46
ma’nbani minus qutbi ulansin. Unda kanal orqali istokdan stok tomon
n-tur
yarim o`tkazgich plastinkadagi potensiallar farqi ta’sirida elektronlar harakat
qila boshlaydi. Zatvorga ham tashqi kuchlanish beriladiki, ikkala
r-n-o`tishlarga
teskari kuchlanish beriladi. Zatvorga berilayotgan kuchlanishni o`zgartirib,
n-tur
yarim o`tkazgichdagi tashuvchilarni pasaytirish mumkin. Buni amalga oshishiga
sabab tranzistor kanal o`tkazgich qatlamining ko`ndalang kesimini o`zgarish
hisobiga bo`ladi. Bu narsa kanal qarshiligini o`zgartirib, o`z
navbatida maydon
tranzistorining chiqish toki I
c
ni o`zgartiradi.
Maydon tranzistorini kirish kuchlanishi U
z
dir. Agarda kanalga ketma-
ket R
c
rezistorni ulasak, zatvor kuchlanishi U
z
o`zgarishi
natijasida mos
ravishda R
c
rezistorga tushayotgan kuchlanish ham o`zgaradi. Bu yerda
o`tishlar teskari kuchlanish ostida bo`lganligi uchun ularning qarshiligi
bo`ladi. Kirish toki esa kanal tokiga nisbatan ancha kichik. Demak, kirish
quvvati uncha katta bo`lmay,
chiqish quvvati I
c
va R
c
qarshilik bilan
aniqlanib, kirishni ancha marta oshiradi. SHunday qilib, maydon tranzistor
kuchaytiruvchi asbobdir.
Kanal qarshiligini boshqarish
usulining boshqa usuli, yarim o`tkazgich
hajmidan izolyatsiyalangan elektrod potensial o`zgarishi kanal qarshiligini
o`zgartiradi. Shu prinsipga asoslangan tranzistorlarni zatvori izolyat-
siyalangan maydon tranzistorlar deyiladi yoki MDYA-tranzistorlar deyiladi.
Ko`pchilik hollarda, dielektrik sifatida kremniy to`rt oksididan (SiO
2
)
foydilaniladi.
MDYA-tranzistorlarni ishlash prinsipi yarim o`tkazgich
hajmining qol-
gan qismidan farqli yarim o`tkazgich hajmi va yarim o`tkazgich sirtidagi
izolyatsiyalangan elektrod oralig‘ida zaryad tashuvchilar qatlami vujudga
keladi.
