. Asimetrik sxema. 
    3. Raqamli imzo. 
    Simmetrik bo‘lgani 
    sababli kirish signali 
    U
    KIR
    EO‘lar orasida teng taqsimlanadi: 
    ularning birida kuchlanish 0,5·U
    KIR
    qiymatga ortadi, ikkinchisida esa shu qiymatga 
    kamayadi. U
    KIR1
    kuchlanishi ortsin, U
    KIR2 
    esa, kamaysin. Bunda VT1 tranzistorning 
    emitter va kollektor toklari musbat orttirma, VT2 tranzistorning mos toklari esa, 
    manfiy orttirma oladi. 
    Natijada
    , chiqish kuchlanishi hosil bo‘ladi: 
    Emitter toklarining o‘zgarishi zanjirlar uchun umumiy R
    E
    rezistorda manfiy TA 
    signalini tashkil etuvchi 
    orttirma hosil qiladi. 
    Agar DK ideal simmetrik bo‘lsa, va ΔU
    E
    =0. 
    Natijada, emitterlar potensiali o‘zgarmas qoladi va DK uchun manfiy TA signali 
    mavjud bo‘lmaydi. Shu sababli DKning kuchlanish bo‘yicha kuchaytirish 
    koeffitsiyenti TAsiz UE ulangan kaskad uchun ilgari yozilgan ifoda bilan aniqlanadi 
    1, R

    =5 kOm, I

    =1 mA, = 0,025 V
    -1
    bo‘lganda, K

    = - 200 bo‘ladi. 
    Amalda DKning to‘rt xil ulanishidan foydalaniladi: simmetrik kirish va chiqish; 
    simmetrik 
    kirish va nosimmetrik chiqish
    ; nosimmetrik kirish va simmetrik chiqish; 
    nosimmetrik kirish va chiqish. 
    Simmetrik kirishda signal manbai DK kirishlari orasiga (tranzistorlar bazalari orasiga) 
    ulanadi. Simmetrik chiqishda yuklama qarshiligi DK chiqishlari orasiga (tranzistorlar 
    kollektorlar orasiga) ulanadi. 
    Nosimmetrik kirishda signal manbai DKning bitta kirishi va umumiy shinasi orasiga 
    ulanadi. Nosimmetrik chiqishda yuklama qarshiligi tranzistorlardan birining kollektori 
    va umumiy shina oralig‘iga ulanadi. 
    DKning kuchaytirish koeffitsiyenti kirish signal berish usuliga, ya’ni kirish simmetrik 
    YOKI nosimmetrikligiga bog‘liq emas. 


    Nosimmetrik chiqishda yuklama bir elektrodi bilan tranzistorlardan birining 
    kollektoriga, boshqa elektrodi bilan esa, umumiy shinaga ulanadi. 
    Bu 
    holda
    K
    U
    simmetrik chiqishdagiga nisbatan 2 marta kichik bo‘ladi. 
    Nosimmetrik kirish va chiqishda, agar kirish signali DK chiqish signali olinadigan 
    yelka kirishiga berilgan bo‘lsa, bu holda kuchaytirishga DKning faqat bir yelkasi 
    ishlaydi.

    Download 2,23 Mb.
    1   ...   9   10   11   12   13   14   15   16   ...   30




    Download 2,23 Mb.
    Pdf ko'rish

    Bosh sahifa
    Aloqalar

        Bosh sahifa



    O‘zbekiston respublikasi raqamli texnologilar vazirligi muhammad al-xorazmiy nomidagi toshkent axborot texnologiyalari universiteti samarqand filiali

    Download 2,23 Mb.
    Pdf ko'rish